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Types de Semi-conducteurs

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ROHM Semiconductor Modules de puissance de haute densité au SiC

04.10.2026

- Les boîtiers TRCDRIVE pack™, DOT-247 et HSDIP20 contribuent à une conversion performante de puissance.

ROHM Semiconductor Ensemble TRCDRIVE™ BST400D12P4A1x1 à Modules moulés

03.17.2026

- Présente une tension nominale de 1 200 V en boîtier de 41,6 × 52,5 mm et intègre des MOSFET au SiC de 4e génération.

ROHM Semiconductor Amplificateur opérationnel LMRx802-LB

11.24.2025

- L’ampli op présente un faible niveau de bruit, une tension de décalage d’entrée faible et un faible courant de polarisation d’entrée.

ROHM Semiconductor Convertisseurs à circuits intégrés BM2P10xJ-ZCC/CC de type PWM

11.03.2025

- Ils comportent un MOSFET intégré de commutation de 730 V et fonctionnent directement sur secteur CA haute tension.

ROHM Semiconductor MOSFET SiC à canal N de 750 V

10.17.2025

- Les dispositifs augmentent la fréquence de commutation, réduisant ainsi les condensateurs, les réacteurs et les autres composants requis.

ROHM Semiconductor MOSFET de puissance automobile RD3x

10.16.2025

- MOSFET AEC-Q101 avec tension directe faible, temps de récupération rapide et capacité de surtension élevée.

ROHM Semiconductor CI convertisseurs CC/CC de type MLI BM2P06xJ-Z

09.26.2025

- Conçu pour les applications d'alimentation CA-CC isolée compactes et efficaces.

ROHM Semiconductor Carte d'évaluation BM3G115MUV-EVK-003

08.27.2025

- Conçue pour évaluer et démontrer les capacités du CI à étage de puissance HEMT BM3G115MUV.

ROHM Semiconductor Carte d'évaluation BM3G107MUV-EVK-003

08.27.2025

- Conçue pour évaluer et démontrer les capacités du CI à étage de puissance HEMT au GaN BM3G107MUV.

ROHM Semiconductor MOSFET à canal P RQxAT

08.21.2025

- Comprennent un boîtier monté en surface avec une faible résistance à l'état passant et sont testés à 100 % Rg et UIS.

ROHM Semiconductor MOSFET de puissance RJ1x10BBG

08.21.2025

- MOSFET de puissance à canal N avec faible résistance à l'état passant et boîtier haute puissance.

ROHM Semiconductor MOSFET de puissance SiC canal N 1 700 V SCT2H12NWB

08.21.2025

- MOSFET SiC avec une tension de source de drain (VDSS) de 1 700 V et un courant de drain continu (ID) de 3,9 A.

ROHM Semiconductor Diode à récupération ultra-rapide RF202LB2S

08.21.2025

- Une diode à récupération ultra-rapide de type planaire épitaxiale en silicium, caractérisée par un faible VF et de faibles pertes de commutation.

ROHM Semiconductor Diodes PIN de qualité automobile RNxMFH

08.21.2025

- Diodes de qualité automobile avec un boîtier surmoulé ultra-compact adapté à la commutation à haute fréquence.

ROHM Semiconductor Diode PIN RN242SM

08.20.2025

- Présente une faible capacité et un boîtier moulé ultra-compact, adapté à la commutation haute fréquence.

ROHM Semiconductor MOSFET à signal faible et canal P RQ5G040AT -40 V

08.19.2025

- Un MOSFET spécifié pour une tension drain-source de -40 V (VDSS) et un courant de drain continu (ID) de ±4,0 A.

ROHM Semiconductor MOSFET de puissance de canal N 40 V RQ3G120BKFRA

08.19.2025

- MOSFET de qualité automobile avec une tension de source de 40 V (VDSS) et un courant de drain continu (ID) de ±12 A, certifié AEC-Q101.

ROHM Semiconductor MOSFET de puissance 60 V à canal N RH7L03

08.19.2025

- MOSFET de qualité automobile avec une tension VDSS de 60 V et un courant ID continu de ±35 A, homologué AEC-Q101.

ROHM Semiconductor MOSFET de puissance de canal P -30 V RH7E04BBJFRA

08.19.2025

- MOSFET de qualité automobile avec une tension drain-source (VDSS) de -30 V et un courant drain (ID) de ±40 A, conforme à la norme AEC-Q101.

ROHM Semiconductor EEPROM SPI BUS BR25G-5

08.19.2025

- Ces dispositifs sont des EEPROM en série 16 kbit avec une interface SPI BUS et 4 millions de cycles d'écriture.

ROHM Semiconductor MOSFET de puissance de canal N RH7P04BBKFRA 100 V

08.19.2025

- MOSFET de puissance de qualité automobile avec une tension VDSS de 100 V et un courant ID de ±40 A, conforme à la norme AEC-Q101.

ROHM Semiconductor MOSFET de puissance à canal P -60 V RH7L04CBJFRA

08.19.2025

- Un MOSFET de qualité automobile avec une VDSS de -60 V et une ID de ±36 A, homologué AEC-Q101.

ROHM Semiconductor MOSFET de puissance à canal N RH7L04 60 V

08.19.2025

- MOSFET de qualité automobile homologués AEC-Q101, classés pour 60 V VDSS et ±40 A ID.

ROHM Semiconductor Diodes Zener JMZV8.2B de 5 mA

08.19.2025

- Les dispositifs sont livrés dans un boîtier PMDE (petit moule d’alimentation) adapté aux applications de régulation de tension.

ROHM Semiconductor MOSFET de puissance de canal N 40 V RH7G04

08.19.2025

- Ces dispositifs sont des MOSFET de qualité automobile certifiés AEC-Q101, avec une tension de crête VDSS de 40 V et un courant de décharge IDde ±40 A.

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Diodes Incorporated APR3492 Dual-Channel MOSFET Driver

05.19.2026

- A secondary-side MOSFET driver for synchronous rectification in LLC resonant converters.

Texas Instruments 2N7002L 6V N-channel MOSFETs

05.18.2026

- Designed to minimize the on-state resistance while maintaining fast switching performance.

Texas Instruments OPA2486 Operational Amplifier

05.18.2026

- 48V, low-noise, wide-bandwidth, low-power, and zero-drift operational amplifier.

Texas Instruments TLV2886 Operational Amplifier

05.18.2026

- Low-noise, wide-bandwidth, zero-drift operational amplifier, with a proprietary MUX-friendly input.

Texas Instruments INA151 Precision Difference Amplifiers

05.18.2026

- Come with an input common-mode voltage range of up to 110V above the negative supply (recommended).

Texas Instruments OPA4488 Operational Amplifiers

05.18.2026

- 48V, wide-bandwidth, low noise, zero-drift, and Mux-friendly operational amplifiers (op amps).

Intel Processeurs graphiques (GPU) Arc™ Pro B65

05.14.2026

- Il dispose de 32 Go de mémoire GDDR6, d'une bande passante mémoire élevée et de moteurs d'IA XMX.

Littelfuse TMR Omnipolar Push Pull Switch Sensor

05.14.2026

- Provide a magnetically triggered digital switch with high sensitivity and low powerconsumption.

Diodes Incorporated Convertisseurs synchrones buck AP68065xQ/AP68105xQ

05.14.2026

- Adaptés pour des applications automobiles nécessitant un contrôle spécifique lors de variations

STMicroelectronics L99MH94/L99MH92 Half-Bridge Pre-Drivers

05.14.2026

- These devices are dedicated to controlling up to eight N-channel MOSFETs.

Diodes Incorporated API2155X-EVB1 Evaluation Board

05.13.2026

- Designed to evaluate the dual-channel gate driver family in SO-14W/SO-16W packages.

Diodes Incorporated PI6CL10806/PI6CL10808 LVCMOS Clock Buffers

05.13.2026

- Delivers 6 or 8 outputs, a 1.0V to 1.8V power supply, and output-to-output skew as low as 40ps.

DFRobot NVIDIA® Nano™ & Xavier™ NX Jetson Carrier Board

05.13.2026

- Created to bridge the gap between theoretical AI concepts and practical edge computing deployment.

Texas Instruments Traducteur de niveau bidirectionnel automatique TXB0604

05.13.2026

- Traducteur bidirectionnel automatique non inverseur qui utilise deux rails d'alimentation configurables distincts.

Intel Processeur Intel® Xeon® D-1533N

05.12.2026

- Processeur de serveur intégré 6 cœurs (12 threads) basé sur l'architecture Broadwell (14 nm).

Kingston DataTraveler® Exodia™ USB Flash Drives

05.12.2026

- USB 3.2 Gen 1 flash drives with a USB-A connection for convenient storage.

Bourns CDSOT23-SM712-Q Surface Mount TVS Diode

05.12.2026

- Provides protection for data ports in accordance with IEC 61000-4-2, IEC 61000-4-4, & IEC 61000-4-5.

Intel Processeurs Core™ série 3

05.12.2026

- Processeurs multicœurs 64 bits construits sur les processus 18A, N6 et N3E, y compris les processeurs Core 3, 5 et 7.

Texas Instruments Module d'évaluation (EVM) UCC34141EVM-116

05.11.2026

- Évaluation rapide et facile des caractéristiques de performance et des capacités de l’UCC34141-Q1.

Alif Semiconductor Ensemble® E1C DevKit & StartKit

05.11.2026

- Enables the evaluation of the Ensemble® E1C MCUs.

Alif Semiconductor Balletto B1 DevKit & StartKit

05.11.2026

- Enables evaluation of the Balletto B1 MCUs with a BLUETOOTH® LE 5.3 + 802.15.4 radio subsystem.

Texas Instruments Kit de développement MSPM0L2228 LaunchPad™

05.11.2026

- Contient tout le nécessaire pour commencer le développement sur la plateforme de microcontrôleur MSPM0Lx22x.

Texas Instruments EVM de gestionnaire de bloc de batterie Li-ion bq41Z90EVM

05.11.2026

- Ce module est un système complet permettant d'évaluer la fonctionnalité de la jauge de carburant bq41Z90.

Texas Instruments eFuse empilable 20 A TPS1689x

05.11.2026

- Solution intégrée de gestion de l'alimentation et de protection de circuit à courant élevé dans un boîtier compact.

Texas Instruments Tensions de référence à courant faible REF30/REF30E

05.08.2026

- Tensions de référence de précision, à faible puissance et faible perte de niveau, disponibles dans un minuscule boîtier SOT-23 à 3 broches.

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