Toshiba Transistors bipolaires RF

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 Fab.
Description Fiche technique Disponibilité Prix (EUR) Filtrer les résultats dans le tableau par prix unitaire basé sur votre quantité.
Qté. RoHS Modèle de ECAO Série
Type de transistor
Technologie
Polarité du transistor
Fréquence de fonctionnement
Collecteur de courant continu/Gain hfe min de base
Collecteur - Tension de l'émetteur VCEO max.
Émetteur - Tension de base VEBO
Courant de collecteur continu
Température de fonctionnement min.
Température de fonctionnement max.
Configuration
Style de montage
Package/Boîte
Conditionnement
Toshiba Transistors bipolaires RF RF Bipolar Transistor .1A 900mW
Fiche technique
2.149En stock
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 3.000

MT3S113TU Bipolar SiGe NPN 11.2 GHz 200 5.3 V 600 mV 100 mA + 150 C Single SMD/SMT UFM-3 Reel, Cut Tape
Toshiba Transistors bipolaires RF Radio-frequency Bipolar Transistor
Fiche technique
2.865En stock
MouseReel disponible
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 3.000

2SC5108 Si Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Transistors bipolaires RF RF Device VHF/UHF 12V 150mW 13.5dB
Fiche technique
867En stock
MouseReel disponible
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 3.000

2SC5087 Bipolar Si NPN 8 GHz 120 12 V 3 V 80 mA - 55 C + 125 C Single SMD/SMT SMQ-4 Reel, Cut Tape, MouseReel