Types de Semi-conducteurs
Filtres appliqués:
ROHM Semiconductor Amplificateur opérationnel LMRx802-LB
11.24.2025
11.24.2025
L’ampli op présente un faible niveau de bruit, une tension de décalage d’entrée faible et un faible courant de polarisation d’entrée.
ROHM Semiconductor Convertisseurs à circuits intégrés BM2P10xJ-ZCC/CC de type PWM
11.03.2025
11.03.2025
Ils comportent un MOSFET intégré de commutation de 730 V et fonctionnent directement sur secteur CA haute tension.
ROHM Semiconductor MOSFET SiC à canal N de 750 V
10.17.2025
10.17.2025
Les dispositifs augmentent la fréquence de commutation, réduisant ainsi les condensateurs, les réacteurs et les autres composants requis.
ROHM Semiconductor MOSFET de puissance automobile RD3x
10.16.2025
10.16.2025
MOSFET AEC-Q101 avec tension directe faible, temps de récupération rapide et capacité de surtension élevée.
ROHM Semiconductor CI convertisseurs CC/CC de type MLI BM2P06xJ-Z
09.26.2025
09.26.2025
Conçu pour les applications d'alimentation CA-CC isolée compactes et efficaces.
ROHM Semiconductor Carte d'évaluation BM3G115MUV-EVK-003
08.27.2025
08.27.2025
Conçue pour évaluer et démontrer les capacités du CI à étage de puissance HEMT BM3G115MUV.
ROHM Semiconductor Carte d'évaluation BM3G107MUV-EVK-003
08.27.2025
08.27.2025
Conçue pour évaluer et démontrer les capacités du CI à étage de puissance HEMT au GaN BM3G107MUV.
ROHM Semiconductor MOSFET de puissance RJ1x10BBG
08.21.2025
08.21.2025
MOSFET de puissance à canal N avec faible résistance à l'état passant et boîtier haute puissance.
ROHM Semiconductor MOSFET de puissance SiC canal N 1 700 V SCT2H12NWB
08.21.2025
08.21.2025
MOSFET SiC avec une tension de source de drain (VDSS) de 1 700 V et un courant de drain continu (ID) de 3,9 A.
ROHM Semiconductor Diode à récupération ultra-rapide RF202LB2S
08.21.2025
08.21.2025
Une diode à récupération ultra-rapide de type planaire épitaxiale en silicium, caractérisée par un faible VF et de faibles pertes de commutation.
ROHM Semiconductor MOSFET à canal P RQxAT
08.21.2025
08.21.2025
Comprennent un boîtier monté en surface avec une faible résistance à l'état passant et sont testés à 100 % Rg et UIS.
ROHM Semiconductor Diodes PIN de qualité automobile RNxMFH
08.21.2025
08.21.2025
Diodes de qualité automobile avec un boîtier surmoulé ultra-compact adapté à la commutation à haute fréquence.
ROHM Semiconductor Diode PIN RN242SM
08.20.2025
08.20.2025
Présente une faible capacité et un boîtier moulé ultra-compact, adapté à la commutation haute fréquence.
ROHM Semiconductor MOSFET de puissance de canal N 40 V RQ3G120BKFRA
08.19.2025
08.19.2025
MOSFET de qualité automobile avec une tension de source de 40 V (VDSS) et un courant de drain continu (ID) de ±12 A, certifié AEC-Q101.
ROHM Semiconductor MOSFET de puissance à canal P -60 V RH7L04CBJFRA
08.19.2025
08.19.2025
Un MOSFET de qualité automobile avec une VDSS de -60 V et une ID de ±36 A, homologué AEC-Q101.
ROHM Semiconductor Diodes Zener JMZV8.2B de 5 mA
08.19.2025
08.19.2025
Les dispositifs sont livrés dans un boîtier PMDE (petit moule d’alimentation) adapté aux applications de régulation de tension.
ROHM Semiconductor MOSFET de puissance à canal N RH7L04 60 V
08.19.2025
08.19.2025
MOSFET de qualité automobile homologués AEC-Q101, classés pour 60 V VDSS et ±40 A ID.
ROHM Semiconductor MOSFET de puissance de canal N RH7P04BBKFRA 100 V
08.19.2025
08.19.2025
MOSFET de puissance de qualité automobile avec une tension VDSS de 100 V et un courant ID de ±40 A, conforme à la norme AEC-Q101.
ROHM Semiconductor MOSFET à signal faible et canal P RQ5G040AT -40 V
08.19.2025
08.19.2025
Un MOSFET spécifié pour une tension drain-source de -40 V (VDSS) et un courant de drain continu (ID) de ±4,0 A.
ROHM Semiconductor MOSFET de puissance 60 V à canal N RH7L03
08.19.2025
08.19.2025
MOSFET de qualité automobile avec une tension VDSS de 60 V et un courant ID continu de ±35 A, homologué AEC-Q101.
ROHM Semiconductor MOSFET de puissance de canal P -30 V RH7E04BBJFRA
08.19.2025
08.19.2025
MOSFET de qualité automobile avec une tension drain-source (VDSS) de -30 V et un courant drain (ID) de ±40 A, conforme à la norme AEC-Q101.
ROHM Semiconductor MOSFET de puissance de canal N 40 V RH7G04
08.19.2025
08.19.2025
Ces dispositifs sont des MOSFET de qualité automobile certifiés AEC-Q101, avec une tension de crête VDSS de 40 V et un courant de décharge IDde ±40 A.
ROHM Semiconductor EEPROM SPI BUS BR25G-5
08.19.2025
08.19.2025
Ces dispositifs sont des EEPROM en série 16 kbit avec une interface SPI BUS et 4 millions de cycles d'écriture.
ROHM Semiconductor Carte d'évaluation LogiCoA003-EVK-001
08.08.2025
08.08.2025
Conçue pour évaluer et démontrer les performances des solutions LogiCoA™.
ROHM Semiconductor 2SCR579D3 Transistor de puissance NPN 1,5 A 160 V
08.06.2025
08.06.2025
Un transistor de puissance avec un faible VCE(sat) et convient comme amplificateur basse fréquence.
Consulter : 1 - 25 sur 245
Texas Instruments F28E12x C2000™ Real-Time Microcontrollers
02.12.2026
02.12.2026
Offers 30% faster computing power compared to previous C2000 MCUs for single motor and PFC systems.
Analog Devices Inc. EVAL-HMC994APM5 Evaluation Board
02.11.2026
02.11.2026
A 2-layer PCB fabricated from 10 mil-thick copper-clad, mounted to an aluminum heat spreader.
Analog Devices Inc. EVAL-ADPL83200-IZ Evaluation Board
02.11.2026
02.11.2026
Board features the ADPL83200IS6, low-loss PowerPath™ controller.
Analog Devices Inc. LT83401/LT83402 Step-Down Regulators
02.11.2026
02.11.2026
Developed to incorporate an ultra-low-noise reference with Silent Switcher architecture.
Lattice Semiconductor Carte d'évaluation CertusPro™-NX Versa
02.11.2026
02.11.2026
Permet aux concepteurs d'étudier et d'expérimenter les fonctionnalités du FPGA CertusPro-NX.
Analog Devices Inc. ADPL83200 Low Loss PowerPath™ Controller
02.11.2026
02.11.2026
Operates an external P-ch MOSFET to provide near-ideal diode behavior for power switchover.
Vishay Redresseurs CMS SE050N6/SE080N6/SE100N6/SE120N6
02.10.2026
02.10.2026
Ces dispositifs sont disponibles dans un boîtier à profil mince, avec une hauteur standard de seulement 0,88 mm.
NXP Semiconductors Carte d'évaluation TJA1410-EVB
02.09.2026
02.09.2026
Intègre deux émetteurs-récepteurs PMD TJA1410 et des selfs de mode commun 10BASE-T1S de 240 µH.
EAO S04 Switching Contact Blocks
02.09.2026
02.09.2026
Modern design, UL 94V-0 flammability-rated plastic construction, and ultrasonically welded housing.
NXP Semiconductors Émetteurs-récepteurs PHY 10BASE-T1S TJx1410
02.06.2026
02.06.2026
Solutions de connectivité conformes aux normes et à faible consommation d’énergie pour les réseaux Ethernet à paire unique.
Littelfuse Thyristor simple CMA160E1600HF
02.06.2026
02.06.2026
160 A, 1 600 V haute performance, il dispose d'une structure de puce planaire passivée dans un boîtier PLUS247.
Infineon Technologies Microcontrôleurs (MCU) à faible puissance et industriels XMC5000
02.06.2026
02.06.2026
Prennent en charge une plage d’alimentation d’entrée de 2,7 V à 5,5 V, boîtiers évolutifs jusqu’à 144 broches.
Monolithic Power Systems (MPS) MPQ4324 Synchronous Step-Down Converters
02.06.2026
02.06.2026
Highly configurable converters that support switching frequencies from 350kHz to 2.5MHz.
Abracon Ultra-Low Power RTC Modules
02.06.2026
02.06.2026
Provides an embedded 32.768kHz crystal oscillator and an I2C communication interface.
Monolithic Power Systems (MPS) MP3921 Single-Port PSE Power Controller
02.06.2026
02.06.2026
This device is designed for IEEE 802.3af/at-compliant Power over Ethernet (PoE) applications.
Monolithic Power Systems (MPS) MP3314A 80mA 50V Boost Converter
02.06.2026
02.06.2026
Designed to drive WLED arrays for LCD panels in virtual reality (VR) backlighting applications.
PUI Audio AMP1X2 & AMP2X2 Audio Amplifier Evaluation Boards
02.05.2026
02.05.2026
Offer 2W speaker amplifier evaluation boards available in mono and stereo configurations.
Microchip Technology Kit d'évaluation Curiosity Nano PL10 PIC32CM
02.05.2026
02.05.2026
Plateforme matérielle pour évaluer le microcontrôleur PL10 PIC32CM avec capacités de programmation et débogage
TDK-Lambda Modules MOSFET à joint torique i1R
02.05.2026
02.05.2026
Dispositifs de puissance à haute efficacité et faible perte conçus pour remplacer les diodes traditionnelles.
Diodes Incorporated Convertisseurs abaisseurs (buck) à I2C AP61406Q
02.04.2026
02.04.2026
Offrent une plage de tension d'entrée de 2,3 à 5,5 V et sont sélectionnables jusqu'à 4 A.
Vishay SE40CLJ Surface-Mount High Voltage Rectifiers
02.03.2026
02.03.2026
Designed for demanding power conversion applications
DFRobot LoRaWAN ESP32-S3 Development Board
02.03.2026
02.03.2026
Supports LoRa, LoRaWAN, and Meshtastic protocols and is compatible with HomeAssistant ecosystem.
Allegro MicroSystems ASEK-30 Sensor Programmer
02.03.2026
02.03.2026
This programmer is an interface between a PC and an Allegro sensor IC.
Vishay SE30CLJ Surface-Mount High Voltage Rectifiers
02.03.2026
02.03.2026
Engineered for robust performance in demanding power conversion applications.
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