Les plus récent(e)s Transistors

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IXYS X4-Class Power MOSFETs
IXYS X4-Class Power MOSFETs
02.02.2026
Offer low on-state resistance and conduction losses, with improved efficiency.
Qorvo Transistors au GaN avec adaptation d’entrée QPD1014A
Qorvo Transistors au GaN avec adaptation d’entrée QPD1014A
01.20.2026
Transistors discrets HEMT GaN sur SiC avec adaptation d’entrée 50 Ω, 15 W (P 3dB), et fonctionnant de 30 MHz à 1,2 GHz.
Qorvo Transistors GaN avec adaptation d'entrée QPD1011A
Qorvo Transistors GaN avec adaptation d'entrée QPD1011A
01.19.2026
Transistor HEMT discret technologie GaN-sur-SiC avec adaptation d’entrée 50 Ω, 7 W (P3 dB), fonctionnant de 30 MHz à 1,2 GHz.
Qorvo Transistors au GaN avec adaptation d'entrée QPD1004A
Qorvo Transistors au GaN avec adaptation d'entrée QPD1004A
01.19.2026
Le transistor discret au nitrure de gallium sur carbure de silicium à haute mobilité d'éléctrons (HEMT GaN sur SiC), 25 W, avec adaptation d'entrée 50 Ω, fonctionne de 30 MHz à 1 400 MHz sur un rail d’alimentation de 50 V.
onsemi MOSFET de puissance à canal N 80 V NVBYST0D6N08X
onsemi MOSFET de puissance à canal N 80 V NVBYST0D6N08X
12.26.2025
Ce dispositif offre un faible QRR et une diode de corps à récupération progressive dans un boîtier TCPAK1012 (TopCool).
Infineon Technologies MOSFET de puissance OptiMOS™ 6 80 V
Infineon Technologies MOSFET de puissance OptiMOS™ 6 80 V
12.23.2025
Définit les performances de référence du secteur grâce à une large offre de portefeuille.
Infineon Technologies MOSFET CoolSiC™ automobile 750 V G2
Infineon Technologies MOSFET CoolSiC™ automobile 750 V G2
12.19.2025
Conçus pour répondre aux exigences strictes des applications dédiées aux véhicules électriques (VE).
onsemi MOSFET N voies double NVMFD5877NL
onsemi MOSFET N voies double NVMFD5877NL
12.19.2025
Conçu pour des conceptions compactes et efficaces, incluant des performances thermiques élevées.
STMicroelectronics Transistor PowerGaN e-mode SGT080R70ILB
STMicroelectronics Transistor PowerGaN e-mode SGT080R70ILB
12.04.2025
Le transistor E-Mode PowerGaN conçu pour des applications de conversion d’énergie à haute efficacité.
onsemi MOSFET NxT2023N065M3S EliteSiC
onsemi MOSFET NxT2023N065M3S EliteSiC
12.04.2025
Présentent une faible capacité de sortie effective et une charge de grille ultra-faible.
Infineon Technologies Transistors discrets 750 V TRENCHSTOP™ IGBT7 H7
Infineon Technologies Transistors discrets 750 V TRENCHSTOP™ IGBT7 H7
12.01.2025
Le boîtier DTO247 remplace plusieurs transistors à faible courant dans des boîtiers TO247 connectés en parallèle.
onsemi MOSFET à petit signal FDC642P-F085
onsemi MOSFET à petit signal FDC642P-F085
11.25.2025
Doté d’une technologie à tranchées haute performance pour une RDS(on) extrêmement faible et d’une vitesse de commutation rapide.
onsemi MOSFET à canal P basse/moyenne tension NTTFS007P02P8
onsemi MOSFET à canal P basse/moyenne tension NTTFS007P02P8
11.25.2025
Conçu avec la technologie PowerTrench pour des performances de commutation avec une RDS(on) extrêmement faible et une grande robustesse.
iDEAL Semiconductor iS20M028S1C SuperQ™ 200V N-Ch Power MOSFETs
iDEAL Semiconductor iS20M028S1C SuperQ™ 200V N-Ch Power MOSFETs
11.24.2025
Designed for SMPS and high-efficiency motor drives in a robust PDFN package measuring 5mm x 6mm.
onsemi MOSFET à canal N unique NVD6824NL
onsemi MOSFET à canal N unique NVD6824NL
11.20.2025
Affichent une RDS(on) faible pour minimiser les pertes de conduction et supportent des courants élevés.
Central Semiconductor MOSFET à canal N en carbure de silicium (SiC) de 1 700 V
Central Semiconductor MOSFET à canal N en carbure de silicium (SiC) de 1 700 V
11.20.2025
These MOSFETS are designed for high-speed switching and fast reverse recovery applications.
onsemi MOSFET de puissance monocanal N NVD5867NL
onsemi MOSFET de puissance monocanal N NVD5867NL
11.20.2025
Il présente une tension drain-source de 60 V et une résistance drain-source de 39 mΩ et est homologué AEC-Q101.
onsemi MOSFET de puissance monocanal N NVMFS5832NL
onsemi MOSFET de puissance monocanal N NVMFS5832NL
11.19.2025
MOSFET à hautes performances conçu pour les applications à basse tension nécessitant une commutation d’énergie efficace.
onsemi IGBT AFGB30T65RQDN
onsemi IGBT AFGB30T65RQDN
11.19.2025
Offre un coefficient de mérite élevé avec de faibles pertes de conduction et de commutation.
onsemi MOSFET de puissance monocanal N NVMFS5830NL
onsemi MOSFET de puissance monocanal N NVMFS5830NL
11.19.2025
MOSFET de puissance à canal N unique haute efficacité conçu pour des applications exigeantes de gestion de l'alimentation.
STMicroelectronics Transistor PowerGaN e-mode SGT070R70HTO
STMicroelectronics Transistor PowerGaN e-mode SGT070R70HTO
11.07.2025
Construit sur la technologie GaN et conçu pour des applications exigeantes de conversion d'énergie.
Comchip Technology AMMBT2907AM PNP Automotive Small Signal Transistor
Comchip Technology AMMBT2907AM PNP Automotive Small Signal Transistor
10.31.2025
The device has a -60V collector-base voltage rating & a -600mA collector current-continuous rating.
Diodes Incorporated MOSFET E-Mode à double canal N DMTH64M2LPDW
Diodes Incorporated MOSFET E-Mode à double canal N DMTH64M2LPDW
10.31.2025
Intègre deux MOSFET dans un boîtier unique PowerDI ® de 5 mm x 6 mm avec d'excellentes performances thermiques.
Diodes Incorporated Transistors à effet de champ 2N7002 de type N en mode E
Diodes Incorporated Transistors à effet de champ 2N7002 de type N en mode E
10.31.2025
Offre des performances de commutation rapides avec une faible charge de grille et une tension drain-source maximale de 60 V.
Comchip Technology AMMBT2222AM NPN Automotive Small Signal Transistor
Comchip Technology AMMBT2222AM NPN Automotive Small Signal Transistor
10.31.2025
The device has a 75V collector-base voltage rating and a 600mA collector current-continuous rating.
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