Les plus récent(e)s Semiconducteurs discrets

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Types de Semiconducteurs discrets

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Diotec Semiconductor BZX84B3V6 SMD Planar Zener Diode

02.03.2026

- Offers a sharp Zener voltage breakdown and a low leakage current.

Diotec Semiconductor LDP02-26CAYD2-AQ SMD TVS Diode

11.24.2025

- Offers 6600 W peak power, fast response, and ISO-16750-2 load-dump test compliance.

Diotec Semiconductor BZT52C39-AQ SMD Planar Zener Diode

11.20.2025

- Provides accurate voltage regulation with low leakage current and is AEC-Q101 qualified.

Diotec Semiconductor BC846B-Q SMD General-Purpose NPN Transistor

05.15.2025

- Features three current gain groups in a SOT-23 package and complies with RoHS and REACH.

Diotec Semiconductor BZX84B6V2-AQ SMD Planar Zener Diode

04.24.2025

- Features low leakage current and ±2% tolerance for stable voltage regulation.

Diotec Semiconductor Automotive Advanced Trench Technology MOSFETs

03.05.2025

- Enhances performance by providing fast switching times and low total gate charge.

Diotec Semiconductor BC817K General-Purpose NPN Transistor

01.31.2025

- AEC-Q101-qualified device with three current-gain selections, ideal for signal processing.

Diotec Semiconductor TPSMF4Lx SMD Transient Voltage Suppressor Diodes

01.24.2025

- Offer a very fast response time and 400W peak pulse power in a low-profile package.

Diotec Semiconductor DI022N20PQ-AQ N-Channel Power MOSFET

01.13.2025

- Offers 200V rating and 22A current, with 100% avalanche tested and AEC-Q101 qualified performance.

Diotec Semiconductor BC846PN General-Purpose NPN+PNP Transistor

01.13.2025

- Features two complementary transistors in 1 package, ideal for signal processing and amplification.

Diotec Semiconductor ESDB70W-AQ ESD Protection Diode

01.13.2025

- Features 150W peak pulse power dissipation with bidirectional clamping.

Diotec Semiconductor MMDT521LW SMD Digital NPN Transistor

01.13.2025

- Designed for cost and space savings by integrating bias resistor combinations.

Diotec Semiconductor DI022P06D1-AQ P-Channel Power MOSFET

01.13.2025

- Provides -60V rating and -22A current with advanced trench technology and fast switching times.

Diotec Semiconductor BAS16WH-AQ SMD Small Signal Diode

01.13.2025

- Offers 100V reverse voltage and high-speed switching with a recovery time of up to 4ns.

Diotec Semiconductor BCX56 SMD General-Purpose NPN Transistor

01.13.2025

- Offers high collector current, low saturation voltage, and two current gain groups.

Diotec Semiconductor MUR1620CT Superfast Recovery Rectifier

01.13.2025

- Offers very low reverse recovery time and low forward voltage drop.

Diotec Semiconductor DI2A8N03PWK2-AQ Dual N-Channel Power MOSFET

01.13.2025

- Features dual MOSFETs with a protected gate and a powerQFN 2x2-dual space-saving package.

Diotec Semiconductor DI065N08D1-AQ N-Channel Power MOSFET

01.13.2025

- Provides 80V drain-source voltage with advanced trench technology and logic-level gate drive.

Diotec Semiconductor P6SMB200x SMD Transient Voltage Suppressor Diodes

01.13.2025

- Feature 600W peak pulse power (10µs/1000µs waveform) and very fast response time.

Diotec Semiconductor DI005C04PTK-AQ N+P Channel Power MOSFET

01.13.2025

- Offers low on-state resistance and fast switching, with AEC-Q101 qualified performance.

Diotec Semiconductor SI20C065x SiC Schottky Diodes

10.04.2024

- High-speed, high-voltage rectification diodes ideal for commercial/industrial-grade applications.

Diotec Semiconductor DIF065SIC0x0 Silicon Carbide (SiC) MOSFETs

07.26.2024

- Offers fast switching times and reduced noise levels in a SiC-wide bandgap material.

Diotec Semiconductor DIWOx Fast Switching IGBT Transistors

04.24.2024

- Include a reverse diode and use Trench and Fieldstop technology in a TO-247 package.

Diotec Semiconductor TPSMA6L TVS Diodes

03.17.2023

- Feature low profile package and 600W peak pulse power (10µs/1000µs waveform) dissipation.

Diotec Semiconductor P4SMA Transient Voltage Suppressors

03.17.2023

- Feature uni- and bi-directional versions, 400W of peak pulse power, and fast response time.

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Taiwan Semiconductor TESDA1L2B17P1Q1 ESD Protection Diode

02.19.2026

- Safeguards power interfaces, control lines, or low‑speed data lines within electronic systems.

Semtech TDS5311P SurgeSwitch™ 1-Line 53V EOS Protection IC

02.18.2026

- Provides high-energy EOS protection with superior temperature and clamping characteristics.

Vishay Redresseurs haute tension CMS SE45124/SE50124

02.17.2026

- Ces dispositifs disposent d'une excellente dissipation de chaleur et d'une capacité de courant de surtension élevée.

Vishay Pont redresseur en ligne simple KBPE0480

02.16.2026

- Ces dispositifs ont une faible chute de tension directe et sont disponibles en boîtier KBP.

Vishay Redresseurs CMS SE050N6/SE080N6/SE100N6/SE120N6

02.10.2026

- Ces dispositifs sont disponibles dans un boîtier à profil mince, avec une hauteur standard de seulement 0,88 mm.

Littelfuse Thyristor simple CMA160E1600HF

02.06.2026

- Dispositif haute performance de 160 A, 1 600 V doté d’une structure de puce planaire et passivée dans un boîtier PLUS247.

TDK-Lambda Modules MOSFET à joint torique i1R

02.05.2026

- Dispositifs de puissance à haute efficacité et faible perte conçus pour remplacer les diodes traditionnelles.

Vishay High Current Density/Voltage Schottky Rectifiers

02.03.2026

- Delivers robust performance for demanding power‑conversion applications.

Vishay Diodes de puissance SCHOTTKY en carbure de silicium

02.03.2026

- Offrent une efficacité, une robustesse et une fiabilité exceptionnelles dans les applications exigeantes d’électronique de puissance.

Vishay SE30CLJ Surface-Mount High Voltage Rectifiers

02.03.2026

- Engineered for robust performance in demanding power conversion applications.

Diotec Semiconductor BZX84B3V6 SMD Planar Zener Diode

02.03.2026

- Offers a sharp Zener voltage breakdown and a low leakage current.

Vishay SE40CLJ Surface-Mount High Voltage Rectifiers

02.03.2026

- Designed for demanding power conversion applications

IXYS MOSFET de puissance X4-Class

02.02.2026

- Ils offrent une faible résistance à l'état passant et des pertes de conduction, avec une efficacité améliorée.

Qorvo Transistors au GaN avec adaptation d’entrée QPD1014A

01.20.2026

- Transistors discrets HEMT GaN sur SiC avec adaptation d’entrée 50 Ω, 15 W (P 3dB), et fonctionnant de 30 MHz à 1,2 GHz.

IXYS Diodes haute tension et à récupération rapide DP

01.20.2026

- Diodes SCHOTTKY de 600 V ou 1 200 V avec un courant de fuite inverse faible et un temps de récupération rapide.

Qorvo Transistors GaN avec adaptation d'entrée QPD1011A

01.19.2026

- Transistor HEMT discret technologie GaN-sur-SiC avec adaptation d’entrée 50 Ω, 7 W (P3 dB), fonctionnant de 30 MHz à 1,2 GHz.

Qorvo Transistors au GaN avec adaptation d'entrée QPD1004A

01.19.2026

- Le transistor discret au nitrure de gallium sur carbure de silicium à haute mobilité d'éléctrons (HEMT GaN sur SiC), 25 W, avec adaptation d'entrée 50 Ω, fonctionne de 30 MHz à 1 400 MHz sur un rail d’alimentation de 50 V.

Littelfuse Diodes haute fiabilité SM15KPA-HRA et SM30KPA-HRA

01.13.2026

- Protègent les interfaces E/S, le bus VCC et d'autres circuits dans les applications d'avionique, d'aviation et d'eVTOL.

Littelfuse Diodes TVS SP432x-01WTG

01.08.2026

- Offrent une très faible capacité, une protection bidirectionnelle et un niveau de protection élevé.

onsemi MOSFET de puissance à canal N 80 V NVBYST0D6N08X

12.26.2025

- Ce dispositif offre un faible QRR et une diode de corps à récupération progressive dans un boîtier TCPAK1012 (TopCool).

Infineon Technologies MOSFET de puissance OptiMOS™ 6 80 V

12.23.2025

- Définit les performances de référence du secteur grâce à une large offre de portefeuille.

Infineon Technologies MOSFET CoolSiC™ automobile 750 V G2

12.19.2025

- Conçus pour répondre aux exigences strictes des applications dédiées aux véhicules électriques (VE).

onsemi MOSFET N voies double NVMFD5877NL

12.19.2025

- Conçu pour des conceptions compactes et efficaces, incluant des performances thermiques élevées.

onsemi MOSFET NxT2023N065M3S EliteSiC

12.04.2025

- Présentent une faible capacité de sortie effective et une charge de grille ultra-faible.

STMicroelectronics Transistor PowerGaN e-mode SGT080R70ILB

12.04.2025

- Le transistor E-Mode PowerGaN conçu pour des applications de conversion d’énergie à haute efficacité.

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