Les plus récent(e)s SiC MOSFET
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Infineon Technologies MOSFET CoolSiC™ automobile 750 V G2
12.19.2025
12.19.2025
Conçus pour répondre aux exigences strictes des applications dédiées aux véhicules électriques (VE).
onsemi MOSFET NxT2023N065M3S EliteSiC
12.04.2025
12.04.2025
Présentent une faible capacité de sortie effective et une charge de grille ultra-faible.
Central Semiconductor MOSFET à canal N en carbure de silicium (SiC) de 1 700 V
11.20.2025
11.20.2025
These MOSFETS are designed for high-speed switching and fast reverse recovery applications.
ROHM Semiconductor MOSFET SiC à canal N de 750 V
10.17.2025
10.17.2025
Les dispositifs augmentent la fréquence de commutation, réduisant ainsi les condensateurs, les réacteurs et les autres composants requis.
Infineon Technologies MOSFET SiC G2 1 400 V CoolSiC™
10.09.2025
10.09.2025
Offre des performances thermiques améliorées, une densité de puissance accrue et une fiabilité améliorée.
Microchip Technology MOSFET SIC 1 200 V
09.25.2025
09.25.2025
Les MOSFET offrent une haute efficacité dans une solution plus légère et plus compacte avec des retards de commutation faibles.
IXYS MOSFET au carbure de silicium (SiC) IXSxNxL2Kx
09.19.2025
09.19.2025
Ces composants affichent une tension de blocage élevée avec une faible résistance à l'état passant [RDS(ON)].
IXYS MOSFET de puissance SiC 1 200 V IXSJxN120R1K
08.27.2025
08.27.2025
Tension de blocage pouvant atteindre 1 200 V avec une faible RDS(on) de 18 mΩ ou 36 mΩ.
ROHM Semiconductor MOSFET de puissance SiC canal N 1 700 V SCT2H12NWB
08.21.2025
08.21.2025
MOSFET SiC avec une tension de source de drain (VDSS) de 1 700 V et un courant de drain continu (ID) de 3,9 A.
onsemi MOSFET de puissance pont en H EliteSiC 650 V NXVF6532M3TG01
08.08.2025
08.08.2025
Offre une efficacité supérieure, une commutation rapide et des performances thermiques robustes.
ROHM Semiconductor MOSFET de puissance SiC à canal N SCT40xKWA
07.14.2025
07.14.2025
Offre 1 200 V VDS, une faible résistance à l'état passant, une vitesse élevée de commutation et un temps de récupération rapide.
Littelfuse MOSFET de puissance SiC 1 200 V IXSJxN120R1
06.23.2025
06.23.2025
Dispositifs haute performance conçus pour des applications de conversion d'énergie exigeantes.
Infineon Technologies MOSFET en carbure de silicium G2 de 750 V CooSiC™
06.03.2025
06.03.2025
MOSFETs qualifiés pour l’automobile et l’industrie avec une résistance à l’état passant drain-source maximale jusqu’à 78 mΩ.
onsemi MOSFET au carbure de silicium (SiC) NVBG050N170M1
05.22.2025
05.22.2025
Il dispose d'une résistance maximale RDS(ON) de 76 mΩ à 20 V et une tension de drain à source de 1 700 V.
APC-E Silicon Carbide (SiC) MOSFETs
05.06.2025
05.06.2025
Delivers high power, high frequency, and unmatched performance for demanding applications.
Wolfspeed MOSFET en carbure de silicium 1 700 V
04.17.2025
04.17.2025
Offrent une commutation plus élevée, une efficacité du système et une densité de puissance pour la conversion d'énergie de nouvelle génération.
IXYS MOSFET SiC IXSA80N120L2-7
03.06.2025
03.06.2025
Single-switch MOSFET that features 1200V, 30mΩ, 79A industrial-grade device in a TO263-7L package.
IXYS MOSFET SiC IXSA40N120L2-7
03.06.2025
03.06.2025
Single-switch MOSFET that features 1200V, 80mΩ, 41A industrial-grade device in a TO263-7L package.
onsemi MOSFET au carbure de silicium (SiC) NVH4L050N170M1
02.20.2025
02.20.2025
Permet des performances exceptionnelles avec une RDS(on) standard de 53 mΩ à VGS = 20 V.
onsemi MOSFET au carbure de silicium (SiC) NTBL032N065M3S
02.20.2025
02.20.2025
Conçu pour les applications à commutation rapide, offrant des performances fiables.
Central Semiconductor CDMS24783-120 N-Channel SiC MOSFET
02.18.2025
02.18.2025
Offers a 1200V drain-source voltage for high-speed switching and fast reverse recovery applications
IXYS MOSFET SiC IXSH40N120L2KHV
02.18.2025
02.18.2025
1200V, 80mΩ, and 41A MOSFET, recommended for use in industrial switch mode power supplies.
IXYS MOSFET SiC IXSH80N120L2KHV
02.18.2025
02.18.2025
1200V, 30mΩ, and 79A MOSFET, recommended for use in industrial switch mode power supplies.
SemiQ Dispositifs discrets GEN3 MOSFET SiC 1 200 V
01.02.2025
01.02.2025
Developed to increase performance and cut switching losses in high-voltage applications.
Navitas Semiconductor 650V Gen-3 Fast (G3F) SiC MOSFETs
09.06.2024
09.06.2024
Ideal for AI data center power supplies, EV charging, energy storage systems, and solar solutions.
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