Types de Semi-conducteurs
Filtres appliqués:
ROHM Semiconductor Modules de puissance de haute densité au SiC
04.10.2026
04.10.2026
Les boîtiers TRCDRIVE pack™, DOT-247 et HSDIP20 contribuent à une conversion performante de puissance.
ROHM Semiconductor Ensemble TRCDRIVE™ BST400D12P4A1x1 à Modules moulés
03.17.2026
03.17.2026
Présente une tension nominale de 1 200 V en boîtier de 41,6 × 52,5 mm et intègre des MOSFET au SiC de 4e génération.
ROHM Semiconductor Amplificateur opérationnel LMRx802-LB
11.24.2025
11.24.2025
L’ampli op présente un faible niveau de bruit, une tension de décalage d’entrée faible et un faible courant de polarisation d’entrée.
ROHM Semiconductor Convertisseurs à circuits intégrés BM2P10xJ-ZCC/CC de type PWM
11.03.2025
11.03.2025
Ils comportent un MOSFET intégré de commutation de 730 V et fonctionnent directement sur secteur CA haute tension.
ROHM Semiconductor MOSFET SiC à canal N de 750 V
10.17.2025
10.17.2025
Les dispositifs augmentent la fréquence de commutation, réduisant ainsi les condensateurs, les réacteurs et les autres composants requis.
ROHM Semiconductor MOSFET de puissance automobile RD3x
10.16.2025
10.16.2025
MOSFET AEC-Q101 avec tension directe faible, temps de récupération rapide et capacité de surtension élevée.
ROHM Semiconductor CI convertisseurs CC/CC de type MLI BM2P06xJ-Z
09.26.2025
09.26.2025
Conçu pour les applications d'alimentation CA-CC isolée compactes et efficaces.
ROHM Semiconductor Carte d'évaluation BM3G115MUV-EVK-003
08.27.2025
08.27.2025
Conçue pour évaluer et démontrer les capacités du CI à étage de puissance HEMT BM3G115MUV.
ROHM Semiconductor Carte d'évaluation BM3G107MUV-EVK-003
08.27.2025
08.27.2025
Conçue pour évaluer et démontrer les capacités du CI à étage de puissance HEMT au GaN BM3G107MUV.
ROHM Semiconductor MOSFET de puissance RJ1x10BBG
08.21.2025
08.21.2025
MOSFET de puissance à canal N avec faible résistance à l'état passant et boîtier haute puissance.
ROHM Semiconductor Diodes PIN de qualité automobile RNxMFH
08.21.2025
08.21.2025
Diodes de qualité automobile avec un boîtier surmoulé ultra-compact adapté à la commutation à haute fréquence.
ROHM Semiconductor MOSFET à canal P RQxAT
08.21.2025
08.21.2025
Comprennent un boîtier monté en surface avec une faible résistance à l'état passant et sont testés à 100 % Rg et UIS.
ROHM Semiconductor Diode à récupération ultra-rapide RF202LB2S
08.21.2025
08.21.2025
Une diode à récupération ultra-rapide de type planaire épitaxiale en silicium, caractérisée par un faible VF et de faibles pertes de commutation.
ROHM Semiconductor MOSFET de puissance SiC canal N 1 700 V SCT2H12NWB
08.21.2025
08.21.2025
MOSFET SiC avec une tension de source de drain (VDSS) de 1 700 V et un courant de drain continu (ID) de 3,9 A.
ROHM Semiconductor Diode PIN RN242SM
08.20.2025
08.20.2025
Présente une faible capacité et un boîtier moulé ultra-compact, adapté à la commutation haute fréquence.
ROHM Semiconductor MOSFET de puissance de canal P -30 V RH7E04BBJFRA
08.19.2025
08.19.2025
MOSFET de qualité automobile avec une tension drain-source (VDSS) de -30 V et un courant drain (ID) de ±40 A, conforme à la norme AEC-Q101.
ROHM Semiconductor MOSFET de puissance à canal P -60 V RH7L04CBJFRA
08.19.2025
08.19.2025
Un MOSFET de qualité automobile avec une VDSS de -60 V et une ID de ±36 A, homologué AEC-Q101.
ROHM Semiconductor EEPROM SPI BUS BR25G-5
08.19.2025
08.19.2025
Ces dispositifs sont des EEPROM en série 16 kbit avec une interface SPI BUS et 4 millions de cycles d'écriture.
ROHM Semiconductor MOSFET de puissance de canal N 40 V RQ3G120BKFRA
08.19.2025
08.19.2025
MOSFET de qualité automobile avec une tension de source de 40 V (VDSS) et un courant de drain continu (ID) de ±12 A, certifié AEC-Q101.
ROHM Semiconductor MOSFET à signal faible et canal P RQ5G040AT -40 V
08.19.2025
08.19.2025
Un MOSFET spécifié pour une tension drain-source de -40 V (VDSS) et un courant de drain continu (ID) de ±4,0 A.
ROHM Semiconductor MOSFET de puissance à canal N RH7L04 60 V
08.19.2025
08.19.2025
MOSFET de qualité automobile homologués AEC-Q101, classés pour 60 V VDSS et ±40 A ID.
ROHM Semiconductor Diodes Zener JMZV8.2B de 5 mA
08.19.2025
08.19.2025
Les dispositifs sont livrés dans un boîtier PMDE (petit moule d’alimentation) adapté aux applications de régulation de tension.
ROHM Semiconductor MOSFET de puissance 60 V à canal N RH7L03
08.19.2025
08.19.2025
MOSFET de qualité automobile avec une tension VDSS de 60 V et un courant ID continu de ±35 A, homologué AEC-Q101.
ROHM Semiconductor MOSFET de puissance de canal N RH7P04BBKFRA 100 V
08.19.2025
08.19.2025
MOSFET de puissance de qualité automobile avec une tension VDSS de 100 V et un courant ID de ±40 A, conforme à la norme AEC-Q101.
ROHM Semiconductor MOSFET de puissance de canal N 40 V RH7G04
08.19.2025
08.19.2025
Ces dispositifs sont des MOSFET de qualité automobile certifiés AEC-Q101, avec une tension de crête VDSS de 40 V et un courant de décharge IDde ±40 A.
Consulter : 1 - 25 sur 224
Texas Instruments TPLD2001 Programmable Logic Devices
05.19.2026
05.19.2026
Feature versatile programmable logic ICs with combinational, sequential, and analog blocks.
Advantech ASR-A701 Dev Kit with GMSL Camera Solution
05.19.2026
05.19.2026
Edge AI development platform designed to accelerate autonomous system and robotics development.
Diodes Incorporated APR3492 Dual-Channel MOSFET Driver
05.19.2026
05.19.2026
A secondary-side MOSFET driver for synchronous rectification in LLC resonant converters.
Texas Instruments MUX80X-Q1 Single 8:1 & Dual 4:1 Multiplexers
05.19.2026
05.19.2026
High-voltage analog multiplexers in 8:1 (single-ended) and 4:1 (differential) configurations.
Microchip Technology EV17P63A Curiosity Nano Evaluation Kit
05.19.2026
05.19.2026
A cost-effective board that facilitates easy evaluation and adoption of 32-bit dsPIC33A DSCs.
Hailo Hailo-8 AI Processor
05.19.2026
05.19.2026
Features up to 26 tera-operations per second (TOPS) in a size smaller than a penny.
Hailo Hailo-8R Mini PCIe AI Acceleration Module
05.19.2026
05.19.2026
Plugs into an existing edge device with a PCI Express Mini (mPCIe) Full-Mini socket.
Hailo Hailo-8L Entry-Level AI Accelerator
05.19.2026
05.19.2026
Designed to support entry-level products requiring limited AI capacity or lower performance.
Texas Instruments 2N7002L 6V N-channel MOSFETs
05.18.2026
05.18.2026
Designed to minimize the on-state resistance while maintaining fast switching performance.
Texas Instruments INA151 Precision Difference Amplifiers
05.18.2026
05.18.2026
Come with an input common-mode voltage range of up to 110V above the negative supply (recommended).
Texas Instruments OPA4488 Operational Amplifiers
05.18.2026
05.18.2026
48V, wide-bandwidth, low noise, zero-drift, and Mux-friendly operational amplifiers (op amps).
Texas Instruments TLV2886 Operational Amplifier
05.18.2026
05.18.2026
Low-noise, wide-bandwidth, zero-drift operational amplifier, with a proprietary MUX-friendly input.
Texas Instruments OPA2486 Operational Amplifier
05.18.2026
05.18.2026
48V, low-noise, wide-bandwidth, low-power, and zero-drift operational amplifier.
STMicroelectronics L99MH94/L99MH92 Half-Bridge Pre-Drivers
05.14.2026
05.14.2026
These devices are dedicated to controlling up to eight N-channel MOSFETs.
Intel Processeurs graphiques (GPU) Arc™ Pro B65
05.14.2026
05.14.2026
Il dispose de 32 Go de mémoire GDDR6, d'une bande passante mémoire élevée et de moteurs d'IA XMX.
Diodes Incorporated Convertisseurs synchrones buck AP68065xQ/AP68105xQ
05.14.2026
05.14.2026
Adaptés pour des applications automobiles nécessitant un contrôle spécifique lors de variations
Littelfuse TMR Omnipolar Push Pull Switch Sensor
05.14.2026
05.14.2026
Provide a magnetically triggered digital switch with high sensitivity and low powerconsumption.
DFRobot NVIDIA® Nano™ & Xavier™ NX Jetson Carrier Board
05.13.2026
05.13.2026
Created to bridge the gap between theoretical AI concepts and practical edge computing deployment.
Diodes Incorporated PI6CL10806/PI6CL10808 LVCMOS Clock Buffers
05.13.2026
05.13.2026
Delivers 6 or 8 outputs, a 1.0V to 1.8V power supply, and output-to-output skew as low as 40ps.
Diodes Incorporated API2155X-EVB1 Evaluation Board
05.13.2026
05.13.2026
Designed to evaluate the dual-channel gate driver family in SO-14W/SO-16W packages.
Texas Instruments Traducteur de niveau bidirectionnel automatique TXB0604
05.13.2026
05.13.2026
Traducteur bidirectionnel automatique non inverseur qui utilise deux rails d'alimentation configurables distincts.
Kingston DataTraveler® Exodia™ USB Flash Drives
05.12.2026
05.12.2026
USB 3.2 Gen 1 flash drives with a USB-A connection for convenient storage.
Intel Processeurs Core™ série 3
05.12.2026
05.12.2026
Processeurs multicœurs 64 bits construits sur les processus 18A, N6 et N3E, y compris les processeurs Core 3, 5 et 7.
Intel Processeur Intel® Xeon® D-1533N
05.12.2026
05.12.2026
Processeur de serveur intégré 6 cœurs (12 threads) basé sur l'architecture Broadwell (14 nm).
Bourns CDSOT23-SM712-Q Surface Mount TVS Diode
05.12.2026
05.12.2026
Provides protection for data ports in accordance with IEC 61000-4-2, IEC 61000-4-4, & IEC 61000-4-5.
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