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Texas Instruments Les plus récent(e)s Semiconducteurs discrets

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Types de Semiconducteurs discrets

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Texas Instruments Diodes TVS unidirectionnelles TSDx-Q1

10.10.2025

- Conçues pour les applications automobiles afin de limiter les transitoires nuisibles tels que les DES et les surtensions.

Texas Instruments Diodes Zener à anode commune MMBZxxVAL-Q1

08.21.2025

- DES unidirectionnelles à double canal ou bidirectionnelles à canal unique dans une configuration d'anode commune.

Texas Instruments Diode de protection DES MMBZ30VCL/MMBZ30VCL-Q1

03.18.2025

- DES bidirectionnel à double canal ou unidirectionnel à canal unique dans une configuration de cathode commune.

Texas Instruments Diode DES à faible capacité ESD501/ESD501-Q1

03.18.2025

- Proposée dans un boîtier conforme à la norme industrielle 0402 et offre un niveau de protection CEI 61000-4-2 de 15 kV.

Texas Instruments Diodes régulatrices de Tension Zener BZX84Cx/BZX84Cx-Q1

03.11.2025

- Ces dispositifs offrent une dissipation d'énergie totale de 250 mW (max.) et une tolérance de ±5 %.

Texas Instruments Diodes de protection DES ESD701/ESD701-Q1

01.29.2025

- Proposées dans le boîtier 0402 standard de l'industrie et offrent un niveau de protection CEI 61000-4-2 de 15 kV.

Texas Instruments Diode de protection DES ESD801/ESD801-Q1

01.29.2025

- Disponibles dans le boîtier standard de l'industrie 0402 et offrent un niveau de protection IEC 61000-4-2 de 15 kV.

Texas Instruments Diodes TVS bidirectionnelles TSDxxC/TSDxxC-Q1

12.23.2024

- Ces dispositifs sont conçus pour les clamp >>> serre-câbles (if appropriate) transitoires nuisibles tels que DES et surtension.

Texas Instruments Diode de protection DES ESD851/ESD851-Q1

11.05.2024

- Ce dispositif est conçu pour fixer les transitoires nuisibles tels que les DES et la surtension.

Texas Instruments ESD601/ESD601-Q1 Diodes de protection DES

11.05.2024

- Disponibles dans un boîtier standard de l'industrie 0402 et offrent un niveau de protection IEC 61000-4-2 de 15 kV.

Texas Instruments Diode de protection TVS bidirectionnelle 36 V TSM36CA

09.17.2024

- Le dispositif est conçu pour bloquer les transitoires nuisibles tels que les décharges électrostatiques (DES) et les surtensions.

Texas Instruments ESDS452/ESDS452-Q1 Diodes bidirectionnelles ESD et TVS

06.17.2024

- Conçues pour dissiper les décharges électrostatiques au-delà du niveau maximal spécifié dans la norme IEC 61000-4-2

Texas Instruments ESD652/ESD652-Q1 diodes de protection ESD

05.07.2024

- Diodes bidirectionnelles à 2 canaux disponibles dans un petit boîtier plombé SOT-23 (DBZ).

Texas Instruments ESD2CANx-Q1 Diodes de protection ESD

05.06.2024

- Diodes bidirectionnelles à 2 canaux pour l'automobile, pour la protection de l'interface du réseau CAN (Controller Area Network).

Texas Instruments Diode de protection bidirectionnelle contre les décharges électrostatiques et les surtensions ESDS552

04.23.2024

- Conçue pour dissiper les décharges électrostatiques au-delà du niveau maximal spécifié dans la norme IEC 61000-4-2.

Texas Instruments Diode de protection DES ESD562/ESD562-Q1

04.23.2024

- Conçue pour dissiper les décharges DES au-delà du niveau maximal spécifié dans la norme CEI 61000-4-2.

Texas Instruments Diode de protection unidirectionnelle contre les surtensions TSM24B

12.19.2023

- Ce composant permet de dériver jusqu’à 20 A de courant de défaut CEI 61000-4-5.

Texas Instruments Diode TSM24CA/TSM24CA-Q1 TVS bidirectionnelle 24 V

11.13.2023

- Jusqu’à 30 A de courant de défaillance CEI 61000-4-5 pour assurer une protection contre la foudre ou les transitoires à haute puissance.

Texas Instruments Diode TVS unidirectionnelle TSM24A/TSM24A-Q124 V

11.13.2023

- Jusqu’à 60 A de courant de défaillance CEI 61000-4-5 pour assurer une protection contre les tensions transitoires ou les décharges de foudre à haute puissance.

Texas Instruments Dispositifs de protection contre les surtensions TSD05/TSD05C/TSD36C

09.19.2023

- Ces dispositifs sont conçus pour bloquer les transitoires nuisibles tels que les décharges électrostatiques (DES) et les surtensions.

Texas Instruments Diode de protection DES ±30 kV ESD451

08.10.2023

- Une diode de protection DES bidirectionnelle pour protéger les lignes de données et d'autres ports E/S.

Texas Instruments Dispositif de protection DES ±30 kV ESD441

08.10.2023

- Une diode de protection DES unidirectionnelle pour protéger les lignes de données et d'autres ports E/S.

Texas Instruments Diode de protection DES ESD1LIN24/ESD1LIN24-Q1

02.09.2023

- Dispositif de protection DES bidirectionnel monocanal à faible capacité pour le réseau d'interconnexion local (LIN).

Texas Instruments Réseau Darlington 8 canaux 50 V 500 mA ULN2803C

02.06.2023

- Dispose de sorties à haute tension avec diodes à limitation cathode commune pour les charges inductives de commutation.

Texas Instruments Diodes de protection DES ESD751/Q1 et ESD761/Q1

02.02.2023

- Dispositifs de protection DES bidirectionnels monocanal à faible capacité pour alimentation USB (USB-PD).

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Vishay SE050N6/SE080N6/SE100N6/SE120N6 SMD Rectifiers

02.10.2026

- These devices are available in a low-profile package with a typical height of only 0.88mm.

Littelfuse Thyristor simple CMA160E1600HF

02.06.2026

- 160 A, 1 600 V haute performance, il dispose d'une structure de puce planaire passivée dans un boîtier PLUS247.

TDK-Lambda Modules MOSFET à joint torique i1R

02.05.2026

- Dispositifs de puissance à haute efficacité et faible perte conçus pour remplacer les diodes traditionnelles.

Vishay Diodes de puissance SCHOTTKY en carbure de silicium

02.03.2026

- Offrent une efficacité, une robustesse et une fiabilité exceptionnelles dans les applications exigeantes d’électronique de puissance.

Vishay SE30CLJ Surface-Mount High Voltage Rectifiers

02.03.2026

- Engineered for robust performance in demanding power conversion applications.

Diotec Semiconductor BZX84B3V6 SMD Planar Zener Diode

02.03.2026

- Offers a sharp Zener voltage breakdown and a low leakage current.

Vishay SE40CLJ Surface-Mount High Voltage Rectifiers

02.03.2026

- Designed for demanding power conversion applications

Vishay High Current Density/Voltage Schottky Rectifiers

02.03.2026

- Delivers robust performance for demanding power‑conversion applications.

IXYS MOSFET de puissance X4-Class

02.02.2026

- Ils offrent une faible résistance à l'état passant et des pertes de conduction, avec une efficacité améliorée.

Qorvo Transistors au GaN avec adaptation d’entrée QPD1014A

01.20.2026

- Transistors discrets HEMT GaN sur SiC avec adaptation d’entrée 50 Ω, 15 W (P 3dB), et fonctionnant de 30 MHz à 1,2 GHz.

IXYS Diodes haute tension et à récupération rapide DP

01.20.2026

- Diodes SCHOTTKY de 600 V ou 1 200 V avec un courant de fuite inverse faible et un temps de récupération rapide.

Qorvo Transistors au GaN avec adaptation d'entrée QPD1004A

01.19.2026

- Le transistor discret au nitrure de gallium sur carbure de silicium à haute mobilité d'éléctrons (HEMT GaN sur SiC), 25 W, avec adaptation d'entrée 50 Ω, fonctionne de 30 MHz à 1 400 MHz sur un rail d’alimentation de 50 V.

Qorvo Transistors GaN avec adaptation d'entrée QPD1011A

01.19.2026

- Transistor HEMT discret technologie GaN-sur-SiC avec adaptation d’entrée 50 Ω, 7 W (P3 dB), fonctionnant de 30 MHz à 1,2 GHz.

Littelfuse Diodes haute fiabilité SM15KPA-HRA et SM30KPA-HRA

01.13.2026

- Protègent les interfaces E/S, le bus VCC et d'autres circuits dans les applications d'avionique, d'aviation et d'eVTOL.

Littelfuse Diodes TVS SP432x-01WTG

01.08.2026

- Offrent une très faible capacité, une protection bidirectionnelle et un niveau de protection élevé.

onsemi MOSFET de puissance à canal N 80 V NVBYST0D6N08X

12.26.2025

- Ce dispositif offre un faible QRR et une diode de corps à récupération progressive dans un boîtier TCPAK1012 (TopCool).

Infineon Technologies MOSFET de puissance OptiMOS™ 6 80 V

12.23.2025

- Définit les performances de référence du secteur grâce à une large offre de portefeuille.

onsemi MOSFET N voies double NVMFD5877NL

12.19.2025

- Conçu pour des conceptions compactes et efficaces, incluant des performances thermiques élevées.

Infineon Technologies MOSFET CoolSiC™ automobile 750 V G2

12.19.2025

- Conçus pour répondre aux exigences strictes des applications dédiées aux véhicules électriques (VE).

onsemi MOSFET NxT2023N065M3S EliteSiC

12.04.2025

- Présentent une faible capacité de sortie effective et une charge de grille ultra-faible.

STMicroelectronics Transistor PowerGaN e-mode SGT080R70ILB

12.04.2025

- Le transistor E-Mode PowerGaN conçu pour des applications de conversion d’énergie à haute efficacité.

Infineon Technologies Transistors discrets 750 V TRENCHSTOP™ IGBT7 H7

12.01.2025

- Le boîtier DTO247 remplace plusieurs transistors à faible courant dans des boîtiers TO247 connectés en parallèle.

onsemi MOSFET à canal P basse/moyenne tension NTTFS007P02P8

11.25.2025

- Conçu avec la technologie PowerTrench pour des performances de commutation avec une RDS(on) extrêmement faible et une grande robustesse.

onsemi MOSFET à petit signal FDC642P-F085

11.25.2025

- Doté d’une technologie à tranchées haute performance pour une RDS(on) extrêmement faible et d’une vitesse de commutation rapide.

iDEAL Semiconductor iS20M028S1C SuperQ™ 200V N-Ch Power MOSFETs

11.24.2025

- Designed for SMPS and high-efficiency motor drives in a robust PDFN package measuring 5mm x 6mm.

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