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Wolfspeed Les plus récent(e)s Semiconducteurs discrets

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Types de Semiconducteurs discrets

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Wolfspeed Modules d'alimentation en carbure de silicium YM Six-Pack

05.14.2025

- Les modules qualifiés pour l'industrie automobile sont conçus pour une intégration de conception transparente et une grande durabilité.

Wolfspeed MOSFET en carbure de silicium 1 700 V

04.17.2025

- Offrent une commutation plus élevée, une efficacité du système et une densité de puissance pour la conversion d'énergie de nouvelle génération.

Wolfspeed Modules de puissance au carbure de silicium 2 300 V

10.08.2024

- Ces composants sont des modules d’alimentation 2 300 V au carbure de silicium sans embase pour les applications V-bus 1 500 V.

Wolfspeed Modules demi-pont SiC pour environnement difficile HAS

07.25.2024

- Modules demi-pont SiC pour les environnements difficiles dans un boîtier de 62 mm aux normes de l'industrie.

Wolfspeed MOSFET de puissance SiC 1 200 V à profil mince TO-247-4

07.03.2024

- Offrent un haut rendement du système, réduisent les pertes de commutation et minimisent les résonances de grille.

Wolfspeed Modules demi-pont SiC DM

06.25.2024

- Offers high-current capability in a very low mass and low volume form factor.

Wolfspeed MOSFET discrets au carbure de silicium 750 V

05.27.2024

- Permettent une haute densité de puissance du système avec une conception à profil mince dans des boîtiers aux normes de l’industrie.

Wolfspeed Diodes Schottky SiC 1 700 V

01.04.2023

- Offre les avantages de performance pour répondre à des standards d'éfficacité plus élevés.

Wolfspeed MOSFET SiC C3M™ en boîtier TOLL

10.18.2022

- Offrent une dépendance à la température de résistance à l'état passant beaucoup plus faible que les MOSFET au silicium standard.

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Taiwan Semiconductor TESDA1L2B17P1Q1 ESD Protection Diode

02.19.2026

- Safeguards power interfaces, control lines, or low‑speed data lines within electronic systems.

Semtech TDS5311P SurgeSwitch™ 1-Line 53V EOS Protection IC

02.18.2026

- Provides high-energy EOS protection with superior temperature and clamping characteristics.

Vishay Redresseurs haute tension CMS SE45124/SE50124

02.17.2026

- Ces dispositifs disposent d'une excellente dissipation de chaleur et d'une capacité de courant de surtension élevée.

Vishay Pont redresseur en ligne simple KBPE0480

02.16.2026

- Ces dispositifs ont une faible chute de tension directe et sont disponibles en boîtier KBP.

Vishay Redresseurs CMS SE050N6/SE080N6/SE100N6/SE120N6

02.10.2026

- Ces dispositifs sont disponibles dans un boîtier à profil mince, avec une hauteur standard de seulement 0,88 mm.

Littelfuse Thyristor simple CMA160E1600HF

02.06.2026

- Dispositif haute performance de 160 A, 1 600 V doté d’une structure de puce planaire et passivée dans un boîtier PLUS247.

TDK-Lambda Modules MOSFET à joint torique i1R

02.05.2026

- Dispositifs de puissance à haute efficacité et faible perte conçus pour remplacer les diodes traditionnelles.

Vishay Diodes de puissance SCHOTTKY en carbure de silicium

02.03.2026

- Offrent une efficacité, une robustesse et une fiabilité exceptionnelles dans les applications exigeantes d’électronique de puissance.

Vishay SE30CLJ Surface-Mount High Voltage Rectifiers

02.03.2026

- Engineered for robust performance in demanding power conversion applications.

Diotec Semiconductor BZX84B3V6 SMD Planar Zener Diode

02.03.2026

- Offers a sharp Zener voltage breakdown and a low leakage current.

Vishay High Current Density/Voltage Schottky Rectifiers

02.03.2026

- Delivers robust performance for demanding power‑conversion applications.

Vishay SE40CLJ Surface-Mount High Voltage Rectifiers

02.03.2026

- Designed for demanding power conversion applications

IXYS MOSFET de puissance X4-Class

02.02.2026

- Ils offrent une faible résistance à l'état passant et des pertes de conduction, avec une efficacité améliorée.

IXYS Diodes haute tension et à récupération rapide DP

01.20.2026

- Diodes SCHOTTKY de 600 V ou 1 200 V avec un courant de fuite inverse faible et un temps de récupération rapide.

Qorvo Transistors au GaN avec adaptation d’entrée QPD1014A

01.20.2026

- Transistors discrets HEMT GaN sur SiC avec adaptation d’entrée 50 Ω, 15 W (P 3dB), et fonctionnant de 30 MHz à 1,2 GHz.

Qorvo Transistors au GaN avec adaptation d'entrée QPD1004A

01.19.2026

- Le transistor discret au nitrure de gallium sur carbure de silicium à haute mobilité d'éléctrons (HEMT GaN sur SiC), 25 W, avec adaptation d'entrée 50 Ω, fonctionne de 30 MHz à 1 400 MHz sur un rail d’alimentation de 50 V.

Qorvo Transistors GaN avec adaptation d'entrée QPD1011A

01.19.2026

- Transistor HEMT discret technologie GaN-sur-SiC avec adaptation d’entrée 50 Ω, 7 W (P3 dB), fonctionnant de 30 MHz à 1,2 GHz.

Littelfuse Diodes haute fiabilité SM15KPA-HRA et SM30KPA-HRA

01.13.2026

- Protègent les interfaces E/S, le bus VCC et d'autres circuits dans les applications d'avionique, d'aviation et d'eVTOL.

Littelfuse Diodes TVS SP432x-01WTG

01.08.2026

- Offrent une très faible capacité, une protection bidirectionnelle et un niveau de protection élevé.

onsemi MOSFET de puissance à canal N 80 V NVBYST0D6N08X

12.26.2025

- Ce dispositif offre un faible QRR et une diode de corps à récupération progressive dans un boîtier TCPAK1012 (TopCool).

Infineon Technologies MOSFET de puissance OptiMOS™ 6 80 V

12.23.2025

- Définit les performances de référence du secteur grâce à une large offre de portefeuille.

Infineon Technologies MOSFET CoolSiC™ automobile 750 V G2

12.19.2025

- Conçus pour répondre aux exigences strictes des applications dédiées aux véhicules électriques (VE).

onsemi MOSFET N voies double NVMFD5877NL

12.19.2025

- Conçu pour des conceptions compactes et efficaces, incluant des performances thermiques élevées.

STMicroelectronics Transistor PowerGaN e-mode SGT080R70ILB

12.04.2025

- Le transistor E-Mode PowerGaN conçu pour des applications de conversion d’énergie à haute efficacité.

onsemi MOSFET NxT2023N065M3S EliteSiC

12.04.2025

- Présentent une faible capacité de sortie effective et une charge de grille ultra-faible.

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