35 Inductance, bobines d`arrêt et bobines

Résultats: 1.792
Sélectionner Image Référence Fab. Description Fiche technique Disponibilité Prix (EUR) Filtrer les résultats dans le tableau par prix unitaire basé sur votre quantité. Qté. RoHS Bobinage Tolérance Courant CC max. Style du raccordement Température de fonctionnement max. Qualification
Bourns Inductances de puissance - CMS Ind,2x1.6x0.8mm,0.56uH+/-20%,4.6A,shd AEC-Q200 3.364En stock
Min. : 1
Mult. : 1
: 2.000

560 nH 20 % SMD/SMT + 150 C AEC-Q200
Bourns Inductances de puissance - CMS Ind,2x1.6x0.8mm,0.68uH+/-20%,4A,shd AEC-Q200 1.314En stock
2.00007/10/2026 attendu
Min. : 1
Mult. : 1
: 2.000

680 nH 20 % 3.4 A SMD/SMT + 150 C AEC-Q200
Bourns Inductances de puissance - CMS Ind,2.5x2x0.8mm,2.2uH+/-20%,2.8A,shd AEC-Q200 4.930En stock
Min. : 1
Mult. : 1
: 2.000

2.2 uH 20 % 2.3 A SMD/SMT + 125 C AEC-Q200
Bourns Inductances de puissance - CMS Ind,2.5x2x0.8mm,0.33uH+/-20%,6.6A,shd AEC-Q200 1.690En stock
2.00006/10/2026 attendu
Min. : 1
Mult. : 1
: 2.000

330 nH 20 % 4.4 A SMD/SMT + 125 C AEC-Q200
Bourns Inductances de puissance - CMS Ind,2.5x2x0.8mm,0.47uH+/-20%,5.8A,shd AEC-Q200 2.432En stock
Min. : 1
Mult. : 1
: 2.000

470 nH 20 % 3.9 A SMD/SMT + 125 C AEC-Q200
Bourns Inductances de puissance - CMS Ind,2.5x2x0.8mm,0.68uH+/-20%,5.1A,shd AEC-Q200 4.004En stock
Min. : 1
Mult. : 1
: 2.000

680 nH 20 % 3.4 A SMD/SMT + 125 C AEC-Q200
Wurth Elektronik Inducteurs RF - CMS WE-KI 2.7nH 35Qfac 0805 0.08Ohms AEC-Q200 1.661En stock
Min. : 1
Mult. : 1
: 2.000

2.7 nH 0.2 nH 800 mA SMD/SMT + 110 C AEC-Q200
TE Connectivity / Holsworthy Inducteurs RF - CMS 4.7uH 1050mA 60MHz 1.613En stock
2.00007/12/2026 attendu
Min. : 1
Mult. : 1
: 500

4.7 uH 10 % 1.05 A SMD/SMT + 100 C
Bourns Inductances de puissance - CMS .47uH 20% 3.9A SMD Inductors 28.685En stock
Min. : 1
Mult. : 1
: 3.000

470 nH 20 % 3.9 A SMD/SMT + 125 C
Wurth Elektronik Inductances de puissance - CMS WE-PD2 5848 2.2uH 4.6A .041Ohm 4.252En stock
Min. : 1
Mult. : 1
: 1.500

2.2 uH 20 % 4.6 A SMD/SMT + 125 C
Wurth Elektronik Inducteurs RF - CMS WE-MI SMT 1206 33 uH 10% IR = 25 mA RDC = 0.9 Ohms 9.302En stock
6.00005/06/2026 attendu
Min. : 1
Mult. : 1
: 3.000

33 uH 10 % 25 mA SMD/SMT + 85 C
Wurth Elektronik Inductances de puissance - CMS WE-PMI 0805 10uH 20% 650mA DCR=625mOhms 5.752En stock
Min. : 1
Mult. : 1
: 3.000

10 uH 20 % 650 mA SMD/SMT + 125 C
Wurth Elektronik Bobines de charge sans fil WE-WPCC Transm Qi 6.5uH 3.0A .18OhmExt 278En stock
Min. : 1
Mult. : 1

6.5 uH 10 % + 105 C
Murata Electronics Inducteurs RF - CMS 3.7 NH 0.1% 27.525En stock
Min. : 1
Mult. : 1
: 10.000

3.7 nH 0.1 nH 1.95 A SMD/SMT + 125 C
Murata Electronics Inducteurs RF - CMS 5.6 NH +-.1NH 33.915En stock
Min. : 1
Mult. : 1
: 10.000

5.6 nH 0.1 nH 1.77 A SMD/SMT + 125 C
Murata Electronics Inducteurs RF - CMS 7.5 NH 2% 119.131En stock
Min. : 1
Mult. : 1
: 10.000

7.5 nH 2 % 1.7 A SMD/SMT + 125 C
TDK Inducteurs RF - CMS 1.6mm x 0.8mm x 0.8mm, -55 to +125 degC, 50mA, 1 H, 500mO 55.917En stock
36.00029/05/2026 attendu
Min. : 1
Mult. : 1
: 4.000

1 uH 20 % 50 mA SMD/SMT + 125 C
TDK Inducteurs RF - CMS 3.3uH 1.3ohms 30mA +/-5% Fer AEC-Q200 16.198En stock
Min. : 1
Mult. : 1
: 4.000

3.3 uH 5 % 30 mA SMD/SMT + 125 C AEC-Q200
TDK Inducteurs RF - Plombés 10uH 2200mA 18MHz HF-Choke Axial 10% 4.303En stock
Min. : 1
Mult. : 1
: 5.000

10 uH 10 % 2.25 A Axial + 125 C
TDK Inducteurs RF - Plombés HF-CHOKE BC 82 UH 5% 7.623En stock
Min. : 1
Mult. : 1
: 5.000

82 uH 5 % 390 mA Axial + 125 C
TDK Inducteurs RF - Plombés 10uH 2200mA 18MHz Radial LS=5mm 10% 5.121En stock
Min. : 1
Mult. : 1
: 2.000

10 uH 10 % 2.25 A Radial + 125 C
Pulse Electronics Inducteurs RF - CMS 18nH RDC=0.17OhmS 700mA 9.830En stock
Min. : 1
Mult. : 1
: 4.000

18 nH 2 % 700 mA SMD/SMT + 125 C
Pulse Electronics Inducteurs RF - CMS Chilisin RF inductor Wire Wound-STD 2.000En stock
Min. : 1
Mult. : 1
: 2.000

1 uH 5 % SMD/SMT + 125 C
Vishay / Dale Inducteurs RF - CMS 1.0uH 5% 12.093En stock
Min. : 1
Mult. : 1
: 2.000

1 uH 5 % 180 mA SMD/SMT + 125 C
Vishay / Dale Inducteurs RF - CMS 10uH 5% 6.260En stock
Min. : 1
Mult. : 1
: 2.000

10 uH 5 % 120 mA SMD/SMT + 125 C