MOSFET MV à canal N Trench6

Les MOSFET MV à canal N Trench6 onsemi sont des MOSFET de 30 V, 40 V et 60 V fabriqués selon le procédé innovant Power Trench qui utilise la technologie de grille blindée. Ce procédé a été optimisé pour minimiser la résistance à l'état passant tout en maintenant des performances de commutation excellentes avec la meilleure diode de corps à recouvrement progressif du marché.

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Sélectionner Image Référence Fab. Description Fiche technique Disponibilité Prix (EUR) Filtrer les résultats dans le tableau par prix unitaire basé sur votre quantité. Qté. RoHS Modèle de ECAO Technologie Style de montage Package/Boîte Polarité du transistor Nombre de canaux Vds - Tension de rupture drain-source Id - Courant continu de fuite Rds On - Résistance drain-source Vgs - Tension grille-source Vgs th - Tension de seuil grille-source Qg - Charge de grille Température de fonctionnement min. Température de fonctionnement max. Pd - Dissipation d’énergie Mode canal Qualification Nom commercial Conditionnement
onsemi MOSFET T6 40V LL LFPAK
3.00003/04/2026 attendu
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 3.000

Si SMD/SMT LFPAK-4 N-Channel 1 Channel 40 V 78 A 7.2 mOhms - 20 V, 20 V 1.2 V 23 nC - 55 C + 175 C 50 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi MOSFET T6 40V NCH LL IN U8FL
9.99825/08/2026 attendu
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 5.000
Si SMD/SMT WDFN-8 Reel, Cut Tape
onsemi MOSFET Single N-Chn Pwr Mosfet 40V
8.17927/03/2026 attendu
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 1.500

Si SMD/SMT WDFN-8 N-Channel 1 Channel 40 V 74 A 4.8 mOhms - 20 V, 20 V 1.2 V 11 nC - 55 C + 175 C 50 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi MOSFET 40V 1.2 MOHM T6 S08FL SIN
1.50003/04/2026 attendu
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 1.500

Si SMD/SMT SO-8FL-4 N-Channel 1 Channel 40 V 237 A 1.2 mOhms - 20 V, 20 V 1.2 V 93 nC - 55 C + 175 C 128 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi MOSFET T6 40V S08FL 1En stock
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 1.500

Si SMD/SMT SOIC-8 N-Channel 1 Channel 40 V 130 A 2 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 50 nC - 55 C + 175 C 83 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi MOSFET AFSM T6 40V LL U8FL WF
6.00015/01/2027 attendu
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 1.500

Si SMD/SMT WDFN-8 N-Channel 1 Channel 40 V 26 A 11.5 mOhms - 20 V, 20 V 1.2 V 8 nC - 55 C + 175 C 20 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi MOSFET Single N-Chn Pwr Mosfet 40V
3.00003/04/2026 attendu
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 1.500

Si SMD/SMT WDFN-8 N-Channel 1 Channel 40 V 27 A 17.3 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 6.3 nC - 55 C + 175 C 23 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi MOSFET 60V 3mOhm 133A Single N-Channel
6.00017/04/2026 attendu
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 3.000

Si SMD/SMT LFPAK-4 N-Channel 1 Channel 60 V 133 A 3 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 40.7 nC - 55 C + 175 C 100 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape
onsemi MOSFET T6 30V NCH 1.6X1.6 UDFN
5.44031/07/2026 attendu
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 3.000

Si SMD/SMT UDFN-6 N-Channel 1 Channel 30 V 6.9 A 18 mOhms - 20 V, 20 V 1.2 V 8 nC - 55 C + 150 C 1.49 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi MOSFET WIDE SOA
1.45013/03/2026 attendu
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 1.500
Si SMD/SMT DFN-5 N-Channel 1 Channel 30 V 409 A 650 uOhms - 20 V, 20 V 2.2 V 147 nC - 55 C + 175 C 187 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi MOSFET WIDE SOA
1.50002/10/2026 attendu
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 1.500

Si SMD/SMT SO-8FL-4 N-Channel 1 Channel 30 V 170 A 1.74 mOhms - 20 V, 20 V 2.2 V 48 nC - 55 C + 175 C 87 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi MOSFET T6 60V SG
1.50004/05/2026 attendu
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 1.500

Si SMD/SMT SO-8FL-4 N-Channel 1 Channel 60 V 150 A 3 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 34 nC - 55 C + 175 C 110 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi MOSFET NFET U8FL 30V 75A 3.6MOHM
2.99302/03/2026 attendu
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 1.500

Si SMD/SMT WDFN-8 N-Channel 1 Channel 30 V 75 A 3.6 mOhms - 20 V, 20 V 1.3 V 31 nC - 55 C + 150 C 4.5 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi MOSFET Pwr MOSFET 30V 65A 4.2mOhm SGL N-CH
2.95013/04/2026 attendu
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 1.500

Si SMD/SMT WDFN-8 N-Channel 1 Channel 30 V 67 A 4.2 mOhms - 20 V, 20 V 1.3 V 36 nC - 55 C + 150 C 31 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi MOSFET 40V 7.3 MOHM T6 S08FL SIN
1.50018/09/2026 attendu
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 1.500

Si SMD/SMT SO-8FL-4 N-Channel 1 Channel 40 V 49 A 8.1 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 10 nC - 55 C + 175 C 37 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi MOSFET 40V 7.3mOhm 50A Single N-Channel
2.64517/07/2026 attendu
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 3.000

Si SMD/SMT LFPAK-4 N-Channel 1 Channel 40 V 52 A 7.3 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 16 nC - 55 C + 175 C 38 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape
onsemi MOSFET T6 60V SG HIGHER RDS-ON PORTFOLIO
1.50003/04/2026 attendu
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 1.500

Si SMD/SMT WDFN-8 Reel, Cut Tape
onsemi MOSFET T6 40V NCH LL IN U8FL
1.50010/04/2026 attendu
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 1.500

Si SMD/SMT WDFN-8 N-Channel 1 Channel 40 V 107 A 3.1 mOhms 20 V 2 V 35 nC - 55 C + 175 C 68 W Enhancement Reel, Cut Tape
onsemi MOSFET Single N-Chn Pwr Mosfet 40V
1.50002/03/2026 attendu
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 1.500

Si SMD/SMT WDFN-8 N-Channel 1 Channel 40 V 74 A 4.8 mOhms - 20 V, 20 V 1.2 V 11 nC - 55 C + 175 C 50 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi MOSFET TRENCH 6 60V NFET
1.50013/11/2026 attendu
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 1.500
Si SMD/SMT SO-8FL Reel, Cut Tape
onsemi MOSFET NFET U8FL 30V 71A 4.2MOHM
1.50026/06/2026 attendu
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 1.500

Si SMD/SMT WDFN-8 N-Channel 1 Channel 30 V 71 A 4.2 mOhms - 20 V, 20 V 1.3 V 26 nC - 55 C + 175 C 37 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape
onsemi NTTFS016N06CTAG
onsemi MOSFET T6 60V SG HIGHER RDS-ON PORTFOLIO
1.50003/04/2026 attendu
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 1.500

Si Reel, Cut Tape
onsemi NTTFS5C680NLTAG
onsemi MOSFET T6 60V LL U8FL
4.47205/05/2026 attendu
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 1.500

Si SMD/SMT N-Channel 1 Channel 60 V 20 A 26.5 mOhms - 20 V, 20 V 2.2 V 2.9 nC - 55 C + 175 C 20 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi MOSFET T6 40V LL LFPAK 12.000Stock usine disponible
Min. : 3.000
Mult. : 3.000
Bobine: 3.000

Si LFPAK-8 Reel
onsemi MOSFET TRENCH 6 40V SL NFET 6.000Stock usine disponible
Min. : 3.000
Mult. : 3.000
Bobine: 3.000

Si LFPAK-8 Reel