STMicroelectronics Transistors bipolaires - BJT

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Description Fiche technique Disponibilité Prix (EUR) Filtrer les résultats dans le tableau par prix unitaire basé sur votre quantité.
Qté. RoHS Modèle de ECAO Technologie
Style de montage
Package/Boîte
Polarité du transistor
Configuration
Courant CC max. du collecteur
Collecteur - Tension de l'émetteur VCEO max.
Collecteur - Tension de base VCBO
Émetteur - Tension de base VEBO
Tension de saturation collecteur-émetteur
Pd - Dissipation d’énergie
Produit gain-bande passante fT
Température de fonctionnement min.
Température de fonctionnement max.
Série
Conditionnement
STMicroelectronics Transistors bipolaires - BJT NPN High Volt Power
Fiche technique
3.411En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Si Through Hole SOT-32-3 NPN Single 500 mA 450 V 5 V 1 V 40 W 20 MHz + 150 C BUX87 Tube
STMicroelectronics Transistors bipolaires - BJT PNP Audio Amplfier
Fiche technique
16.512En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Si Through Hole SOT-32-3 PNP Single 1.5 A 80 V 80 V 5 V 500 mV 1.25 W + 150 C BD140 Tube
STMicroelectronics Transistors bipolaires - BJT PNP Medium Power
Fiche technique
8.947En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Si Through Hole SOT-32-3 PNP Single 4 A 45 V 45 V 5 V 200 mV 36 W 3 MHz + 150 C BD438 Tube
STMicroelectronics Transistors bipolaires - BJT NPN Silicon Trnsistr
Fiche technique
2.810En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Si Through Hole SOT-32-3 NPN Single 1.5 A 45 V 45 V 5 V 500 mV 1.25 W + 150 C BD135 Tube
STMicroelectronics Transistors bipolaires - BJT NPN Medium Power +30VCEO +5VBEO
Fiche technique
3.616En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Si Through Hole SOT-32-3 NPN Single 3 A 30 V 60 V 5 V 1.1 V 12.5 W 100 MHz + 150 C 2SD882 Tube
STMicroelectronics Transistors bipolaires - BJT NPN Audio Amplifier
Fiche technique
5.248En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Si Through Hole SOT-32-3 NPN Single 1.5 A 45 V 45 V 5 V 500 mV 12.5 W + 150 C BD135 Tube
STMicroelectronics Transistors bipolaires - BJT PNP Audio Amplfier
Fiche technique
5.668En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Si Through Hole SOT-32-3 PNP Single 1.5 A 45 V 45 V 5 V 500 mV 1.25 W + 150 C BD136 Tube
STMicroelectronics Transistors bipolaires - BJT PNP Silicon Trnsistr
Fiche technique
2.145En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Si Through Hole SOT-32-3 PNP Single 1.5 A 45 V 45 V 5 V 500 mV 1.25 W + 150 C BD136 Tube
STMicroelectronics Transistors bipolaires - BJT PNP Audio Amplfier
Fiche technique
3.123En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Si Through Hole SOT-32-3 PNP Single 1.5 A 60 V 60 V 5 V 500 mV 1.25 W + 150 C BD138 Tube
STMicroelectronics Transistors bipolaires - BJT NPN Audio Amplifier
Fiche technique
6.690En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Si Through Hole SOT-32-3 NPN Single 1.5 A 80 V 80 V 5 V 500 mV 1.25 W + 150 C BD139 Tube
STMicroelectronics Transistors bipolaires - BJT NPN Silicon Trnsistr
Fiche technique
2.849En stock
6.00029/04/2026 attendu
Min. : 1
Mult. : 1

Si Through Hole SOT-32-3 NPN Single 1.5 A 80 V 80 V 5 V 500 mV 1.25 W + 150 C BD139 Tube
STMicroelectronics Transistors bipolaires - BJT NPN Silicon Trnsistr
Fiche technique
7.467En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Si Through Hole SOT-32-3 NPN Single 1.5 A 80 V 80 V 5 V 500 mV 1.25 W + 150 C BD139 Tube
STMicroelectronics Transistors bipolaires - BJT PNP Silicon Trnsistr
Fiche technique
6.008En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Si Through Hole SOT-32-3 PNP Single 1.5 A 80 V 80 V 5 V 500 mV 1.25 W + 150 C BD140 Tube
STMicroelectronics Transistors bipolaires - BJT NPN General Purpose
Fiche technique
1.854En stock
4.00025/03/2026 attendu
Min. : 1
Mult. : 1

Si Through Hole SOT-32-3 NPN Single 2 A 80 V 100 V 5 V 600 mV 25 W + 150 C BD237 Tube
STMicroelectronics Transistors bipolaires - BJT NPN Medium Power
Fiche technique
3.938En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Si Through Hole SOT-32-3 NPN Single 4 A 45 V 45 V 5 V 200 mV 36 W 3 MHz + 150 C BD437 Tube
STMicroelectronics Transistors bipolaires - BJT NPN Medium Power
Fiche technique
2.690En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Si Through Hole SOT-32-3 NPN Single 500 mA 300 V 300 V 3 V 500 mV 20.8 W + 150 C MJE340 Tube
STMicroelectronics Transistors bipolaires - BJT PNP Medium Power
Fiche technique
2.492En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Si Through Hole SOT-32-3 PNP Single 500 mA 300 V 300 V 3 V 500 mV 20.8 W + 150 C MJE350 Tube
STMicroelectronics Transistors bipolaires - BJT High voltage Fast-switching NPN
Fiche technique
1.344En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Si Through Hole SOT-32-3 NPN Single 1.5 A 400 V 9 V 1.5 V 40 W - 40 C + 150 C ST13003-K Bulk
STMicroelectronics Transistors bipolaires - BJT NPN Hi-Volt Fast Sw
Fiche technique
5.99725/02/2026 attendu
Min. : 1
Mult. : 1

Si SMD/SMT SOT-32-3 NPN Single 1.5 A 400 V 700 V 9 V 500 mV 40 W - 65 C + 150 C ST13003 Tube