STMicroelectronics Transistors bipolaires - BJT

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 Fab.
Description Fiche technique Disponibilité Prix (EUR) Filtrer les résultats dans le tableau par prix unitaire basé sur votre quantité.
Qté. RoHS Modèle de ECAO Technologie
Style de montage
Package/Boîte
Polarité du transistor
Configuration
Courant CC max. du collecteur
Collecteur - Tension de l'émetteur VCEO max.
Émetteur - Tension de base VEBO
Tension de saturation collecteur-émetteur
Pd - Dissipation d’énergie
Température de fonctionnement max.
Série
Conditionnement
STMicroelectronics Transistors bipolaires - BJT NPN Power Transistor
Fiche technique
910En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Si Through Hole ISOWATT-218FX-3 NPN Single 10 A 700 V 9 V 1.5 V 57 W + 150 C MD1802FX Tube
STMicroelectronics Transistors bipolaires - BJT Hi Vltg FAST SWITCH NPN Pwr TRANSISTOR
Fiche technique
409En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Si Through Hole ISOWATT-218FX-3 NPN Single 12 A 750 V 9 V 2 V 62 W + 150 C ST1510FX Tube