iDEAL Semiconductor MOSFET

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Description Fiche technique Disponibilité Prix (EUR) Filtrer les résultats dans le tableau par prix unitaire basé sur votre quantité.
Qté. RoHS Modèle de ECAO Technologie
Style de montage
Package/Boîte
Polarité du transistor
Nombre de canaux
Vds - Tension de rupture drain-source
Id - Courant continu de fuite
Rds On - Résistance drain-source
Vgs - Tension grille-source
Vgs th - Tension de seuil grille-source
Qg - Charge de grille
Température de fonctionnement min.
Température de fonctionnement max.
Pd - Dissipation d’énergie
Mode canal
Nom commercial
Conditionnement
iDEAL Semiconductor MOSFET
Fiche technique
119En stock
Min. : 1
Mult. : 1
: 100

Si SMD/SMT PDFN-8 N-Channel 1 Channel 200 V 45 A 25 mOhms - 20 V, 20 V 3.6 V 27.5 nC - 55 C + 175 C 125 W Enhancement SuperQ Reel, Cut Tape
iDEAL Semiconductor MOSFET 150 Volt N-Channel Power MOSFET 6.4 mOhm PDFN 5x6mm
Fiche technique
4.632En stock
MouseReel disponible
Min. : 1
Mult. : 1
: 5.000

Si SMD/SMT PDFN-8 N-Channel 1 Channel 150 V 133 A 6.4 mOhms - 20 V, 20 V 3.3 V 48 nC - 55 C + 175 C 250 W Enhancement iDEAL Semiconductor Reel, Cut Tape, MouseReel
iDEAL Semiconductor MOSFET SuperQ power MOSFET 200 V, 25m? max, normal threshold level in TO-220 package
Fiche technique
1.892En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 200 V 40 A 25 mOhms - 20 V, 20 V 3.6 V 26.5 nC - 55 C + 175 C 100 W Enhancement SuperQ Tube
iDEAL Semiconductor MOSFET SuperQ MOSFET 200 V, 5.5m max, normal threshold level in TOLL package
Fiche technique
1.375En stock
Min. : 1
Mult. : 1
: 2.000

Si SMD/SMT TOLL-8 N-Channel 1 Channel 200 V 151 A 5.5 mOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 112 nC - 55 C + 175 C 314 W Enhancement SuperQ Reel, Cut Tape
iDEAL Semiconductor MOSFET N-CH 200V 172A TO-220
Fiche technique
1.000En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 200 V 172 A 6.3 mOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 105 nC - 55 C + 175 C 428 W Enhancement Tube
iDEAL Semiconductor MOSFET 150 Volt N-Channel Power MOSFET 6.4mOhm PDFN 5x6mm
Fiche technique
341En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Si SMD/SMT PDFN-8 N-Channel 1 Channel 150 V 133 A 6.4 mOhms - 20 V, 20 V 3.3 V 48 nC - 55 C + 175 C 250 W Enhancement iDEAL Semiconductor Cut Tape
iDEAL Semiconductor MOSFET SuperQ MOSFET 200 V, 5.5m max, normal threshold level in TOLL package
Fiche technique
200En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Si SMD/SMT TOLL-8 N-Channel 1 Channel 200 V 151 A 5.5 mOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 112 nC - 55 C + 175 C 314 W Enhancement SuperQ Bulk
iDEAL Semiconductor MOSFET N-CH 200V 128A TO-220
Fiche technique
1.00007/09/2026 attendu
Min. : 1
Mult. : 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 200 V 128 A 8.3 mOhms 20 V 4.1 V 73 nC - 55 C + 175 C 333 W Enhancement Tube
iDEAL Semiconductor MOSFET N-CH 150V 233A TOLL
Fiche technique
10005/08/2026 attendu
Min. : 1
Mult. : 1

Si SMD/SMT TOLL N-Channel 1 Channel 150 V 233 A 2.5 mOhms 20 V 3.3 V 123 nC - 55 C + 175 C 314 W Enhancement SuperQ Bulk
iDEAL Semiconductor MOSFET N-CH 150V 233A TOLL
Fiche technique
Délai de livraison produit non stocké 12 Semaines
Min. : 5.000
Mult. : 5.000
: 5.000

Si SMD/SMT TOLL N-Channel 1 Channel 150 V 233 A 2.5 mOhms 20 V 3.3 V 123 nC - 55 C + 175 C 314 W Enhancement SuperQ Reel
iDEAL Semiconductor MOSFET
Fiche technique
Délai de livraison produit non stocké 12 Semaines
Min. : 1
Mult. : 1
: 5.000

Si SMD/SMT PDFN-8 N-Channel 1 Channel 200 V 45 A 25 mOhms - 20 V, 20 V 3.6 V 27.5 nC - 55 C + 175 C 125 W Enhancement SuperQ Reel, Cut Tape