NXP MRF1K50N Série Transistors MOSFET RF

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 Fab.
Description Fiche technique Disponibilité Prix (EUR) Filtrer les résultats dans le tableau par prix unitaire basé sur votre quantité.
Qté. RoHS Modèle de ECAO Polarité du transistor
Technologie
Id - Courant continu de fuite
Vds - Tension de rupture drain-source
Fréquence de fonctionnement
Gain
Alimentation en sortie
Température de fonctionnement min.
Température de fonctionnement max.
Style de montage
Package/Boîte
Conditionnement
NXP Semiconductors Transistors MOSFET RF Wideband RF Power LDMOS Transistors, 1.8-500 MHz, 1500 W CW, 50 V
Fiche technique
41En stock
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 50

N-Channel Si 36 A 133 V 1.8 MHz to 500 MHz 23 dB 1.5 kW - 40 C + 150 C SMD/SMT OM-1230-4 Reel, Cut Tape
NXP Semiconductors Transistors MOSFET RF Wideband RF Power LDMOS Transistors, 1.8-500 MHz, 1500 W CW, 50 V
Fiche technique
Délai de livraison produit non stocké 10 Semaines
Min. : 50
Mult. : 50
Bobine: 50

N-Channel Si 36 A 133 V 1.8 MHz to 500 MHz 23 dB 1.5 kW - 40 C + 150 C SMD/SMT OM-1230G-4 Reel