STMicroelectronics MOSFET

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 Fab.
Description Fiche technique Disponibilité Prix (EUR) Filtrer les résultats dans le tableau par prix unitaire basé sur votre quantité.
Qté. RoHS Modèle de ECAO Technologie
Style de montage
Package/Boîte
Polarité du transistor
Nombre de canaux
Vds - Tension de rupture drain-source
Id - Courant continu de fuite
Rds On - Résistance drain-source
Vgs - Tension grille-source
Vgs th - Tension de seuil grille-source
Qg - Charge de grille
Température de fonctionnement min.
Température de fonctionnement max.
Pd - Dissipation d’énergie
Mode canal
Qualification
Nom commercial
Conditionnement
STMicroelectronics MOSFET N-Channel Enhancement Mode 100V, 3.2mOhm max, 158A STripFET F8 Power MOSFET
Fiche technique
2.940En stock
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 3.000

Si SMD/SMT PowerFLAT-4 N-Channel 1 Channel 100 V 158 A 3.2 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 90 nC - 55 C + 175 C 167 W Enhancement STripFET Reel, Cut Tape
STMicroelectronics MOSFET N-Channel Enhancement Mode 40V Logic level 2.2mOhm 167A STripFET F8 Power MOSFET
Fiche technique
Délai de livraison produit non stocké 26 Semaines
Min. : 3.000
Mult. : 3.000
Bobine: 3.000

Si SMD/SMT PowerFLAT-4 N-Channel 1 Channel 40 V 167 A 3.2 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 34.5 nC - 55 C + 175 C 111 W Enhancement STripFET Reel
STMicroelectronics MOSFET Automotive-grade N-channel logic level 40V 2.2 mOhm 167A STripFET F8 PowerMOSFET
Fiche technique
Délai de livraison produit non stocké 26 Semaines
Min. : 3.000
Mult. : 3.000
Bobine: 3.000

Si SMD/SMT PowerFLAT-8 N-Channel 1 Channel 40 V 167 A 3.2 mOhms - 16 V, 16 V 2 V 34.5 nC - 55 C + 175 C 111 W Enhancement AEC-Q101 STripFET Reel