EPC2106

EPC
65-EPC2106
EPC2106

Fab. :

Description :
FET GaN EPC eGaN Dual FET,100 V, 70 milliohm at 5 V, BGA 1.35 x 1.35

Cycle de vie:
Nouveau chez Mouser
Fiche technique:
Modèle de ECAO:
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Disponibilité

Stock:
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Sur commande:
2.500
17/03/2026 attendu
Délai usine :
18
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Minimum : 1   Multiples : 1
Prix unitaire:
-,-- €
Ext. Prix:
-,-- €
Tarif est.:

Prix (EUR)

Qté. Prix unitaire
Ext. Prix
2,29 € 2,29 €
1,47 € 14,70 €
1,01 € 101,00 €
0,816 € 408,00 €
0,797 € 797,00 €
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0,693 € 1.732,50 €

Attribut de produit Valeur d'attribut Sélectionner l'attribut
EPC
Catégorie du produit: FET GaN
RoHS:  
SMD/SMT
BGA-9
N-Channel
2 Channel
100 V
1.7 A
70 mOhms
6 V, - 4 V
2.5 V
730 pC, 730 pC
- 40 C
+ 150 C
Enhancement
eGaN FET
Marque: EPC
Configuration: Dual
Pays d’assemblage: Not Available
Pays de diffusion: Not Available
Pays d'origine: Not Available
Conditionnement: Reel
Conditionnement: Cut Tape
Produit: Power Transistor
Type de produit: GaN FETs
Nombre de pièces de l'usine: 2500
Sous-catégorie: Transistors
Technologie: GaN
Type de transistor: 2 N-Channel
Poids de l''unité: 3 mg
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Attributs sélectionnés: 0

Fiche technique

USHTS:
8541290040

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