Les plus récent(e)s Diodes et redresseurs

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Littelfuse Thyristor simple CMA160E1600HF

02.06.2026

- 160 A, 1 600 V haute performance, il dispose d'une structure de puce planaire passivée dans un boîtier PLUS247.

Littelfuse Diodes haute fiabilité SM15KPA-HRA et SM30KPA-HRA

01.13.2026

- Protègent les interfaces E/S, le bus VCC et d'autres circuits dans les applications d'avionique, d'aviation et d'eVTOL.

Littelfuse Diodes TVS SP432x-01WTG

01.08.2026

- Offrent une très faible capacité, une protection bidirectionnelle et un niveau de protection élevé.

Littelfuse Réseau de diodes TVS à faibles capacités AQ3118-02JTG

11.12.2025

- Protection à 2 voies contre les décharges électrostatiques (DES) et contre les surtensions, capacité E/S-E/S de 0,3 pF et courant de fuite de 50 nA sous 18 V.

Littelfuse Diode TVS bidirectionnelle AQ4324-01ETG

10.22.2025

- Offre une haute protection pour les équipements électroniques mono-canal susceptibles de subir des décharges électrostatiques (DES) destructrices.

Littelfuse Diodes TVS automobiles SZSMF6L

08.29.2025

- Protègent les interfaces d'E/S, le bus de VCC et d'autres circuits vulnérables dans les applications électroniques automobiles.

Littelfuse Solutions d'écosystème de dispositifs d'administration de médicaments connectés

07.11.2025

- Large portefeuille de produits utilisés pour construire et améliorer les systèmes de distribution de médicaments.

Littelfuse Diodes TVS DFNAK3

06.23.2025

- Elles offrent un courant de surtension de 3 kA et la conformité à la norme IEC 61000-4-5 dans un boîtier compact pour montage en surface.

Littelfuse MOSFET de puissance SiC 1 200 V IXSJxN120R1

06.23.2025

- Dispositifs haute performance conçus pour des applications de conversion d'énergie exigeantes.

Littelfuse Diode TVS SC1230-01UTG

06.04.2025

- 22V, 60pF, 9A, unidirectional discrete TVS diode that provides general-purpose ESD protection.

Littelfuse Diode TVS SC1122-01ETG

06.04.2025

- Diode TVS discrète unidirectionnelle de 22 V, 60 pF, 9 A, qui offre une protection DES à usage général.

Littelfuse Diodes TVS 5.0SMDJ-FB

05.21.2025

- Designed specifically to protect sensitive electronic equipment from voltage transient events.

Littelfuse Thyristor SIDACtor Px0S3H à courant de surtension élevé

05.02.2025

- Conçu pour offrir une protection robuste contre les surtensions dans les environnements à forte exposition.

Littelfuse LX5 TRIAC à porte sensible 0,5 A

04.25.2025

- Une série de commutateurs à semi-conducteurs bidirectionnels qui offre une interface directe aux pilotes de microprocesseur.

Littelfuse Thyristors SCR Sxx30x

04.09.2025

- Pour des applications telles que les relais à semi-conducteurs, les outils électriques industriels et le contrôle de moteur haute puissance.

Littelfuse Thyristors de protection SIDACtor® Pxx00S3G-A

01.28.2025

- Conçus pour protéger les lignes électriques CA situées dans des environnements hostiles contre les surtensions transitoires.

Littelfuse Diodes TVS ultra basse tension SMF

01.20.2025

- Conçues pour protéger les équipements électroniques sensibles contre les surtensions induites par la foudre.

Littelfuse Solutions pour le groupe motopropulseur des véhicules électriques

01.07.2025

- Large gamme de solutions de groupe motopropulseur xEV adaptées aux environnements automobiles.

Littelfuse Diodes TVS asymétriques TPSMB

12.06.2024

- Conçues pour protéger les équipements électroniques sensibles des transitoires de tension dus aux éclairs.

Littelfuse Diodes TVS automobiles TPSMB-L

12.02.2024

- Présentent une capacité de dissipation de puissance d'impulsion de crête de 600 W à une forme d'onde de 10/1 000 μs.

Littelfuse AQ1205-01LTG Diode TVS bidirectionnelle

11.28.2024

- Conçue à l'aide de la technologie propriétaire d'avalanche au silicium et fournit une protection DES élevée.

Littelfuse Diodes à barrière de Schottky SiC LSIC2SD065D40CC

11.18.2024

- Temps de commutation extrêmement court et comportement de commutation indépendant de la température.

Littelfuse Barrettes de diodes TVS BLUETOOTH® AQx-01FLTG

09.30.2024

- La technologie propriétaire d'avalanche au silicium protège les équipements électroniques contre les décharges électrostatiques.

Littelfuse Diodes TVS à montage en surface SM8S

08.26.2024

- Le boîtier SMTO-263 avec des modifications de fil et un profil mince minimise l’encombrement de la carte de circuit imprimé.

Littelfuse Diode TVS bidirectionnelle AQ24ETH-02HTG

07.31.2024

- Conforme à la norme Ethernet 100/1000 BASE-T1 de l'OPEN Alliance et aux autres applications de réseau de données haut débit.

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Littelfuse Thyristor simple CMA160E1600HF

02.06.2026

- 160 A, 1 600 V haute performance, il dispose d'une structure de puce planaire passivée dans un boîtier PLUS247.

TDK-Lambda i1R ORing MOSFET Modules

02.05.2026

- High-efficiency and low-loss power devices designed to replace traditional diodes.

Vishay High Current Density/Voltage Schottky Rectifiers

02.03.2026

- Delivers robust performance for demanding power‑conversion applications.

Vishay Diodes de puissance SCHOTTKY en carbure de silicium

02.03.2026

- Offrent une efficacité, une robustesse et une fiabilité exceptionnelles dans les applications exigeantes d’électronique de puissance.

Vishay SE30CLJ Surface-Mount High Voltage Rectifiers

02.03.2026

- Engineered for robust performance in demanding power conversion applications.

Diotec Semiconductor BZX84B3V6 SMD Planar Zener Diode

02.03.2026

- Offers a sharp zener voltage breakdown and a low leakage current.

Vishay SE40CLJ Surface-Mount High Voltage Rectifiers

02.03.2026

- Designed for demanding power conversion applications

IXYS X4-Class Power MOSFETs

02.02.2026

- Offer low on-state resistance and conduction losses, with improved efficiency.

Qorvo Transistors au GaN avec adaptation d’entrée QPD1014A

01.20.2026

- Transistors discrets HEMT GaN sur SiC avec adaptation d’entrée 50 Ω, 15 W (P 3dB), et fonctionnant de 30 MHz à 1,2 GHz.

IXYS Diodes haute tension et à récupération rapide DP

01.20.2026

- Diodes SCHOTTKY de 600 V ou 1 200 V avec un courant de fuite inverse faible et un temps de récupération rapide.

Qorvo Transistors GaN avec adaptation d'entrée QPD1011A

01.19.2026

- Transistor HEMT discret technologie GaN-sur-SiC avec adaptation d’entrée 50 Ω, 7 W (P3 dB), fonctionnant de 30 MHz à 1,2 GHz.

Qorvo Transistors au GaN avec adaptation d'entrée QPD1004A

01.19.2026

- Le transistor discret au nitrure de gallium sur carbure de silicium à haute mobilité d'éléctrons (HEMT GaN sur SiC), 25 W, avec adaptation d'entrée 50 Ω, fonctionne de 30 MHz à 1 400 MHz sur un rail d’alimentation de 50 V.

Littelfuse Diodes haute fiabilité SM15KPA-HRA et SM30KPA-HRA

01.13.2026

- Protègent les interfaces E/S, le bus VCC et d'autres circuits dans les applications d'avionique, d'aviation et d'eVTOL.

Littelfuse Diodes TVS SP432x-01WTG

01.08.2026

- Offrent une très faible capacité, une protection bidirectionnelle et un niveau de protection élevé.

onsemi MOSFET de puissance à canal N 80 V NVBYST0D6N08X

12.26.2025

- Ce dispositif offre un faible QRR et une diode de corps à récupération progressive dans un boîtier TCPAK1012 (TopCool).

Infineon Technologies MOSFET de puissance OptiMOS™ 6 80 V

12.23.2025

- Définit les performances de référence du secteur grâce à une large offre de portefeuille.

Infineon Technologies MOSFET CoolSiC™ automobile 750 V G2

12.19.2025

- Conçus pour répondre aux exigences strictes des applications dédiées aux véhicules électriques (VE).

onsemi MOSFET N voies double NVMFD5877NL

12.19.2025

- Conçu pour des conceptions compactes et efficaces, incluant des performances thermiques élevées.

STMicroelectronics Transistor PowerGaN e-mode SGT080R70ILB

12.04.2025

- Le transistor E-Mode PowerGaN conçu pour des applications de conversion d’énergie à haute efficacité.

onsemi MOSFET NxT2023N065M3S EliteSiC

12.04.2025

- Présentent une faible capacité de sortie effective et une charge de grille ultra-faible.

Infineon Technologies Transistors discrets 750 V TRENCHSTOP™ IGBT7 H7

12.01.2025

- Le boîtier DTO247 remplace plusieurs transistors à faible courant dans des boîtiers TO247 connectés en parallèle.

onsemi MOSFET à canal P basse/moyenne tension NTTFS007P02P8

11.25.2025

- Conçu avec la technologie PowerTrench pour des performances de commutation avec une RDS(on) extrêmement faible et une grande robustesse.

onsemi MOSFET à petit signal FDC642P-F085

11.25.2025

- Doté d’une technologie à tranchées haute performance pour une RDS(on) extrêmement faible et d’une vitesse de commutation rapide.

iDEAL Semiconductor iS20M028S1C SuperQ™ 200V N-Ch Power MOSFETs

11.24.2025

- Designed for SMPS and high-efficiency motor drives in a robust PDFN package measuring 5mm x 6mm.

Diotec Semiconductor LDP02-26CAYD2-AQ SMD TVS Diode

11.24.2025

- Offers 6600 W peak power, fast response, and ISO-16750-2 load-dump test compliance.

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