MOSFET MV à canal N Trench6

Les MOSFET MV à canal N Trench6 onsemi sont des MOSFET de 30 V, 40 V et 60 V fabriqués selon le procédé innovant Power Trench qui utilise la technologie de grille blindée. Ce procédé a été optimisé pour minimiser la résistance à l'état passant tout en maintenant des performances de commutation excellentes avec la meilleure diode de corps à recouvrement progressif du marché.

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 Fab.
Description Fiche technique Disponibilité Prix (EUR) Filtrer les résultats dans le tableau par prix unitaire basé sur votre quantité.
Qté. RoHS Modèle de ECAO Technologie
Style de montage
Package/Boîte
Polarité du transistor
Nombre de canaux
Vds - Tension de rupture drain-source
Id - Courant continu de fuite
Rds On - Résistance drain-source
Vgs - Tension grille-source
Vgs th - Tension de seuil grille-source
Qg - Charge de grille
Température de fonctionnement min.
Température de fonctionnement max.
Pd - Dissipation d’énergie
Mode canal
Qualification
Nom commercial
Conditionnement
onsemi MOSFET T6 40V NCH LL IN U8FL
Fiche technique
1.349En stock
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 1.500

Si SMD/SMT DFNW-5 N-Channel 1 Channel 40 V 87 A 3.7 mOhms 20 V 2 V 18 nC - 55 C + 175 C 55 W Enhancement Reel, Cut Tape
onsemi MOSFET T6 40V NCH LL IN U8FL
Fiche technique
1.176En stock
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 1.500

Si SMD/SMT DFNW-5 N-Channel 1 Channel 40 V 87 A 3.7 mOhms 20 V 2 V 18 nC - 55 C + 175 C 55 W Enhancement Reel, Cut Tape
onsemi MOSFET T6 40V NCH LL IN SO8FL
Fiche technique
1.148En stock
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 1.500

Si SMD/SMT DFN-5 N-Channel 1 Channel 40 V 78 A 4.5 mOhms 20 V 2 V 23 nC - 55 C + 175 C 46 W Enhancement Reel, Cut Tape
onsemi MOSFET T6 40V NCH LL IN SO8FL
Fiche technique
1.184En stock
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 1.500

Si SMD/SMT DFNW-5 N-Channel 1 Channel 40 V 78 A 4.5 mOhms 20 V 2 V 23 nC - 55 C + 175 C 46 W Enhancement Reel, Cut Tape
onsemi MOSFET T6 40V NCH LL IN SO8FL
Fiche technique
1.323En stock
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 1.500

Si SMD/SMT DFNW-5 N-Channel 1 Channel 40 V 78 A 4.5 mOhms 20 V 2 V 23 nC - 55 C + 175 C 46 W Enhancement Reel, Cut Tape
onsemi MOSFET TRENCH 6 60V NFET
Fiche technique
1.350En stock
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 1.500

Si SMD/SMT DFN-5 N-Channel 1 Channel 60 V 150 A 2.4 mOhms 20 V 2 V 52 nC - 55 C + 175 C 46 W Enhancement Reel, Cut Tape
onsemi MOSFET T6 60V S08FL
Fiche technique
1.339En stock
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 1.500

Si SMD/SMT DFN-5 N-Channel 1 Channel 60 V 93 A 4.7 mOhms 20 V 2 V 33.7 nC - 55 C + 175 C 79 W Enhancement Reel, Cut Tape
onsemi MOSFET T6 60V S08FL
Fiche technique
2.000En stock
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 1.500

Si SMD/SMT DFNW-5 N-Channel 1 Channel 60 V 50 A 9.2 mOhms 20 V 2 V 9.5 nC - 55 C + 175 C 46 W Enhancement Reel, Cut Tape
onsemi MOSFET TRENCH 6 60V NFET
Fiche technique
1.246En stock
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 1.500

Si SMD/SMT DFN-5 N-Channel 1 Channel 60 V 71 A 6.1 mOhms 20 V 2 V 20 nC - 55 C + 175 C 61 W Enhancement Reel, Cut Tape
onsemi MOSFET PTNG 100V LL SO8FL DUAL
Fiche technique
1.200En stock
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 1.500

Si SMD/SMT DFN-8 N-Channel 2 Channel 100 V 28 A 26 mOhms 20 V 3 V 5.5 nC - 55 C + 175 C 46 W Enhancement Reel, Cut Tape
onsemi MOSFET NFET SO8FL 30V 138A 2.1MO 1.350En stock
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 1.500

Reel, Cut Tape
onsemi MOSFET NFET SO8FL 30V 116A 3.4MO
Fiche technique
1.314En stock
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 1.500

Si SMD/SMT SO-8FL N-Channel 1 Channel 30 V 127 A 2.8 mOhms 20 V 2.2 V 30 nC - 55 C + 175 C 79 W Enhancement Reel, Cut Tape
onsemi MOSFET NFET SO8FL 30V 116A 3.4MO
Fiche technique
1.287En stock
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 1.500

Si SMD/SMT SO-8FL N-Channel 1 Channel 30 V 127 A 2.8 mOhms 20 V 2.2 V 30 nC - 55 C + 175 C 79 W Enhancement Reel, Cut Tape
onsemi MOSFET NFET SO8FL 30V 116A 3.4MO
Fiche technique
1.200En stock
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 1.500

Si SMD/SMT SO-8FL N-Channel 1 Channel 30 V 127 A 2.8 mOhms 20 V 2.2 V 30 nC - 55 C + 175 C 79 W Enhancement Reel, Cut Tape
onsemi MOSFET TRENCH 30V NCH
Fiche technique
1.341En stock
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 1.500

Si SMD/SMT SO-8FL N-Channel 1 Channel 30 V 71 A 3.4 mOhms 20 V 2.1 V 26 nC - 55 C + 175 C 36.5 W Enhancement Reel, Cut Tape
onsemi MOSFET T6-40V N 1.4 MOHMS LL
Fiche technique
1.332En stock
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 1.500

Si SMD/SMT DFN-5 N-Channel 1 Channel 40 V 200 A 1.4 mOhms 20 V 2 V 70 nC - 55 C + 175 C 110 W Enhancement Reel, Cut Tape
onsemi MOSFET T6-40V N 2.5 MOHMS LL
Fiche technique
1.350En stock
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 1.500

Si SMD/SMT DFN-5 N-Channel 1 Channel 40 V 130 A 2.5 mOhms 20 V 2 V 50 nC - 55 C + 175 C 83 W Enhancement Reel, Cut Tape
onsemi MOSFET T6-40V N 2.8 MOHMS LL
Fiche technique
1.348En stock
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 1.500

Si SMD/SMT DFN-5 N-Channel 1 Channel 40 V 110 A 2.8 mOhms 20 V 2 V 35 nC - 55 C + 175 C 68 W Enhancement Reel, Cut Tape
onsemi MOSFET T6 40V NCH LL IN U8FL
Fiche technique
1.350En stock
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 1.500

Si SMD/SMT DFN-5 N-Channel 1 Channel 40 V 87 A 3.7 mOhms 20 V 2 V 18 nC - 55 C + 175 C 55 W Enhancement Reel, Cut Tape
onsemi MOSFET T6-40V N 4.5 MOHMS LL
Fiche technique
1.171En stock
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 1.500

Si SMD/SMT DFN-5 N-Channel 1 Channel 40 V 78 A 4.5 mOhms 20 V 2 V 23 nC - 55 C + 175 C 46 W Enhancement Reel, Cut Tape
onsemi MOSFET TRENCH 6 60V NFET
Fiche technique
1.347En stock
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 1.500

Si SMD/SMT DFN-5 N-Channel 1 Channel 60 V 150 A 2.4 mOhms 20 V 2 V 52 nC - 55 C + 175 C 46 W Enhancement Reel, Cut Tape
onsemi MOSFET 60V 1.65MOHM T6 SINGLE S08FL
Fiche technique
1.200En stock
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 1.500

Si SMD/SMT DFNW-5 N-Channel 1 Channel 60 V 92 A 4.6 mOhms 20 V 4 V 20.4 nC - 55 C + 175 C 79 W Enhancement Reel, Cut Tape
onsemi MOSFET NFET U8FL 30V 40A 9.4MOHM
Fiche technique
2.220En stock
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 1.500

Si SMD/SMT WDFN-8 N-Channel 1 Channel 30 V 14 A 9.4 mOhms 20 V 2.1 V 15.2 nC - 55 C + 175 C 26 W Enhancement Reel, Cut Tape
onsemi MOSFET T6-D3F 40V NFET
Fiche technique
1.050En stock
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 1.500

Si SMD/SMT DFN-5 N-Channel 1 Channel 40 V 300 A 9.2 mOhms 20 V 3.5 V 86 nC - 55 C + 175 C 166 W Enhancement Reel, Cut Tape
onsemi MOSFET T6-D3F 40V NFET
Fiche technique
1.350En stock
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 1.500

Si SMD/SMT DFNW-5 N-Channel 1 Channel 40 V 235 A 1.3 mOhms 20 V 3.5 V 65 nC - 55 C + 175 C 128 W Enhancement Reel, Cut Tape