Les plus récent(e)s Transistors JFET RF

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CEL Low Noise FETs & ICs
CEL Low Noise FETs & ICs
07.09.2023
Deliver exceptional noise performance even beyond 20GHz with high associated gains.
Qorvo pHEMT GaAs discret 1 600 µm QPD2060D
Qorvo pHEMT GaAs discret 1 600 µm QPD2060D
04.19.2022
Fournit 28 dBm de puissance de sortie à P1dB, un gain de 12 dB et un rendement de puissance ajoutée de 55 % à 1 dB.
Qorvo pHEMT GaAs discret 800 µm QPD2080D
Qorvo pHEMT GaAs discret 800 µm QPD2080D
04.19.2022
Fournit 29,5 dBm de puissance de sortie à P1dB, un gain de 11,5 dB et un rendement de puissance ajoutée de 56 % à 1 dB.
Qorvo pHEMT GaAs discret 1 200 µm QPD2120D
Qorvo pHEMT GaAs discret 1 200 µm QPD2120D
04.19.2022
Fournit 31 dBm de puissance de sortie à P1dB, un gain de 11,5 dB et un rendement de puissance ajoutée de 57 % à 1 dB.
Qorvo Phemt GaAs discret 1 600 µm QPD2160D
Qorvo Phemt GaAs discret 1 600 µm QPD2160D
04.19.2022
Fournit 32,5 dBm de puissance de sortie à P1dB, un gain de 10,4 dB et un rendement de puissance ajoutée de 63 % à 1 dB.
Qorvo Puce pHEMT GaAs discrète 180 µm QPD2018D
Qorvo Puce pHEMT GaAs discrète 180 µm QPD2018D
02.14.2022
Utilise le procédé de production pHEMT de puissance standard éprouvé de 0,25 µm de Qorvo.
Qorvo Puce pHEMT GaAs discrète 250 µm QPD2025D
Qorvo Puce pHEMT GaAs discrète 250 µm QPD2025D
02.14.2022
Développée à l'aide du procédé éprouvé de production pHEMT de puissance standard de 0,25 µm de Qorvo.
Qorvo Puce pHEMT GaAs discrète 400 µm QPD2040D
Qorvo Puce pHEMT GaAs discrète 400 µm QPD2040D
02.14.2022
Conçue à l'aide du procédé de production pHEMT de puissance standard éprouvé de 0,25 µm de Qorvo.
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