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ADPA1116ACGZN

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N° Mouser :

584-ADPA1116ACGZN

N° de fab. :

ADPA1116ACGZN

Fab. :

Analog Devices

Description :

Amplificateur RF GaN Wideband Power Amplifier ICs

Fiche technique:

ADPA1116ACGZN Fiche technique

Modèle de ECAO:

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	Analog Devices Inc.
Catégorie du produit:	Amplificateur RF
Restrictions en matière d'expédition :	Mouser ne vend pas actuellement ce produit dans votre région.
RoHS:
Fréquence de fonctionnement:	300 MHz to 6 GHz
Tension d'alimentation de fonctionnement:	28 V
Gain:	32.5 dB
Type:	Power Amplifiers
Style de montage:	SMD/SMT
Package/Boîte:	LFCSP-32
Technologie:	GaN
Température de fonctionnement min.:	- 40 C
Température de fonctionnement max.:	+ 85 C
Série:	ADPA1116
Conditionnement:	Cut Tape
Marque:	Analog Devices
Kit de développement:	EVAL-ADPA1116
Sensibles à l’humidité:	Yes
Nombre de canaux:	1 Channel
Pd - Dissipation d’énergie :	28.7 W
Type de produit:	RF Amplifier
Nombre de pièces de l'usine:	500
Sous-catégorie:	Wireless & RF Integrated Circuits
Raccourcis pour l'article N°:	ADPA1116ACGZN-R7

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Fiche technique

ADPA1116ACGZN Fiche technique

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Codes de conformité

CAHTS:: 8542330000
USHTS:: 8542330001
MXHTS:: 8542330299
ECCN:: EAR99

Classifications d’origine

Pays d'origine:: Taïwan
Pays d'origine de l'assemblage:: Taïwan
Pays de diffusion:: États-Unis

Le pays est susceptible de changer au moment de l’expédition.

Amplificateurs de puissance GaN ADPA1116

Les amplificateurs de puissance GaN ADPA1116 d’Analog Devices sont dotés d’une puissance de sortie saturée (P_OUT) de 39,5 dBm, d’une efficacité de puissance ajoutée (PAE) de 40 % et d’un gain en puissance de 23,5 dB standard de 0,5 GHz à 5 GHz à une puissance d’entrée (P_IN) de 16,0 dBm. L’entrée et la sortie RF sont assorties en interne et couplées en courant alternatif. Une tension de polarisation de drain de 28 V est appliquée aux broches V_DD1 et V_DD2, qui disposent d’inducteurs de polarisation intégrés. Le courant de drain est réglé en appliquant une tension négative à la broche V_GG1. L’ADPA1116 est fabriqué à l’aide d’un procédé au nitrure de gallium (GaN) et est disponible dans un boîtier à l’échelle de la puce à 32 fils. Les ampères ADPA1116 d’ADI sont spécifiés pour une exploitation de -40 °C à +85 °C.