Analog Devices / Maxim Integrated Transistors bipolaires RF

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Description Fiche technique Disponibilité Prix (EUR) Filtrer les résultats dans le tableau par prix unitaire basé sur votre quantité.
Qté. RoHS Modèle de ECAO Série
Type de transistor
Technologie
Polarité du transistor
Fréquence de fonctionnement
Collecteur de courant continu/Gain hfe min de base
Collecteur - Tension de l'émetteur VCEO max.
Émetteur - Tension de base VEBO
Courant de collecteur continu
Température de fonctionnement min.
Température de fonctionnement max.
Configuration
Style de montage
Package/Boîte
Conditionnement
Analog Devices / Maxim Integrated Transistors bipolaires RF 3.6V, 1W RF Power Transistors for 900MHz
Fiche technique
202En stock
Min. : 1
Mult. : 1

MAX2601 Bipolar Power Si NPN 900 MHz 100 17 V 2.3 V 200 mA - 40 C + 85 C Single SMD/SMT SOIC-8 Tube
Analog Devices / Maxim Integrated Transistors bipolaires RF 3.6V, 1W RF Power Transistors for 900MHz
Fiche technique
179En stock
Min. : 1
Mult. : 1

MAX2602 Bipolar Power Si NPN 900 MHz 100 17 V 2.3 V 200 mA - 40 C + 85 C Single SMD/SMT SOIC-8 Tube
Analog Devices / Maxim Integrated Transistors bipolaires RF 3.6V, 1W RF Power Transistors for 900MHz
Fiche technique
Délai de livraison produit non stocké 10 Semaines
Min. : 2.500
Mult. : 2.500
Bobine: 2.500

MAX2601 Bipolar Power Si NPN 900 MHz 100 17 V 2.3 V 200 mA - 40 C + 85 C Single SMD/SMT SOIC-Narrow-8 Reel
Analog Devices / Maxim Integrated Transistors bipolaires RF 3.6V, 1W RF Power Transistors for 900MHz
Fiche technique
Délai de livraison produit non stocké 10 Semaines
Min. : 2.500
Mult. : 2.500
Bobine: 2.500

MAX2602 Bipolar Power Si NPN 900 MHz 100 17 V 2.3 V 200 mA - 40 C + 85 C Single SMD/SMT SOIC-8 Reel