Les plus récent(e)s Semiconducteurs discrets

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SemiQ Modules d'alimentation MOSFET SiC GEN3 1 200 V
SemiQ Modules d'alimentation MOSFET SiC GEN3 1 200 V
08.11.2025
With an isolated backplate, based on third-generation SiC technology, and tested at over 1400V.
SemiQ Dispositifs discrets GEN3 MOSFET SiC 1 200 V
SemiQ Dispositifs discrets GEN3 MOSFET SiC 1 200 V
01.02.2025
Developed to increase performance and cut switching losses in high-voltage applications.
SemiQ Diode GP3D050B170B SCHOTTKY SiC QSiC™ 1 700 V
SemiQ Diode GP3D050B170B SCHOTTKY SiC QSiC™ 1 700 V
08.26.2024
Livrée dans un boîtier TO-247-2L conçu pour répondre aux exigences de taille et de puissance dans une variété d’applications.
SemiQ Modules pont complet MOSFET SiC 1200 V GCMX
SemiQ Modules pont complet MOSFET SiC 1200 V GCMX
03.21.2024
Idéal pour les onduleurs photovoltaïques, les systèmes de stockage d’énergie et les convertisseurs CC-CC haute tension.
SemiQ Modules demi-pont MOSFET SiC 1200 V GCMX
SemiQ Modules demi-pont MOSFET SiC 1200 V GCMX
03.21.2024
Faibles pertes de commutation, faible résistance thermique jonction-boîtier et montage aisé et très robuste.
SemiQ GP2T020A120H 1200V SiC MOSFET
SemiQ GP2T020A120H 1200V SiC MOSFET
11.15.2023
Offers reduced switching losses, higher efficiency, and increased power density.
SemiQ GCMS040B120S1-E1 1200V SiC COPACK Power Module
SemiQ GCMS040B120S1-E1 1200V SiC COPACK Power Module
03.09.2023
The module is simple to drive, very rugged, & easy to mount with high-speed switching SiC MOSFETs.
SemiQ GCMX040B120S1-E1 1200V SiC MOSFET Power Module
SemiQ GCMX040B120S1-E1 1200V SiC MOSFET Power Module
03.09.2023
The module is simple to drive, very rugged, & easy to mount with high-speed switching SiC MOSFETs.
SemiQ GP2T080A120H 1200V SiC MOSFET
SemiQ GP2T080A120H 1200V SiC MOSFET
07.28.2022
Features high-speed switching, a driver source pin for gate driving, and a reliable body diode.
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Taiwan Semiconductor TESDA1L2B17P1Q1 ESD Protection Diode
Taiwan Semiconductor TESDA1L2B17P1Q1 ESD Protection Diode
02.19.2026
Safeguards power interfaces, control lines, or low‑speed data lines within electronic systems.
Semtech TDS5311P SurgeSwitch™ 1-Line 53V EOS Protection IC
Semtech TDS5311P SurgeSwitch™ 1-Line 53V EOS Protection IC
02.18.2026
Provides high-energy EOS protection with superior temperature and clamping characteristics.
Vishay Redresseurs haute tension CMS SE45124/SE50124
Vishay Redresseurs haute tension CMS SE45124/SE50124
02.17.2026
Ces dispositifs disposent d'une excellente dissipation de chaleur et d'une capacité de courant de surtension élevée.
Vishay Pont redresseur en ligne simple KBPE0480
Vishay Pont redresseur en ligne simple KBPE0480
02.16.2026
Ces dispositifs ont une faible chute de tension directe et sont disponibles en boîtier KBP.
Vishay Redresseurs CMS SE050N6/SE080N6/SE100N6/SE120N6
Vishay Redresseurs CMS SE050N6/SE080N6/SE100N6/SE120N6
02.10.2026
Ces dispositifs sont disponibles dans un boîtier à profil mince, avec une hauteur standard de seulement 0,88 mm.
Littelfuse Thyristor simple CMA160E1600HF
Littelfuse Thyristor simple CMA160E1600HF
02.06.2026
Dispositif haute performance de 160 A, 1 600 V doté d’une structure de puce planaire et passivée dans un boîtier PLUS247.
TDK-Lambda Modules MOSFET à joint torique i1R
TDK-Lambda Modules MOSFET à joint torique i1R
02.05.2026
Dispositifs de puissance à haute efficacité et faible perte conçus pour remplacer les diodes traditionnelles.
Vishay SE40CLJ Surface-Mount High Voltage Rectifiers
Vishay SE40CLJ Surface-Mount High Voltage Rectifiers
02.03.2026
Designed for demanding power conversion applications
Vishay SE30CLJ Surface-Mount High Voltage Rectifiers
Vishay SE30CLJ Surface-Mount High Voltage Rectifiers
02.03.2026
Engineered for robust performance in demanding power conversion applications.
Diotec Semiconductor BZX84B3V6 SMD Planar Zener Diode
Diotec Semiconductor BZX84B3V6 SMD Planar Zener Diode
02.03.2026
Offers a sharp Zener voltage breakdown and a low leakage current.
Vishay Diodes de puissance SCHOTTKY en carbure de silicium
Vishay Diodes de puissance SCHOTTKY en carbure de silicium
02.03.2026
Offrent une efficacité, une robustesse et une fiabilité exceptionnelles dans les applications exigeantes d’électronique de puissance.
Vishay High Current Density/Voltage Schottky Rectifiers
Vishay High Current Density/Voltage Schottky Rectifiers
02.03.2026
Delivers robust performance for demanding power‑conversion applications.
IXYS MOSFET de puissance X4-Class
IXYS MOSFET de puissance X4-Class
02.02.2026
Ils offrent une faible résistance à l'état passant et des pertes de conduction, avec une efficacité améliorée.
Qorvo Transistors au GaN avec adaptation d’entrée QPD1014A
Qorvo Transistors au GaN avec adaptation d’entrée QPD1014A
01.20.2026
Transistors discrets HEMT GaN sur SiC avec adaptation d’entrée 50 Ω, 15 W (P 3dB), et fonctionnant de 30 MHz à 1,2 GHz.
IXYS Diodes haute tension et à récupération rapide DP
IXYS Diodes haute tension et à récupération rapide DP
01.20.2026
Diodes SCHOTTKY de 600 V ou 1 200 V avec un courant de fuite inverse faible et un temps de récupération rapide.
Qorvo Transistors au GaN avec adaptation d'entrée QPD1004A
Qorvo Transistors au GaN avec adaptation d'entrée QPD1004A
01.19.2026
Le transistor discret au nitrure de gallium sur carbure de silicium à haute mobilité d'éléctrons (HEMT GaN sur SiC), 25 W, avec adaptation d'entrée 50 Ω, fonctionne de 30 MHz à 1 400 MHz sur un rail d’alimentation de 50 V.
Qorvo Transistors GaN avec adaptation d'entrée QPD1011A
Qorvo Transistors GaN avec adaptation d'entrée QPD1011A
01.19.2026
Transistor HEMT discret technologie GaN-sur-SiC avec adaptation d’entrée 50 Ω, 7 W (P3 dB), fonctionnant de 30 MHz à 1,2 GHz.
Littelfuse Diodes haute fiabilité SM15KPA-HRA et SM30KPA-HRA
Littelfuse Diodes haute fiabilité SM15KPA-HRA et SM30KPA-HRA
01.13.2026
Protègent les interfaces E/S, le bus VCC et d'autres circuits dans les applications d'avionique, d'aviation et d'eVTOL.
Littelfuse Diodes TVS SP432x-01WTG
Littelfuse Diodes TVS SP432x-01WTG
01.08.2026
Offrent une très faible capacité, une protection bidirectionnelle et un niveau de protection élevé.
onsemi MOSFET de puissance à canal N 80 V NVBYST0D6N08X
onsemi MOSFET de puissance à canal N 80 V NVBYST0D6N08X
12.26.2025
Ce dispositif offre un faible QRR et une diode de corps à récupération progressive dans un boîtier TCPAK1012 (TopCool).
Infineon Technologies MOSFET de puissance OptiMOS™ 6 80 V
Infineon Technologies MOSFET de puissance OptiMOS™ 6 80 V
12.23.2025
Définit les performances de référence du secteur grâce à une large offre de portefeuille.
onsemi MOSFET N voies double NVMFD5877NL
onsemi MOSFET N voies double NVMFD5877NL
12.19.2025
Conçu pour des conceptions compactes et efficaces, incluant des performances thermiques élevées.
Infineon Technologies MOSFET CoolSiC™ automobile 750 V G2
Infineon Technologies MOSFET CoolSiC™ automobile 750 V G2
12.19.2025
Conçus pour répondre aux exigences strictes des applications dédiées aux véhicules électriques (VE).
onsemi MOSFET NxT2023N065M3S EliteSiC
onsemi MOSFET NxT2023N065M3S EliteSiC
12.04.2025
Présentent une faible capacité de sortie effective et une charge de grille ultra-faible.
STMicroelectronics Transistor PowerGaN e-mode SGT080R70ILB
STMicroelectronics Transistor PowerGaN e-mode SGT080R70ILB
12.04.2025
Le transistor E-Mode PowerGaN conçu pour des applications de conversion d’énergie à haute efficacité.
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