Les plus récent(e)s Semiconducteurs discrets

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Types de Semiconducteurs discrets

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IXYS X4-Class Power MOSFETs

02.02.2026

- Offer low on-state resistance and conduction losses, with improved efficiency.

IXYS Diodes haute tension et à récupération rapide DP

01.20.2026

- Diodes SCHOTTKY de 600 V ou 1 200 V avec un courant de fuite inverse faible et un temps de récupération rapide.

IXYS MOSFET de puissance 200 V de classe X4 MMIX1T500N20X4

10.08.2025

- Le boîtier isolé à base de céramique améliore la Rth(j-s) globale ainsi que la capacité de traitement de puissance.

IXYS MOSFET au carbure de silicium (SiC) IXSxNxL2Kx

09.19.2025

- Ces composants affichent une tension de blocage élevée avec une faible résistance à l'état passant [RDS(ON)].

IXYS MOSFET de puissance SiC 1 200 V IXSJxN120R1K

08.27.2025

- Tension de blocage pouvant atteindre 1 200 V avec une faible RDS(on) de 18 mΩ ou 36 mΩ.

IXYS Redresseurs automobiles en silicium série Dx

04.14.2025

- Features glass-passivated junctions, ensuring stable operation and high reliability.

IXYS Diodes SCHOTTKY SiC DCK

04.03.2025

- Affiche exploitation haute fréquence et capacité élevée de courant de surtension.

IXYS Module diode à thyristor MCMA140PD1800TB

03.25.2025

- 140A diode module, integrated with a planar passivated chip and offers long-term stability.

IXYS MOSFET de puissance IXFP34N65X2W

03.17.2025

- 650V, 100mΩ, X2 Class HiPerFET™ power MOSFET with N-channel enhancement mode.

IXYS MOSFET SiC IXSA40N120L2-7

03.06.2025

- Single-switch MOSFET that features 1200V, 80mΩ, 41A industrial-grade device in a TO263-7L package.

IXYS MOSFET SiC IXSA80N120L2-7

03.06.2025

- Single-switch MOSFET that features 1200V, 30mΩ, 79A industrial-grade device in a TO263-7L package.

IXYS MOSFET de puissance IXFH34N65X2W

02.27.2025

- 650V, 100mΩ, X2 Class HiPerFET™ power MOSFET with N-channel enhancement mode.

IXYS MOSFET de puissance IXFH46N65X2W

02.27.2025

- 650V, 69mΩ, X2 Class HiPerFET™ power MOSFET with N-channel enhancement mode.

IXYS MOSFET SiC IXSH40N120L2KHV

02.18.2025

- 1200V, 80mΩ, and 41A MOSFET, recommended for use in industrial switch mode power supplies.

IXYS MOSFET SiC IXSH80N120L2KHV

02.18.2025

- 1200V, 30mΩ, and 79A MOSFET, recommended for use in industrial switch mode power supplies.

IXYS MOSFET miniBLOC IXTNx00N20X4

11.28.2024

- Offrent une tension nominale de 200 V, une plage de courant de 340 A à 500 A et un boîtier SOT-227B.

IXYS 2 diodes à récupération rapide 50 A, 1 200 V DPF100C1200HB

11.22.2024

- Deux diodes de commutation de puissance à usage général dans une configuration à cathode commune et un boîtier TO-247.

IXYS IGBT XPT Gen5

07.25.2024

- Offers a rated voltage of 650V, a current range of 35A to 220A, and a low gate charge.

IXYS Redresseur DPF30U200FC en pont triphasé sous 200 V et à 30 A

07.22.2024

- Ce dispositif sert couramment de redresseur dans des alimentations électriques à découpage (SMPS).

IXYS Diode DSEP60-06AZ à récupération rapide 60 A et 600 V

07.08.2024

- Diode simple à récupération progressive, à faibles pertes et à hautes performances en boîtier TO-268AA (D3PAK-HV).

IXYS SCR sensible SRU6008DS2RP

02.19.2024

- Un SCR à blocage direct élevé de 600 V, idéal pour les applications de décharge de condensateur à haute tension.

IXYS Modules FRED MPA 95-06DA

01.18.2024

- Dispose de puces planaires passivées et permet une faible perte de commutation pour les dispositifs de commutation à haute fréquence.

IXYS Modules thyristors MCMA140P1600TA-NI

01.18.2024

- Dispose de puces planaires passivées et de céramique Al2O3 à liaison directe en cuivre pour la fréquence de ligne.

IXYS Redresseurs à diode unique DMA80I1600HA

08.11.2022

- Comportent des puces passivées planes, un faible courant de fuite et une faible chute de tension directe.

IXYS Double SCR sensibles 1,5 A STP802U2SRP

08.10.2022

- Dv/dt statique élevé avec un faible temps d'arrêt (tq) et un courant à l'état passant de 1,5 ARMS.

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Vishay SE30CLJ Surface-Mount High Voltage Rectifiers

02.03.2026

- Engineered for robust performance in demanding power conversion applications.

Diotec Semiconductor BZX84B3V6 SMD Planar Zener Diode

02.03.2026

- Offers a sharp zener voltage breakdown and a low leakage current.

Vishay SE40CLJ Surface-Mount High Voltage Rectifiers

02.03.2026

- Designed for demanding power conversion applications

Vishay High Current Density/Voltage Schottky Rectifiers

02.03.2026

- Delivers robust performance for demanding power‑conversion applications.

Vishay Diodes de puissance SCHOTTKY en carbure de silicium

02.03.2026

- Offrent une efficacité, une robustesse et une fiabilité exceptionnelles dans les applications exigeantes d’électronique de puissance.

IXYS X4-Class Power MOSFETs

02.02.2026

- Offer low on-state resistance and conduction losses, with improved efficiency.

IXYS Diodes haute tension et à récupération rapide DP

01.20.2026

- Diodes SCHOTTKY de 600 V ou 1 200 V avec un courant de fuite inverse faible et un temps de récupération rapide.

Qorvo Transistors au GaN avec adaptation d’entrée QPD1014A

01.20.2026

- Transistors discrets HEMT GaN sur SiC avec adaptation d’entrée 50 Ω, 15 W (P 3dB), et fonctionnant de 30 MHz à 1,2 GHz.

Qorvo Transistors au GaN avec adaptation d'entrée QPD1004A

01.19.2026

- Le transistor discret au nitrure de gallium sur carbure de silicium à haute mobilité d'éléctrons (HEMT GaN sur SiC), 25 W, avec adaptation d'entrée 50 Ω, fonctionne de 30 MHz à 1 400 MHz sur un rail d’alimentation de 50 V.

Qorvo Transistors GaN avec adaptation d'entrée QPD1011A

01.19.2026

- Transistor HEMT discret technologie GaN-sur-SiC avec adaptation d’entrée 50 Ω, 7 W (P3 dB), fonctionnant de 30 MHz à 1,2 GHz.

Littelfuse Diodes haute fiabilité SM15KPA-HRA et SM30KPA-HRA

01.13.2026

- Protègent les interfaces E/S, le bus VCC et d'autres circuits dans les applications d'avionique, d'aviation et d'eVTOL.

Littelfuse Diodes TVS SP432x-01WTG

01.08.2026

- Offrent une très faible capacité, une protection bidirectionnelle et un niveau de protection élevé.

onsemi MOSFET de puissance à canal N 80 V NVBYST0D6N08X

12.26.2025

- Ce dispositif offre un faible QRR et une diode de corps à récupération progressive dans un boîtier TCPAK1012 (TopCool).

Infineon Technologies MOSFET de puissance OptiMOS™ 6 80 V

12.23.2025

- Définit les performances de référence du secteur grâce à une large offre de portefeuille.

Infineon Technologies MOSFET CoolSiC™ automobile 750 V G2

12.19.2025

- Conçus pour répondre aux exigences strictes des applications dédiées aux véhicules électriques (VE).

onsemi MOSFET N voies double NVMFD5877NL

12.19.2025

- Conçu pour des conceptions compactes et efficaces, incluant des performances thermiques élevées.

STMicroelectronics Transistor PowerGaN e-mode SGT080R70ILB

12.04.2025

- Le transistor E-Mode PowerGaN conçu pour des applications de conversion d’énergie à haute efficacité.

onsemi MOSFET NxT2023N065M3S EliteSiC

12.04.2025

- Présentent une faible capacité de sortie effective et une charge de grille ultra-faible.

Infineon Technologies Transistors discrets 750 V TRENCHSTOP™ IGBT7 H7

12.01.2025

- Le boîtier DTO247 remplace plusieurs transistors à faible courant dans des boîtiers TO247 connectés en parallèle.

onsemi MOSFET à canal P basse/moyenne tension NTTFS007P02P8

11.25.2025

- Conçu avec la technologie PowerTrench pour des performances de commutation avec une RDS(on) extrêmement faible et une grande robustesse.

onsemi MOSFET à petit signal FDC642P-F085

11.25.2025

- Doté d’une technologie à tranchées haute performance pour une RDS(on) extrêmement faible et d’une vitesse de commutation rapide.

Diotec Semiconductor LDP02-26CAYD2-AQ SMD TVS Diode

11.24.2025

- Offers 6600 W peak power, fast response, and ISO-16750-2 load-dump test compliance.

iDEAL Semiconductor iS20M028S1C SuperQ™ 200V N-Ch Power MOSFETs

11.24.2025

- Designed for SMPS and high-efficiency motor drives in a robust PDFN package measuring 5mm x 6mm.

Bourns Diodes de suppression de tension transitoire SMLJ-R

11.24.2025

- Conçues pour la protection DES et contre les surtensions dans un format de boîtier de puce compact DO-214AB (SMC).

onsemi MOSFET à canal N unique NVD6824NL

11.20.2025

- Affichent une RDS(on) faible pour minimiser les pertes de conduction et supportent des courants élevés.

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