STGW80H65DFB-4

STMicroelectronics
511-STGW80H65DFB-4
STGW80H65DFB-4

Fab. :

Description :
IGBTs Trench gate field-stop 650 V, 80 A high speed HB series IGBT

Modèle de ECAO:
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En stock: 258

Stock:
258 Expédition possible immédiatement
Délai usine :
14 Semaines Délai de production estimé en usine pour des quantités supérieures à celles indiquées.
Minimum : 1   Multiples : 1
Prix unitaire:
-,-- €
Ext. Prix:
-,-- €
Tarif est.:

Prix (EUR)

Qté. Prix unitaire
Ext. Prix
7,10 € 7,10 €
5,17 € 51,70 €
4,31 € 431,00 €
3,59 € 2.154,00 €

Attribut de produit Valeur d'attribut Sélectionner l'attribut
STMicroelectronics
Catégorie du produit: IGBTs
RoHS:  
Si
Through Hole
Single
650 V
1.6 V
- 20 V, 20 V
120 A
470 W
- 55 C
+ 175 C
STGW80H65DFB-4
Tube
Marque: STMicroelectronics
Pays d’assemblage: Not Available
Pays de diffusion: Not Available
Pays d'origine: CN
Type de produit: IGBT Transistors
Nombre de pièces de l'usine: 600
Sous-catégorie: IGBTs
Poids de l''unité: 4,430 g
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Attributs sélectionnés: 0

TARIC:
8541290000
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
8541290100
KRHTS:
8541299000
MXHTS:
85412999
ECCN:
EAR99