.hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

Les plus récent(e)s MOSFET

.catnav-wrapper { height: auto; overflow: visible; } .catalog-nav-tabs ul { white-space: normal; }

Filtres appliqués:

Aucune sélectionnée Retournez à l''onglet Produit pour modifier vos filtres actuels.

Toshiba MOSFET à canal N TPH2R70AR5

10.17.2025

- Idéal pour les convertisseurs CC-CC à haute efficacité, il est disponible dans un boîtier SOP Advance (N).

Toshiba MOSFET N-Channel 40V/80V/100V L-TOGL et S-TOGL AEC-Q

10.14.2024

- Logé dans un boîtier L-TOGL™ pour répondre à la demande croissante en batteries 48 V dans les équipements automobiles.

Toshiba MOSFET à canal N en silicium TKx

09.13.2024

- Disponibles en versions U-MOSX-H et DTMOSVI, caractéristiques de performance exceptionnelles.

Toshiba MOSFET à canal N au silicium TPH1400CQ5

09.10.2024

- MOSFET de puissance CMS à 8 broches conçu avec le procédé de fabrication à tranchée de génération U-MOSX-H.

Toshiba MOSFET à canal N au silicium TPH1100CQ5

08.12.2024

- Dispose d’un MOSFET de puissance CMS à 8 broches conçu avec un processus de tranchée de génération U-MOSX-H.

Toshiba MOSFET à canal N au silicium UMOS9-H

05.13.2024

- Idéal pour les convertisseurs CC-CC à haut rendement, les régulateurs de tension à découpage, les pilotes de moteur .

Toshiba MOSFET SSM14N956L

06.09.2023

- Dispose d'une faible résistance à l'enclenchement source-source et est compatible avec la directive RoHS.

Toshiba MOSFET automobile 40 V 400 A XPQR3004PB

02.13.2023

- Offre une RDS(ON) de 0,23 mΩ (standard) et unetension de seuil (Vth) de 2 V à 3 V, avec une capacité de 400 A.

Toshiba MOSFET à canal N en silicium TPH9R00CQH

03.23.2022

- Offrent une commutation à haut débit avec une petite sortie et une faible charge de grille dans un boîtier SOP-8.

Toshiba Pilote de grille + MOSFET pour multiplexeur de puissance de ligne de 5 V à 24 V

03.11.2022

- Répond à une variété de défis présents dans le multiplexage de puissance et prend en charge les lignes électriques 5 V à 24 V.

Consulter : 1 - 10 sur 10

Filtrer par :

IXYS X4-Class Power MOSFETs

02.02.2026

- Offer low on-state resistance and conduction losses, with improved efficiency.

onsemi MOSFET de puissance à canal N 80 V NVBYST0D6N08X

12.26.2025

- Ce dispositif offre un faible QRR et une diode de corps à récupération progressive dans un boîtier TCPAK1012 (TopCool).

Infineon Technologies MOSFET de puissance OptiMOS™ 6 80 V

12.23.2025

- Définit les performances de référence du secteur grâce à une large offre de portefeuille.

onsemi MOSFET N voies double NVMFD5877NL

12.19.2025

- Conçu pour des conceptions compactes et efficaces, incluant des performances thermiques élevées.

onsemi MOSFET à canal P basse/moyenne tension NTTFS007P02P8

11.25.2025

- Conçu avec la technologie PowerTrench pour des performances de commutation avec une RDS(on) extrêmement faible et une grande robustesse.

onsemi MOSFET à petit signal FDC642P-F085

11.25.2025

- Doté d’une technologie à tranchées haute performance pour une RDS(on) extrêmement faible et d’une vitesse de commutation rapide.

iDEAL Semiconductor iS20M028S1C SuperQ™ 200V N-Ch Power MOSFETs

11.24.2025

- Designed for SMPS and high-efficiency motor drives in a robust PDFN package measuring 5mm x 6mm.

onsemi MOSFET de puissance monocanal N NVD5867NL

11.20.2025

- Il présente une tension drain-source de 60 V et une résistance drain-source de 39 mΩ et est homologué AEC-Q101.

onsemi MOSFET à canal N unique NVD6824NL

11.20.2025

- Affichent une RDS(on) faible pour minimiser les pertes de conduction et supportent des courants élevés.

onsemi MOSFET de puissance monocanal N NVMFS5832NL

11.19.2025

- MOSFET à hautes performances conçu pour les applications à basse tension nécessitant une commutation d’énergie efficace.

onsemi MOSFET de puissance monocanal N NVMFS5830NL

11.19.2025

- MOSFET de puissance à canal N unique haute efficacité conçu pour des applications exigeantes de gestion de l'alimentation.

Diodes Incorporated MOSFET E-Mode à double canal N DMTH64M2LPDW

10.31.2025

- Intègre deux MOSFET dans un boîtier unique PowerDI ® de 5 mm x 6 mm avec d'excellentes performances thermiques.

Diodes Incorporated Transistors à effet de champ 2N7002 de type N en mode E

10.31.2025

- Offre des performances de commutation rapides avec une faible charge de grille et une tension drain-source maximale de 60 V.

Diodes Incorporated MOSFET à mode d'amélioration à canal N DMN1057UCA3

10.21.2025

- Offre des performances de commutation supérieures, ce qui est idéal pour les applications de gestion de l'énergie à haut rendement.

Toshiba MOSFET à canal N TPH2R70AR5

10.17.2025

- Idéal pour les convertisseurs CC-CC à haute efficacité, il est disponible dans un boîtier SOP Advance (N).

ROHM Semiconductor MOSFET de puissance automobile RD3x

10.16.2025

- MOSFET AEC-Q101 avec tension directe faible, temps de récupération rapide et capacité de surtension élevée.

onsemi MOSFET de puissance monocanal P NTK3139P

10.14.2025

- Il est livré dans un boîtier avec une empreinte réduite de 44 % et est 38 % plus fin qu'un boîtier SC-89.

onsemi MOSFET de puissance monocanal N NVNJWS200N031L

10.14.2025

- Le dispositif présente une faible résistance RDS(on) et un faible seuil de tension de grille, et est disponible avec un flanc mouillable.

IXYS MOSFET de puissance 200 V de classe X4 MMIX1T500N20X4

10.08.2025

- Le boîtier isolé à base de céramique améliore la Rth(j-s) globale ainsi que la capacité de traitement de puissance.

onsemi MOSFET basse/moyenne tension T10

10.06.2025

- MOSFET monocanal N unique en 40 V et 80 V avec des performances rehaussées et une efficacité système améliorée.

Infineon Technologies MOSFET de puissance 40 V optimisés OptiMOS™ 7

10.02.2025

- Propose des solutions sur mesure pour une conversion d'énergie efficace dans les moteurs, les outils électriques et les outils de jardinage.

Infineon Technologies MOSFET de puissance OptiMOS™ 7 canal N

09.30.2025

- Transistors à canal N haute performance conçus pour les applications de conversion d'énergie exigeantes.

Nexperia MOSFET canal N BUK7Q dans boîtier MLPAK33-WF

09.29.2025

- Utilise la technologie Trench 9, répond aux exigences AEC-Q101.

Nexperia MOSFET à tranchée et canal N BUK9Q

09.09.2025

- Compatible aux niveaux logiques, commutation rapide et entièrement homologuée pour l'automobile selon la norme AEC-Q101 à 175 °C.

onsemi MOSFET de puissance monocanal N NTK3134N

09.08.2025

- MOSFET de puissance monocanal N de 20 V, 890 mA robustes optimisés pour des applications de commutation à haut rendement.

Consulter : 1 - 25 sur 322

Les plus récent(e)s MOSFET

Filtrer par :

Bureau du Service Client

Société

Ressources

Assistance