EPC2065

65-EPC2065
EPC2065

Fab. :

Description :
FET GaN EPC eGaN FET, 80 V, 3.6 milliohm at 5 V, LGA 3.5 x 1.95

Cycle de vie:
Nouveau chez Mouser
Fiche technique:
Modèle de ECAO:
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En stock: 2.948

Stock:
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Délai usine :
18 Semaines Délai de production estimé en usine pour des quantités supérieures à celles indiquées.
Minimum : 1   Multiples : 1
Prix unitaire:
-,-- €
Ext. Prix:
-,-- €
Tarif est.:

Prix (EUR)

Qté. Prix unitaire
Ext. Prix
3,68 € 3,68 €
2,44 € 24,40 €
1,73 € 173,00 €
1,58 € 790,00 €
Bobine complète(s) (commandez en multiples de 1000)
1,34 € 1.340,00 €

Attribut de produit Valeur d'attribut Sélectionner l'attribut
EPC
Catégorie du produit: FET GaN
RoHS:  
SMD/SMT
LGA-8
N-Channel
1 Channel
80 V
60 A
3.6 mOhms
6 V, - 4 V
2.5 V
9.4 nC
- 40 C
+ 150 C
Enhancement
eGaN FET
Marque: EPC
Configuration: Single
Pays d’assemblage: Not Available
Pays de diffusion: Not Available
Pays d'origine: TW
Conditionnement: Reel
Conditionnement: Cut Tape
Produit: Power Transistor
Type de produit: GaN FETs
Nombre de pièces de l'usine: 1000
Sous-catégorie: Transistors
Technologie: GaN
Type de transistor: 1 N-Channel
Poids de l''unité: 10,800 mg
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Attributs sélectionnés: 0

Fiche technique

TARIC:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290040
JPHTS:
854129000
KRHTS:
8541299000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

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