Les plus récent(e)s MOSFET – Mouser Luxembourg

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Nexperia MOSFET canal N BUK7Q dans boîtier MLPAK33-WF

09.29.2025

- Utilise la technologie Trench 9, répond aux exigences AEC-Q101.

Nexperia MOSFET à tranchée et canal N BUK9Q

09.09.2025

- Compatible aux niveaux logiques, commutation rapide et entièrement homologuée pour l'automobile selon la norme AEC-Q101 à 175 °C.

Nexperia MOSFET BUK6Q66-60PJ

08.27.2025

- FET à canal P dans un boîtier plastique CMS MLPAK33 (SOT8002-3) utilisant la technologie MOSFET Trench.

Nexperia MOSFET BUK6Q8R2-30PJ

08.27.2025

- FET à canal P dans un boîtier plastique CMS MLPAK33 (SOT8002-3) utilisant la technologie MOSFET Trench.

Nexperia MOSFET BUK6Q21-30PJ

08.19.2025

- FET à canal P 30 V dans un boîtier CMS en plastique MLPAK33 (SOT8002-3) utilisant la technologie de MOSFET à tranchée.

Nexperia MOSFET BUK6Q26-40PJ

08.19.2025

- FET à canal P dans un boîtier plastique CMS MLPAK33 (SOT8002-3) utilisant la technologie MOSFET à tranchée.

Nexperia MOSFET BUK6Q12-40PJ

08.19.2025

- FET à canal P dans un boîtier plastique CMS MLPAK33 (SOT8002-3) utilisant la technologie MOSFET à tranchée.

Nexperia MOSFET à tranchée de niveau logique canal N PXNx

04.14.2025

- MOSFET 60 V et 100 V conçus pour une gestion de l'alimentation à haut rendement dans diverses applications.

Nexperia NX5020x FET à mode d’amélioration à canal N

04.01.2025

- Les dispositifs ont une tension de seuil très faible et une commutation très rapide grâce à la technologie MOSFET à tranchée.

Nexperia MOSFET de puissance à application spécifique

01.21.2025

- Combines proven MOSFET expertise with broad application understanding to create an expanding range.

Nexperia ASFET CCPAK pour hotswap et démarrage progressif

01.08.2025

- Offers a reliable linear mode, enhanced SOA, and low RDS(on) in a single device.

Nexperia MOSFET à canal N BUK7J2R4-80M

08.30.2024

- Basé sur la technologie de grille divisée à faible valeur ohmique Trench 14 et logé dans un boîtier LFPAK56E.

Nexperia MOSFET SiC à canal N NSF0x0120

07.01.2024

- Offers superior RDS(on) temperature stability in a standard 7-pin TO-263 plastic package.

Nexperia MOSFET à canal N NextPower PSMNxRx-80YSF

06.24.2024

- MOSFET à commande de grille de niveau standard de 80 V avec un faible Qrr pour une efficacité plus élevée et un pic plus faible.

Nexperia MOSFET à tranchée et canal N 2N7002AK

04.04.2024

- Small AEC-Q101-qualified SMD plastic packages using Trench MOSFET technology.

Nexperia MOSFET à tranchée et canal N BSS138AK

04.04.2024

- AEC-Q101-qualified N-channel enhancement mode Field-Effect Transistors (FETs) in small SMD packages.

Nexperia ASFET à canal N PSMN047-100NSE

04.04.2024

- Les 100 V, 53 mΩ ASFET combinent un SOA amélioré dans un encombrement compact 2 mm x 2 mm,

Nexperia ASFET à canal N PSMN071-100NSE

02.28.2024

- Conçus pour le remplacement de relais, la gestion d’appel et les applications de gestion de batterie.

Nexperia MOSFET NextPowerS3 optimisés CEM

02.28.2024

- Logés dans des boîtiers space-Guard LFPAK56, idéaux pour les applications de commande de moteur CC brushless.

Nexperia MOSFET à canal N BUK7Y1R0-40N et BUK7Y3R1-80M

02.23.2024

- Conçu et qualifié pour répondre aux exigences AEC-Q101, fournissant de hautes performances et une haute endurance.

Nexperia MOSFET à canal N PSMN028

05.19.2023

- MOSFET à canal N de niveau standard double logé dans un boîtier LFPAK56D (Dual Power-SO8).

Nexperia MOSFET à canal N PSMN025

05.19.2023

- MOSFET à canal N de niveau standard double logé dans un boîtier LFPAK56D (Dual Power-SO8).

Nexperia MOSFET à canal N PSMN1R9 et PSMN2R3

02.27.2023

- Conçus pour des performances et une fiabilité extrêmes.

Nexperia Produits de boîtiers à montage en surface SOT8015

07.26.2022

- Offrent un boîtier plastique, sans fil, à faible encombrement extrêmement mince avec flancs mouillables latéraux (SWF).

Nexperia Produits de boîtiers à montage en surface SOT23

07.26.2022

- Contenus dans un boîtier plastique à montage en surface, trois bornes, pas de 1,9 mm, 2,9 mm x 1,3 mm x 1 mm.

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IXYS X4-Class Power MOSFETs

02.02.2026

- Offer low on-state resistance and conduction losses, with improved efficiency.

onsemi MOSFET de puissance à canal N 80 V NVBYST0D6N08X

12.26.2025

- Ce dispositif offre un faible QRR et une diode de corps à récupération progressive dans un boîtier TCPAK1012 (TopCool).

Infineon Technologies MOSFET de puissance OptiMOS™ 6 80 V

12.23.2025

- Définit les performances de référence du secteur grâce à une large offre de portefeuille.

onsemi MOSFET N voies double NVMFD5877NL

12.19.2025

- Conçu pour des conceptions compactes et efficaces, incluant des performances thermiques élevées.

onsemi MOSFET à canal P basse/moyenne tension NTTFS007P02P8

11.25.2025

- Conçu avec la technologie PowerTrench pour des performances de commutation avec une RDS(on) extrêmement faible et une grande robustesse.

onsemi MOSFET à petit signal FDC642P-F085

11.25.2025

- Doté d’une technologie à tranchées haute performance pour une RDS(on) extrêmement faible et d’une vitesse de commutation rapide.

iDEAL Semiconductor iS20M028S1C SuperQ™ 200V N-Ch Power MOSFETs

11.24.2025

- Designed for SMPS and high-efficiency motor drives in a robust PDFN package measuring 5mm x 6mm.

onsemi MOSFET de puissance monocanal N NVD5867NL

11.20.2025

- Il présente une tension drain-source de 60 V et une résistance drain-source de 39 mΩ et est homologué AEC-Q101.

onsemi MOSFET à canal N unique NVD6824NL

11.20.2025

- Affichent une RDS(on) faible pour minimiser les pertes de conduction et supportent des courants élevés.

onsemi MOSFET de puissance monocanal N NVMFS5830NL

11.19.2025

- MOSFET de puissance à canal N unique haute efficacité conçu pour des applications exigeantes de gestion de l'alimentation.

onsemi MOSFET de puissance monocanal N NVMFS5832NL

11.19.2025

- MOSFET à hautes performances conçu pour les applications à basse tension nécessitant une commutation d’énergie efficace.

Diodes Incorporated Transistors à effet de champ 2N7002 de type N en mode E

10.31.2025

- Offre des performances de commutation rapides avec une faible charge de grille et une tension drain-source maximale de 60 V.

Diodes Incorporated MOSFET E-Mode à double canal N DMTH64M2LPDW

10.31.2025

- Intègre deux MOSFET dans un boîtier unique PowerDI ® de 5 mm x 6 mm avec d'excellentes performances thermiques.

Diodes Incorporated MOSFET à mode d'amélioration à canal N DMN1057UCA3

10.21.2025

- Offre des performances de commutation supérieures, ce qui est idéal pour les applications de gestion de l'énergie à haut rendement.

Toshiba MOSFET à canal N TPH2R70AR5

10.17.2025

- Idéal pour les convertisseurs CC-CC à haute efficacité, il est disponible dans un boîtier SOP Advance (N).

ROHM Semiconductor MOSFET de puissance automobile RD3x

10.16.2025

- MOSFET AEC-Q101 avec tension directe faible, temps de récupération rapide et capacité de surtension élevée.

onsemi MOSFET de puissance monocanal N NVNJWS200N031L

10.14.2025

- Le dispositif présente une faible résistance RDS(on) et un faible seuil de tension de grille, et est disponible avec un flanc mouillable.

onsemi MOSFET de puissance monocanal P NTK3139P

10.14.2025

- Il est livré dans un boîtier avec une empreinte réduite de 44 % et est 38 % plus fin qu'un boîtier SC-89.

IXYS MOSFET de puissance 200 V de classe X4 MMIX1T500N20X4

10.08.2025

- Le boîtier isolé à base de céramique améliore la Rth(j-s) globale ainsi que la capacité de traitement de puissance.

onsemi MOSFET basse/moyenne tension T10

10.06.2025

- MOSFET monocanal N unique en 40 V et 80 V avec des performances rehaussées et une efficacité système améliorée.

Infineon Technologies MOSFET de puissance 40 V optimisés OptiMOS™ 7

10.02.2025

- Propose des solutions sur mesure pour une conversion d'énergie efficace dans les moteurs, les outils électriques et les outils de jardinage.

Infineon Technologies MOSFET de puissance OptiMOS™ 7 canal N

09.30.2025

- Transistors à canal N haute performance conçus pour les applications de conversion d'énergie exigeantes.

Nexperia MOSFET canal N BUK7Q dans boîtier MLPAK33-WF

09.29.2025

- Utilise la technologie Trench 9, répond aux exigences AEC-Q101.

Nexperia MOSFET à tranchée et canal N BUK9Q

09.09.2025

- Compatible aux niveaux logiques, commutation rapide et entièrement homologuée pour l'automobile selon la norme AEC-Q101 à 175 °C.

onsemi MOSFET de puissance monocanal N NTK3134N

09.08.2025

- MOSFET de puissance monocanal N de 20 V, 890 mA robustes optimisés pour des applications de commutation à haut rendement.

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