Les plus récent(e)s Semiconducteurs discrets

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Types de Semiconducteurs discrets

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Diotec Semiconductor BZX84B3V6 SMD Planar Zener Diode

02.03.2026

- Offers a sharp zener voltage breakdown and a low leakage current.

Diotec Semiconductor LDP02-26CAYD2-AQ SMD TVS Diode

11.24.2025

- Offers 6600 W peak power, fast response, and ISO-16750-2 load-dump test compliance.

Diotec Semiconductor BZT52C39-AQ SMD Planar Zener Diode

11.20.2025

- Provides accurate voltage regulation with low leakage current and is AEC-Q101 qualified.

Diotec Semiconductor BC846B-Q SMD General-Purpose NPN Transistor

05.15.2025

- Features three current gain groups in a SOT-23 package and complies with RoHS and REACH.

Diotec Semiconductor BZX84B6V2-AQ SMD Planar Zener Diode

04.24.2025

- Features low leakage current and ±2% tolerance for stable voltage regulation.

Diotec Semiconductor Automotive Advanced Trench Technology MOSFETs

03.05.2025

- Enhances performance by providing fast switching times and low total gate charge.

Diotec Semiconductor BC817K General-Purpose NPN Transistor

01.31.2025

- AEC-Q101-qualified device with three current-gain selections, ideal for signal processing use.

Diotec Semiconductor TPSMF4Lx SMD Transient Voltage Suppressor Diodes

01.24.2025

- Offer a very fast response time, 400W peak pulse power (10/1000µs waveform) in a low-profile package

Diotec Semiconductor MUR1620CT Superfast Recovery Rectifier

01.13.2025

- Offers very low reverse recovery time and low forward voltage drop.

Diotec Semiconductor ESDB70W-AQ ESD Protection Diode

01.13.2025

- Features 150W peak pulse power dissipation with bidirectional clamping.

Diotec Semiconductor DI2A8N03PWK2-AQ Dual N-Channel Power MOSFET

01.13.2025

- Features dual MOSFETs with a protected gate and a powerQFN 2x2-dual space-saving package.

Diotec Semiconductor DI065N08D1-AQ N-Channel Power MOSFET

01.13.2025

- Provides 80V drain-source voltage with advanced trench technology and logic-level gate drive.

Diotec Semiconductor BCX56 SMD General-Purpose NPN Transistor

01.13.2025

- Offers high collector current, low saturation voltage, and two current gain groups.

Diotec Semiconductor P6SMB200x SMD Transient Voltage Suppressor Diodes

01.13.2025

- Feature 600W peak pulse power (10µs/1000µs waveform) and very fast response time.

Diotec Semiconductor BAS16WH-AQ SMD Small Signal Diode

01.13.2025

- Offers 100V reverse voltage and high-speed switching with a recovery time of up to 4ns.

Diotec Semiconductor DI022P06D1-AQ P-Channel Power MOSFET

01.13.2025

- Provides -60V rating and -22A current with advanced trench technology and fast switching times.

Diotec Semiconductor DI005C04PTK-AQ N+P Channel Power MOSFET

01.13.2025

- Offers low on-state resistance and fast switching, with AEC-Q101 qualified performance.

Diotec Semiconductor BC846PN General-Purpose NPN + PNP Transistor

01.13.2025

- Features two complementary transistors in 1 package, ideal for signal processing and amplification.

Diotec Semiconductor DI022N20PQ-AQ N-Channel Power MOSFET

01.13.2025

- Offers 200V rating and 22A current, with 100% avalanche tested and AEC-Q101 qualified performance.

Diotec Semiconductor MMDT521LW SMD Digital NPN Transistor

01.13.2025

- Designed for cost and space savings by integrating bias resistor combinations.

Diotec Semiconductor SI20C065x SiC Schottky Diodes

10.04.2024

- High-speed, high-voltage rectification diodes ideal for commercial/industrial-grade applications.

Diotec Semiconductor DIF065SIC0x0 Silicon Carbide (SiC) MOSFETs

07.26.2024

- Offers fast switching times and reduced noise levels in a SiC-wide bandgap material.

Diotec Semiconductor DIWOx Fast Switching IGBT Transistors

04.24.2024

- Include a reverse diode and use Trench and Fieldstop technology in a TO-247 package.

Diotec Semiconductor ZPx Zener Diodes

03.17.2023

- Feature sharp Zener voltage breakdown, low leakage current, and high power dissipation.

Diotec Semiconductor P4SMA Transient Voltage Suppressors

03.17.2023

- Feature uni- and bi-directional versions, 400W of peak pulse power, and fast response time.

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Littelfuse Thyristor simple CMA160E1600HF

02.06.2026

- 160 A, 1 600 V haute performance, il dispose d'une structure de puce planaire passivée dans un boîtier PLUS247.

TDK-Lambda i1R ORing MOSFET Modules

02.05.2026

- High-efficiency and low-loss power devices designed to replace traditional diodes.

Vishay SE30CLJ Surface-Mount High Voltage Rectifiers

02.03.2026

- Engineered for robust performance in demanding power conversion applications.

Vishay Diodes de puissance SCHOTTKY en carbure de silicium

02.03.2026

- Offrent une efficacité, une robustesse et une fiabilité exceptionnelles dans les applications exigeantes d’électronique de puissance.

Vishay High Current Density/Voltage Schottky Rectifiers

02.03.2026

- Delivers robust performance for demanding power‑conversion applications.

Diotec Semiconductor BZX84B3V6 SMD Planar Zener Diode

02.03.2026

- Offers a sharp zener voltage breakdown and a low leakage current.

Vishay SE40CLJ Surface-Mount High Voltage Rectifiers

02.03.2026

- Designed for demanding power conversion applications

IXYS X4-Class Power MOSFETs

02.02.2026

- Offer low on-state resistance and conduction losses, with improved efficiency.

Qorvo Transistors au GaN avec adaptation d’entrée QPD1014A

01.20.2026

- Transistors discrets HEMT GaN sur SiC avec adaptation d’entrée 50 Ω, 15 W (P 3dB), et fonctionnant de 30 MHz à 1,2 GHz.

IXYS Diodes haute tension et à récupération rapide DP

01.20.2026

- Diodes SCHOTTKY de 600 V ou 1 200 V avec un courant de fuite inverse faible et un temps de récupération rapide.

Qorvo Transistors au GaN avec adaptation d'entrée QPD1004A

01.19.2026

- Le transistor discret au nitrure de gallium sur carbure de silicium à haute mobilité d'éléctrons (HEMT GaN sur SiC), 25 W, avec adaptation d'entrée 50 Ω, fonctionne de 30 MHz à 1 400 MHz sur un rail d’alimentation de 50 V.

Qorvo Transistors GaN avec adaptation d'entrée QPD1011A

01.19.2026

- Transistor HEMT discret technologie GaN-sur-SiC avec adaptation d’entrée 50 Ω, 7 W (P3 dB), fonctionnant de 30 MHz à 1,2 GHz.

Littelfuse Diodes haute fiabilité SM15KPA-HRA et SM30KPA-HRA

01.13.2026

- Protègent les interfaces E/S, le bus VCC et d'autres circuits dans les applications d'avionique, d'aviation et d'eVTOL.

Littelfuse Diodes TVS SP432x-01WTG

01.08.2026

- Offrent une très faible capacité, une protection bidirectionnelle et un niveau de protection élevé.

onsemi MOSFET de puissance à canal N 80 V NVBYST0D6N08X

12.26.2025

- Ce dispositif offre un faible QRR et une diode de corps à récupération progressive dans un boîtier TCPAK1012 (TopCool).

Infineon Technologies MOSFET de puissance OptiMOS™ 6 80 V

12.23.2025

- Définit les performances de référence du secteur grâce à une large offre de portefeuille.

onsemi MOSFET N voies double NVMFD5877NL

12.19.2025

- Conçu pour des conceptions compactes et efficaces, incluant des performances thermiques élevées.

Infineon Technologies MOSFET CoolSiC™ automobile 750 V G2

12.19.2025

- Conçus pour répondre aux exigences strictes des applications dédiées aux véhicules électriques (VE).

STMicroelectronics Transistor PowerGaN e-mode SGT080R70ILB

12.04.2025

- Le transistor E-Mode PowerGaN conçu pour des applications de conversion d’énergie à haute efficacité.

onsemi MOSFET NxT2023N065M3S EliteSiC

12.04.2025

- Présentent une faible capacité de sortie effective et une charge de grille ultra-faible.

Infineon Technologies Transistors discrets 750 V TRENCHSTOP™ IGBT7 H7

12.01.2025

- Le boîtier DTO247 remplace plusieurs transistors à faible courant dans des boîtiers TO247 connectés en parallèle.

onsemi MOSFET à canal P basse/moyenne tension NTTFS007P02P8

11.25.2025

- Conçu avec la technologie PowerTrench pour des performances de commutation avec une RDS(on) extrêmement faible et une grande robustesse.

onsemi MOSFET à petit signal FDC642P-F085

11.25.2025

- Doté d’une technologie à tranchées haute performance pour une RDS(on) extrêmement faible et d’une vitesse de commutation rapide.

Diotec Semiconductor LDP02-26CAYD2-AQ SMD TVS Diode

11.24.2025

- Offers 6600 W peak power, fast response, and ISO-16750-2 load-dump test compliance.

Bourns Diodes de suppression de tension transitoire SMLJ-R

11.24.2025

- Conçues pour la protection DES et contre les surtensions dans un format de boîtier de puce compact DO-214AB (SMC).

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