.hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

Panjit Les plus récent(e)s Transistors

.catnav-wrapper { height: auto; overflow: visible; } .catalog-nav-tabs ul { white-space: normal; }

Types de Transistors

Liste Images

Filtres appliqués:

Fabricant = Panjit Retournez à l''onglet Produit pour modifier vos filtres actuels.

PANJIT 50V Enhancement Mode MOSFETs

06.09.2025

- These MOSFETs have advanced Trench process technology and offer a low RDS(ON).

PANJIT 60V Automotive P-Channel MOSFETs

04.21.2025

- Advanced trench process technology minimizes RDS(ON) while maximizing avalanche ruggedness.

PANJIT 80V & 100V Shield Gate Trench N-Channel MOSFETs

02.17.2025

- Shield gate trench (SGT) MOSFETs featuring a low RDS(ON) and a high switching speed.

PANJIT PSMB033N10NS2 100V N-Channel MOSFET

09.04.2024

- Features a high switching speed and low reverse transfer capacitance.

PANJIT 60/100/150V Automotive-Grade MOSFETs

09.03.2024

- Family of 60V, 100V, and 150V AEC-Q101 qualified MOSFETs.

PANJIT 150V N-Channel Automotive MOSFETs

08.29.2024

- Optimized to have excellent FOM and AEC-Q101 qualified with standard-level gate drive.

PANJIT 150V N-Channel Enhancement-Mode MOSFETs

08.29.2024

- Features a high switching speed and operates from 4A to 125A continuous drain current.

PANJIT PJQx43 30V P-Channel Enhancement Mode MOSFETs

06.20.2024

- Reliable and rugged MOSFETs with ±25V gate-source voltage and -55°C to 150°C operating temperature.

PANJIT PJQx 30V N-Channel Enhancement Mode MOSFETs

06.20.2024

- Designed with logic level gate drive and are ideal for automotive applications.

PANJIT PTGH High-Speed 650V Field Stop Trench IGBTs

04.12.2024

- Offer superior high-speed switching capabilities with a low saturation voltage of 1.65V at TVJ 25°C.

PANJIT MMDT2222ATB6-AU Dual Surface Mount NPN Transistor

04.11.2024

- AEC-Q101-qualified electrically isolated dual NPN switching transistor.

PANJIT MMBT5551W NPN Silicon High-Voltage Transistors

11.10.2023

- Offer a collector-emitter voltage (VCE) of 160V and a collector current (IC) rating of 600mA.

PANJIT PJDx0P03E-AU P-Channel Enhancement Mode MOSFETs

10.16.2023

- Feature a -30V drain-source voltage, ±25V gate-source voltage, and 3W power dissipation @TC=25°C.

PANJIT PJQ5839E-AU Dual P-Channel Enhancement Mode MOSFET

10.16.2023

- Features a -30V drain-source voltage, ±25V gate-source voltage, and 30W power dissipation @TC=25°C.

PANJIT 100V N-Channel Enhancement Mode MOSFETs

08.15.2023

- Feature low RDS(ON) and high switching speed.

PANJIT 40V Enhancement Mode MOSFETs

06.06.2023

- Low-voltage MOSFETs with an on-resistance of under 1Ω.

PANJIT 60V N-Channel Enhancement Mode MOSFETs

05.30.2023

- Offers a low reverse transfer capacitance in an AEC-Q101-qualified, DFN5060-8L package.

PANJIT PSMxN08NS1 N-Channel Enhancement Mode MOSFETs

11.16.2022

- Utilize Trench technology to improve the product characteristics.

PANJIT 60V P-Channel Enhancement Mode MOSFETs

07.08.2022

- Features advanced Trench Process technology and optimized for use as relay drivers and line drivers.

Consulter : 1 - 19 sur 19

Filtrer par :

TDK-Lambda Modules MOSFET à joint torique i1R

02.05.2026

- Dispositifs de puissance à haute efficacité et faible perte conçus pour remplacer les diodes traditionnelles.

IXYS MOSFET de puissance X4-Class

02.02.2026

- Ils offrent une faible résistance à l'état passant et des pertes de conduction, avec une efficacité améliorée.

Qorvo Transistors au GaN avec adaptation d’entrée QPD1014A

01.20.2026

- Transistors discrets HEMT GaN sur SiC avec adaptation d’entrée 50 Ω, 15 W (P 3dB), et fonctionnant de 30 MHz à 1,2 GHz.

Qorvo Transistors GaN avec adaptation d'entrée QPD1011A

01.19.2026

- Transistor HEMT discret technologie GaN-sur-SiC avec adaptation d’entrée 50 Ω, 7 W (P3 dB), fonctionnant de 30 MHz à 1,2 GHz.

Qorvo Transistors au GaN avec adaptation d'entrée QPD1004A

01.19.2026

- Le transistor discret au nitrure de gallium sur carbure de silicium à haute mobilité d'éléctrons (HEMT GaN sur SiC), 25 W, avec adaptation d'entrée 50 Ω, fonctionne de 30 MHz à 1 400 MHz sur un rail d’alimentation de 50 V.

onsemi MOSFET de puissance à canal N 80 V NVBYST0D6N08X

12.26.2025

- Ce dispositif offre un faible QRR et une diode de corps à récupération progressive dans un boîtier TCPAK1012 (TopCool).

Infineon Technologies MOSFET de puissance OptiMOS™ 6 80 V

12.23.2025

- Définit les performances de référence du secteur grâce à une large offre de portefeuille.

Infineon Technologies MOSFET CoolSiC™ automobile 750 V G2

12.19.2025

- Conçus pour répondre aux exigences strictes des applications dédiées aux véhicules électriques (VE).

onsemi MOSFET N voies double NVMFD5877NL

12.19.2025

- Conçu pour des conceptions compactes et efficaces, incluant des performances thermiques élevées.

onsemi MOSFET NxT2023N065M3S EliteSiC

12.04.2025

- Présentent une faible capacité de sortie effective et une charge de grille ultra-faible.

STMicroelectronics Transistor PowerGaN e-mode SGT080R70ILB

12.04.2025

- Le transistor E-Mode PowerGaN conçu pour des applications de conversion d’énergie à haute efficacité.

Infineon Technologies Transistors discrets 750 V TRENCHSTOP™ IGBT7 H7

12.01.2025

- Le boîtier DTO247 remplace plusieurs transistors à faible courant dans des boîtiers TO247 connectés en parallèle.

onsemi MOSFET à petit signal FDC642P-F085

11.25.2025

- Doté d’une technologie à tranchées haute performance pour une RDS(on) extrêmement faible et d’une vitesse de commutation rapide.

onsemi MOSFET à canal P basse/moyenne tension NTTFS007P02P8

11.25.2025

- Conçu avec la technologie PowerTrench pour des performances de commutation avec une RDS(on) extrêmement faible et une grande robustesse.

iDEAL Semiconductor iS20M028S1C SuperQ™ 200V N-Ch Power MOSFETs

11.24.2025

- Designed for SMPS and high-efficiency motor drives in a robust PDFN package measuring 5mm x 6mm.

Central Semiconductor MOSFET à canal N en carbure de silicium (SiC) de 1 700 V

11.20.2025

- These MOSFETS are designed for high-speed switching and fast reverse recovery applications.

onsemi MOSFET à canal N unique NVD6824NL

11.20.2025

- Affichent une RDS(on) faible pour minimiser les pertes de conduction et supportent des courants élevés.

onsemi MOSFET de puissance monocanal N NVD5867NL

11.20.2025

- Il présente une tension drain-source de 60 V et une résistance drain-source de 39 mΩ et est homologué AEC-Q101.

onsemi MOSFET de puissance monocanal N NVMFS5830NL

11.19.2025

- MOSFET de puissance à canal N unique haute efficacité conçu pour des applications exigeantes de gestion de l'alimentation.

onsemi MOSFET de puissance monocanal N NVMFS5832NL

11.19.2025

- MOSFET à hautes performances conçu pour les applications à basse tension nécessitant une commutation d’énergie efficace.

onsemi IGBT AFGB30T65RQDN

11.19.2025

- Offre un coefficient de mérite élevé avec de faibles pertes de conduction et de commutation.

STMicroelectronics Transistor PowerGaN e-mode SGT070R70HTO

11.07.2025

- Construit sur la technologie GaN et conçu pour des applications exigeantes de conversion d'énergie.

Comchip Technology AMMBT2907AM PNP Automotive Small Signal Transistor

10.31.2025

- The device has a -60V collector-base voltage rating & a -600mA collector current-continuous rating.

Comchip Technology AMMBT2222AM NPN Automotive Small Signal Transistor

10.31.2025

- The device has a 75V collector-base voltage rating and a 600mA collector current-continuous rating.

Diodes Incorporated MOSFET E-Mode à double canal N DMTH64M2LPDW

10.31.2025

- Intègre deux MOSFET dans un boîtier unique PowerDI ® de 5 mm x 6 mm avec d'excellentes performances thermiques.

Consulter : 1 - 25 sur 637

Panjit Les plus récent(e)s Transistors

Types de Transistors

Filtrer par :

Bureau du Service Client

Société

Ressources

Assistance