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Ampleon Transistors MOSFET RF
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Transistors RF
Transistors MOSFET RF
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Technologie
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Vds - Tension de rupture drain-source
Rds On - Résistance drain-source
Fréquence de fonctionnement
Gain
Alimentation en sortie
Température de fonctionnement min.
Température de fonctionnement max.
Style de montage
Package/Boîte
Conditionnement
Dual N-Channel
N-Channel
Réinitialiser
GaN Si
GaN SiC
LDMOS
Si
Réinitialiser
1.4 uA
774 uA
100 mA
≤
≥
Réinitialiser
28 V
30 V
32 V
40 V
48 V
50 V
52 V
55 V
65 V
75 V
108 V
150 V
177 V
≤
≥
Réinitialiser
26 mOhms
30 mOhms
35 mOhms
40.5 mOhms
43 mOhms
45.5 mOhms
52.5 mOhms
54 mOhms
57.5 mOhms
60 mOhms
60 mOhms, 90 mOhms
69 mOhms
84 mOhms
90 mOhms
95 mOhms
100 mOhms
106 mOhms
107 mOhms
107 mOhms, 155 mOhms
110 mOhms
≤
≥
Réinitialiser
0 Hz to 3.5 GHz
2.5 Hz to 2.7 Hz
1 MHz to 400 MHz
1 MHz to 425 MHz
1 MHz to 450 MHz
1 MHz to 500 MHz
1 MHz to 650 MHz
30 MHz to 860 MHz
100 MHz to 2.7 GHz
400 MHz to 2.7 GHz
400 MHz to 800 MHz
400 MHz to 860 MHz
423 MHz to 443 MHz
520 MHz
600 MHz to 1 GHz
600 MHz to 800 MHz
600 MHz to 960 MHz
616 MHz to 960 MHz
617 MHz to 960 MHz
700 MHz
≤
≥
Réinitialiser
11 dB
12 dB
13 dB
14 dB
14.4 dB
14.5 dB
15 dB
15.7 dB
16 dB
17 dB
17.5 dB
17.6 dB
17.8 dB
18 dB
18.3 dB
18.4 dB
18.5 dB
18.6 dB
18.8 dB
19 dB
≤
≥
Réinitialiser
5 W
8 W
10 W
12 W
16 W
20 W
25 W
30 W
35 W
39.2 dBm
39.6 dBm
40 dBm
40.5 dBm
40.9 dBm
41.5 dBm
42 dBm
44 dBm
44.8 dBm
45.1 W
45.3 dBm
≤
≥
Réinitialiser
- 40 C
≤
≥
Réinitialiser
+ 120 C
+ 125 C
+ 150 C
+ 200 C
+ 225 C
+ 300 C
≤
≥
Réinitialiser
Screw Mount
SMD/SMT
Réinitialiser
ACC-1230-6F-2-7
ACC-1230-6F-3-7
ACC-1230-6G-2-7
DFN-6
LGA-20
LGA-34
OMP-1230-4F-1-5
OMP-1230-4G-1-5
OMP-1230-6F-1-7
OMP-1230-6F-2-7
OMP-400-8F-1-8
OMP-780-16G-1-16
OMP-780-4F-1-4
OMP-780-4F-1-5
OMP-780-4G-1-4
OMP-780-6F-1-7
QFN-20
QFN-36
SOT1121A-5
SOT-1121A-5
Réinitialiser
Cut Tape
MouseReel
Reel
Tray
Réinitialiser
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Polarité du transistor
Technologie
Id - Courant continu de fuite
Vds - Tension de rupture drain-source
Rds On - Résistance drain-source
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Gain
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Température de fonctionnement max.
Style de montage
Package/Boîte
Conditionnement
Transistors MOSFET RF BLS9G2731LS-400/SOT502/TRAY
BLS9G2731LS-400U
Ampleon
60:
235,57 €
Délai de livraison produit non stocké 16 Semaines
Fab. Numéro de référence
BLS9G2731LS-400U
Référence Mouser
94-BLS9G2731LS-400U
Ampleon
Transistors MOSFET RF BLS9G2731LS-400/SOT502/TRAY
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sur Ampleon bls9g2731l transistors
Fiche technique
Délai de livraison produit non stocké 16 Semaines
60
235,57 €
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60
Détails
N-Channel
LDMOS
65 V
30 mOhms
2.7 GHz to 3.1 GHz
13 dB
400 W
+ 225 C
SMD/SMT
SOT502B-3
Tray
Transistors MOSFET RF BLS9G2934L-400/SOT502/TRAY
BLS9G2934L-400U
Ampleon
60:
145,02 €
Délai de livraison produit non stocké 16 Semaines
Fab. Numéro de référence
BLS9G2934L-400U
Référence Mouser
94-BLS9G2934L-400U
Ampleon
Transistors MOSFET RF BLS9G2934L-400/SOT502/TRAY
Fiche technique
Délai de livraison produit non stocké 16 Semaines
60
145,02 €
120
Afficher
120
Devis
Acheter
Min. :
60
Mult. :
60
Détails
N-Channel
LDMOS
65 V
60 mOhms
2.9 GHz to 3.4 GHz
11 dB
400 W
+ 225 C
SMD/SMT
SOT502A-3
Tray
Transistors MOSFET RF BLS9G2934LS-400/SOT502/TRAY
BLS9G2934LS-400U
Ampleon
60:
133,42 €
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Fab. Numéro de référence
BLS9G2934LS-400U
Référence Mouser
94-BLS9G2934LS-400U
Ampleon
Transistors MOSFET RF BLS9G2934LS-400/SOT502/TRAY
Fiche technique
Délai de livraison produit non stocké 16 Semaines
60
133,42 €
120
Devis
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Devis
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60
Mult. :
60
Détails
N-Channel
LDMOS
65 V
60 mOhms
2.9 GHz to 3.4 GHz
11 dB
400 W
+ 225 C
SMD/SMT
SOT502B-3
Tray
Transistors MOSFET RF BLS9G3135LS-400/SOT502/TRAY
BLS9G3135LS-400U
Ampleon
60:
237,81 €
Délai de livraison produit non stocké 16 Semaines
Fab. Numéro de référence
BLS9G3135LS-400U
Référence Mouser
94-BLS9G3135LS-400U
Ampleon
Transistors MOSFET RF BLS9G3135LS-400/SOT502/TRAY
Fiche technique
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60
237,81 €
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Min. :
60
Mult. :
60
Détails
N-Channel
LDMOS
65 V
26 mOhms
3.1 GHz to 3.5 GHz
11 dB
400 W
+ 225 C
SMD/SMT
SOT502B-3
Tray
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