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Micro Commercial Components (MCC) MCG4D8N04Y 40V Low RDS(on) N-Channel MOSFETs

04.16.2025

- Use Split Gate Trench power MOSFET technology and are available in industrial and automotive grade.

Micro Commercial Components (MCC) 40V MCACLF320N04Y N-Channel Power MOSFET

02.12.2025

- High efficiency and reliable MOSFET designed for diverse high-power applications.

Micro Commercial Components (MCC) 600V MSJL120N60FH MOSFET

02.12.2025

- Uses superjunction technology and a FRED body diode to facilitate high-speed switching and recovery.

Micro Commercial Components (MCC) MCWx 600V N-Channel Power MOSFETs

12.30.2024

- Three advanced 600V components, engineered for low losses, fast switching, and high efficiency.

Micro Commercial Components (MCC) IGBT à arrêt de champ en tranchée MIS80N120NT1YHE3 1 200 V

11.28.2024

- Made for efficiency with low saturated VCE and minimal switching losses.

Micro Commercial Components (MCC) MOSFET à canal N MCTL2D0N10YHR de 100 V

11.25.2024

- Wide SOA and low RDS(on) efficient and reliable solution for linear mode operation.

Micro Commercial Components (MCC) MOSFET de puissance à super-jonction à canal N 600 V

10.04.2024

- Disposent d’une faible résistance à l’état passant, d’une faible perte de conduction et d’une commutation douce avec une diode à récupération inverse rapide.

Micro Commercial Components (MCC) MOSFET de puissance à super-jonction et à canal N MCU1K4N95SH

10.03.2024

- Dispose d’une faible charge grille-drain, réduisant les pertes de conduction et amplifiant le rendement global.

Micro Commercial Components (MCC) MOSFET à canal N MCGL2D1N03YL

09.04.2024

- MOSFET de puissance 30 V, conçu pour fournir de bonnes performances thermiques avec de faibles pertes de puissance.

Micro Commercial Components (MCC) MOSFET au carbure de silicium (SiC) SICWx

09.03.2024

- MOSFET SiC 650 V avec capacité de commutation à haut débit, fournis dans un boîtier TO-247.

Micro Commercial Components (MCC) MOSFET à canal N 600 V

09.03.2024

- La technologie à super-jonction (SJ) intègre une faible RDS(on) et une diode à récupération rapide intégrée.

Micro Commercial Components (MCC) MOSFET SICW0x SiC à canal N 1 200 V

09.03.2024

- Amplifiez les performances dans des boîtiers polyvalents TO-247-4, TO-247-4L et TO-247AB.

Micro Commercial Components (MCC) MOSFET à canal N MCP2D6N10Y de 100 V

08.28.2024

- MOSFET à canal N 100 V conçu pour la commutation à haute puissance.

Micro Commercial Components (MCC) MOSFET MCG50P03B à canal P de 30 V

08.19.2024

- Conçus pour les applications à espace restreint nécessitant des performances fiables.

Micro Commercial Components (MCC) MOSFET MCTL150N06YHE3 à canal N 60 V de classe automatique

08.12.2024

- Homologué AEC-Q101, conçu pour redéfinir l’efficacité et la fiabilité énergétiques dans des applications automobiles.

Micro Commercial Components (MCC) Electric Power Steering (EPS) Solutions

08.01.2024

- Support today’s vehicle systems with components engineered for precise control, safety, and comfort.

Micro Commercial Components (MCC) Auto Seat Control Solutions

08.01.2024

- Delivers the compact, efficient & robust performance needed to power modern vehicle seating systems.

Micro Commercial Components (MCC) Automotive Front & Rear LED Lighting Solutions

08.01.2024

- These lighting systems improve driver visibility, passenger safety, and vehicle styling.

Micro Commercial Components (MCC) Battery Management System (BMS)

08.01.2024

- Delivers the precision, safety, and efficiency required to support today’s electric vehicles (EVs).

Micro Commercial Components (MCC) DC Fast Charging Solutions

08.01.2024

- Supports EVs with high-performance components designed for speed, safety, and system efficiency.

Micro Commercial Components (MCC) MOSFET à canal N de niveau logique 30 V-60 V MCCx

07.11.2024

- Disposent de la technologie MOSFET à tranchée et grille divisée (SGT) disponible en boîtier DFN5060.

Micro Commercial Components (MCC) MCACLS N-Channel Dual-Side Cooling MOSFETs

06.24.2024

- Feature superior thermal performance with 40V drain-source voltage and are AEC-Q101 qualified.

Micro Commercial Components (MCC) 100V 7.5mΩ N-Channel MOSFETs

06.04.2024

- Offers split-gate trench (SGT) technology, 100V capacity, and an on-resistance of only 7.5mΩ.

Micro Commercial Components (MCC) MCB2D & MCU2D 40V N-channel MOSFETs

05.31.2024

- High-density cell design with 2.8mΩ low on-resistance ensures efficient automotive power management.

Micro Commercial Components (MCC) MCB70N15YHE3 AEC-Q101 Qualified N-Channel MOSFET

05.22.2024

- AEC-Q101 qualified N-channel MOSFET that utilizes split gate trench MOSFET technology.

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TDK-Lambda i1R ORing MOSFET Modules

02.05.2026

- High-efficiency and low-loss power devices designed to replace traditional diodes.

IXYS X4-Class Power MOSFETs

02.02.2026

- Offer low on-state resistance and conduction losses, with improved efficiency.

Qorvo Transistors au GaN avec adaptation d’entrée QPD1014A

01.20.2026

- Transistors discrets HEMT GaN sur SiC avec adaptation d’entrée 50 Ω, 15 W (P 3dB), et fonctionnant de 30 MHz à 1,2 GHz.

Qorvo Transistors au GaN avec adaptation d'entrée QPD1004A

01.19.2026

- Le transistor discret au nitrure de gallium sur carbure de silicium à haute mobilité d'éléctrons (HEMT GaN sur SiC), 25 W, avec adaptation d'entrée 50 Ω, fonctionne de 30 MHz à 1 400 MHz sur un rail d’alimentation de 50 V.

Qorvo Transistors GaN avec adaptation d'entrée QPD1011A

01.19.2026

- Transistor HEMT discret technologie GaN-sur-SiC avec adaptation d’entrée 50 Ω, 7 W (P3 dB), fonctionnant de 30 MHz à 1,2 GHz.

onsemi MOSFET de puissance à canal N 80 V NVBYST0D6N08X

12.26.2025

- Ce dispositif offre un faible QRR et une diode de corps à récupération progressive dans un boîtier TCPAK1012 (TopCool).

Infineon Technologies MOSFET de puissance OptiMOS™ 6 80 V

12.23.2025

- Définit les performances de référence du secteur grâce à une large offre de portefeuille.

Infineon Technologies MOSFET CoolSiC™ automobile 750 V G2

12.19.2025

- Conçus pour répondre aux exigences strictes des applications dédiées aux véhicules électriques (VE).

onsemi MOSFET N voies double NVMFD5877NL

12.19.2025

- Conçu pour des conceptions compactes et efficaces, incluant des performances thermiques élevées.

onsemi MOSFET NxT2023N065M3S EliteSiC

12.04.2025

- Présentent une faible capacité de sortie effective et une charge de grille ultra-faible.

STMicroelectronics Transistor PowerGaN e-mode SGT080R70ILB

12.04.2025

- Le transistor E-Mode PowerGaN conçu pour des applications de conversion d’énergie à haute efficacité.

Infineon Technologies Transistors discrets 750 V TRENCHSTOP™ IGBT7 H7

12.01.2025

- Le boîtier DTO247 remplace plusieurs transistors à faible courant dans des boîtiers TO247 connectés en parallèle.

onsemi MOSFET à petit signal FDC642P-F085

11.25.2025

- Doté d’une technologie à tranchées haute performance pour une RDS(on) extrêmement faible et d’une vitesse de commutation rapide.

onsemi MOSFET à canal P basse/moyenne tension NTTFS007P02P8

11.25.2025

- Conçu avec la technologie PowerTrench pour des performances de commutation avec une RDS(on) extrêmement faible et une grande robustesse.

iDEAL Semiconductor iS20M028S1C SuperQ™ 200V N-Ch Power MOSFETs

11.24.2025

- Designed for SMPS and high-efficiency motor drives in a robust PDFN package measuring 5mm x 6mm.

onsemi MOSFET à canal N unique NVD6824NL

11.20.2025

- Affichent une RDS(on) faible pour minimiser les pertes de conduction et supportent des courants élevés.

Central Semiconductor MOSFET à canal N en carbure de silicium (SiC) de 1 700 V

11.20.2025

- These MOSFETS are designed for high-speed switching and fast reverse recovery applications.

onsemi MOSFET de puissance monocanal N NVD5867NL

11.20.2025

- Il présente une tension drain-source de 60 V et une résistance drain-source de 39 mΩ et est homologué AEC-Q101.

onsemi MOSFET de puissance monocanal N NVMFS5830NL

11.19.2025

- MOSFET de puissance à canal N unique haute efficacité conçu pour des applications exigeantes de gestion de l'alimentation.

onsemi IGBT AFGB30T65RQDN

11.19.2025

- Offre un coefficient de mérite élevé avec de faibles pertes de conduction et de commutation.

onsemi MOSFET de puissance monocanal N NVMFS5832NL

11.19.2025

- MOSFET à hautes performances conçu pour les applications à basse tension nécessitant une commutation d’énergie efficace.

STMicroelectronics Transistor PowerGaN e-mode SGT070R70HTO

11.07.2025

- Construit sur la technologie GaN et conçu pour des applications exigeantes de conversion d'énergie.

Comchip Technology AMMBT2222AM NPN Automotive Small Signal Transistor

10.31.2025

- The device has a 75V collector-base voltage rating and a 600mA collector current-continuous rating.

Comchip Technology AMMBT2907AM PNP Automotive Small Signal Transistor

10.31.2025

- The device has a -60V collector-base voltage rating & a -600mA collector current-continuous rating.

Diodes Incorporated MOSFET E-Mode à double canal N DMTH64M2LPDW

10.31.2025

- Intègre deux MOSFET dans un boîtier unique PowerDI ® de 5 mm x 6 mm avec d'excellentes performances thermiques.

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