STMicroelectronics Transistors MOSFET RF

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 Fab.
Description Fiche technique Disponibilité Prix (EUR) Filtrer les résultats dans le tableau par prix unitaire basé sur votre quantité.
Qté. RoHS Modèle de ECAO Polarité du transistor
Technologie
Vds - Tension de rupture drain-source
Rds On - Résistance drain-source
Fréquence de fonctionnement
Gain
Alimentation en sortie
Température de fonctionnement max.
Style de montage
Package/Boîte
Conditionnement
STMicroelectronics Transistors MOSFET RF 40 W, 28 V, 2.7 to 3.6 GHz RF power LDMOS transistor
Fiche technique
Non stocké
Min. : 160
Mult. : 160
Bobine: 160

N-Channel Si 60 V 1 Ohms 3.6 GHz 14 dB 40 W + 200 C SMD/SMT A2-3 Reel
STMicroelectronics Transistors MOSFET RF 80 W, 28 V, 1.3 to 1.7 GHz RF power LDMOS transistor
Fiche technique
Non stocké
Min. : 160
Mult. : 160
Bobine: 160

N-Channel Si 65 V 1 Ohms 1.625 GHz 18 dB 80 W + 200 C SMD/SMT A2-3 Reel