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Diodes Incorporated Redresseurs planaires hyper-rapides DTHP60B07PT 60 A

03.13.2026

- Dotés d’une tension inverse de 650 V, d’une faible chute de tension directe et d’un temps de récupération inverse ultra-rapide.

Diodes Incorporated Suppresseur de tension transitoire 5.0SMCJ1xCA 5 000 W

10.31.2025

- Diode TVS haute puissance conçue pour protéger les circuits électroniques sensibles des pics de tension.

Diodes Incorporated MOSFET E-Mode à double canal N DMTH64M2LPDW

10.31.2025

- Intègre deux MOSFET dans un boîtier unique PowerDI ® de 5 mm x 6 mm avec d'excellentes performances thermiques.

Diodes Incorporated Transistors à effet de champ 2N7002 de type N en mode E

10.31.2025

- Offre des performances de commutation rapides avec une faible charge de grille et une tension drain-source maximale de 60 V.

Diodes Incorporated MOSFET à mode d'amélioration à canal N DMN1057UCA3

10.21.2025

- Offre des performances de commutation supérieures, ce qui est idéal pour les applications de gestion de l'énergie à haut rendement.

Diodes Incorporated Redresseur à récupération rapide passivé au verre DTH1006P5

10.13.2025

- Redresseur de tension inverse répétitive de crête de 600 V (VRRM) en boîtier PowerDI® 5 thermiquement efficace.

Diodes Incorporated Transistors bipolaires PNP DXTP80x

09.18.2025

- Les Transistors bipolaires PNP sont en boîtier PowerDI 3333-8 de petit facteur de forme et à rendement thermique élevé.

Diodes Incorporated Transistors bipolaires NPN DXTN80x

09.17.2025

- Ils sont en boîtier PowerDI 3333-8 de petit facteur de forme et de haut rendement thermique, pour des produits à densité supérieure.

Diodes Incorporated Transistors bipolaires DXTN/P 78Q et 80Q

07.24.2025

- Bénéficient de classements à 30, 60 et 100 V, avec un rendement de conduction et des performances thermiques exceptionnels.

Diodes Incorporated Redresseurs en pont TT8M 8 A en verre passivé

05.01.2025

- Présente une tension inverse de crête répétitive maximale de 1 000 V et un courant de sortie redressé moyen de 8 A.

Diodes Incorporated Diodes Schottky au carbure de silicium DSCxA065LP

02.20.2025

- Présentent une stabilité de fuite inverse supérieure à des températures élevées dans un boîtier DFN8080.

Diodes Incorporated Transistors NPN VCE(SAT) ultra-faible de 60 V DXTN69060C

11.14.2024

- Dispose d'une structure exclusive pour obtenir une performance VCE (SAT) ultra-faible.

Diodes Incorporated MOSFET à mode d’amélioration à canal N DMT31M8LFVWQ 30 V

10.01.2024

- Fournit une faible résistance de conduction dans un boîtier compact et thermiquement efficace.

Diodes Incorporated MOSFET à mode d'amélioration à canal N 20 V DMN2992UFA

08.01.2024

- MOSFET à canal N 20 V conçu pour minimiser la RDS(ON), disponible dans un boîtier X2-DFN0806-3.

Diodes Incorporated Réseau de diode TVS à faible capacité à 2 canaux DT1042-02SRQ

07.01.2024

- Conçu pour protéger l’électronique sensible contre les dommages DES.

Diodes Incorporated MOSFET de puissance à canal N 1 200 V DMWSH120Hx

06.24.2024

- Conçus pour minimiser la résistance à l'état passant et maintenir d'excellentes performances de commutation.

Diodes Incorporated Redresseurs passivés au verre SxCMHQ AEC-Q101

06.04.2024

- Offrent une capacité de courant élevé et une faible chute de tension directe.

Diodes Incorporated Protecteur de bus CAN/LIN DESD24VS2SOQ de 24 V

06.01.2024

- Dispositif de protection contre les surtensions et les décharges électrostatiques (DES) emballé dans un boîtier compact SOT23 à montage en surface.

Diodes Incorporated MOSFET DMP3014SFDE de 30 V à mode d'amélioration de canal P

05.01.2024

- Présentent de faibles résistance à l'état passant et tension de seuil de grille, tout en maintenant de bonnes performances de commutation.

Diodes Incorporated Transistor à moyenne puissance PNP 80 V BC53-16PAWQ

05.01.2024

- Disponible dans un boîtier compact DFN2020-3 dont l'empreinte est 50 % plus petite qu'un boîtier SOT-23.

Diodes Incorporated DMT26M0LDG MOSFET asymétriques à double canal N

04.01.2024

- Conçus pour minimiser la résistance à l’état passant [RDS(ON)] tout en maintenant des performances de commutation supérieures.

Diodes Incorporated Redresseur ultra-rapide US1NDFQ 1 A à montage en surface

03.01.2024

- Il offre un temps de récupération ultra-rapide pour un rendement élevé dans les applications de redressement général.

Diodes Incorporated MOSFET en mode amélioration à double canal P DMP68D1LV

01.01.2024

- Offre une faible résistance à l’état passant et une faible capacité d’entrée, tout en maintenant des performances de commutation supérieures.

Diodes Incorporated Diode TVS bidirectionnelle DESDxxVxS2UTQ à 2 canaux

01.01.2024

- Conçue pour protéger l'électronique sensible des dommages causés par les DES.

Diodes Incorporated MOSFET de puissance SiC à canal N 1 200 V DMWS120H100SM4

06.02.2023

- Conçu pour minimiser la résistance à l'état passant tout en maintenant des performances de commutation supérieures.

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Texas Instruments MOSFET 6 V 2N7002L à canal N

05.18.2026

- Conçu pour minimiser la résistance à l'état passant tout en conservant des performances de commutation rapides.

Bourns Diode TVS montée en surface CDSOT23-SM712-Q

05.12.2026

- Fournit une protection pour les ports de données conformément aux normes IEC 61000-4-2, IEC 61000-4-4 et IEC 61000-4-5.

Infineon Technologies Modules d'alimentation CIPOS™ Prime automobiles CoolSiC™

05.06.2026

- Les modules d'alimentation sont conçus pour une haute performance dans les applications xEV .

Littelfuse Diodes TVS AK-FL

05.04.2026

- Diodes TVS bidirectionnelles FlatSuppressX™ à tension de serrage faible et stable, avec pattes axiales.

Littelfuse Diodes TVS FlatSuppressX™ TP5.0SMD-FL

05.04.2026

- Puissance d'impulsion de crête de 5000 W avec une forme d'onde de 10/1000 µs et dissipation de puissance de 6,5 W.

Littelfuse Diodes TVS FlatSuppressX™ TP1KSMB-FL

05.04.2026

- Spécialement conçues pour protéger les équipements électroniques sensibles contre les surtensions transitoires.

Littelfuse TRIAC alternistors haute température QVx35xHx

04.24.2026

- Offre un courant nominal de 35 A et est disponible dans les boîtiers TO-220A, TO-220 isolés et TO-263.

RECOM Power ICs, Transformers, & Discrete Solutions

04.24.2026

- Features components ideal for energy, industrial, and medical applications.

Littelfuse SCR haute température SJx08x

04.24.2026

- Tension jusqu'à 800 V, capacité de courant de surtension jusqu'à 100 A et une température nominale de +150°C.

Diotec Semiconductor BAS70-05W Schottky Diode

04.16.2026

- Designed for high‑speed switching and voltage clamping in space‑constrained applications.

onsemi MOSFET de puissance monocanal N NVBYST0D8N08X

04.14.2026

- Optimisé pour l'exploitation à haute tension et résiste aux contraintes de commutation rapide et de courant élevé.

ROHM Semiconductor Modules de puissance de haute densité au SiC

04.10.2026

- Les boîtiers TRCDRIVE pack™, DOT-247 et HSDIP20 contribuent à une conversion performante de puissance.

Vishay Redresseurs à récupération rapide RS07x

04.07.2026

- Redresseurs à montage en surface et passivés au verre avec une VRRM maximale comprise entre 100 V et 800 V.

iDEAL Semiconductor IS20M8R0S1P SuperQ™ 200V N-Channel Power MOSFET

04.07.2026

- Low switching losses, high short-circuit withstand capability (SCWC), and comes in a TO-220 package.

Vishay Redresseurs haute tension à récupération standard S07x-M

04.07.2026

- Redresseurs à montage en surface et passivés au verre avec une VRRM maximale comprise entre 100 V et 1 000 V.

onsemi MOSFET NTMFD0D9N02P1E

04.06.2026

- MOSFET à canal N double conçu avec une faible Rg pour les applications à commutation rapide.

Taiwan Semiconductor SMA6FxCAH/SMA6SxCAH TVS Diodes

04.02.2026

- AEC-Q101 qualified 600W, 12V to 60V surface-mount devices operating at 0.094%/°C maximum VBR.

Vishay Module MOSFET de puissance VS-HOT200C080 de 200 A et 80 V

04.02.2026

- Ce dispositif réduit les exigences d’espace de la carte jusqu’à 15 % par rapport aux solutions discrètes standard.

Taiwan Semiconductor SMF4LxCA/AH Transient Voltage Suppressor Diodes

04.02.2026

- High-efficiency, low-power, 400W, 5V to 75V surface-mount devices ideal for automated placement.

STMicroelectronics MOSFET de puissance STL059N4S8AG

03.31.2026

- Un MOSFET de puissance à canal N en mode enrichissement 40 V conçu avec la technologie Smart STRipFET F8.

Toshiba MOSFET de puissance à canal N/canal P

03.31.2026

- Idéaux pour les commutateurs à commutation rapide, les commutateurs de gestion de l'alimentation, les convertisseurs CC-CC et les entraînements à moteur.

Infineon Technologies MOSFET de puissance OptiMOS™ 7 25 V à canal N

03.27.2026

- Performances optimisées pour les applications, permettant des performances optimales pour les centres de données, les serveurs et l'IA.

Infineon Technologies Diodes multi-usage pour la protection DES

03.27.2026

- Avec une protection optimale dans un empreinte compact, ces diodes offrent des performances DES supérieures.

Infineon Technologies MOSFET de puissance OptiMOS™ 6 60 V

03.27.2026

- Offrent des performances supérieures à OptiMOS 5 grâce à une technologie MOSFET de puissance robuste.

iDEAL Semiconductor iS20M6R3S1P SuperQ™ 200V N-Channel Power MOSFET

03.24.2026

- Delivers ultra-low conduction and switching losses in a robust TO-220 package.

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