Les plus récent(e)s IGBTs – Mouser Luxembourg

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onsemi IGBT AFGB30T65RQDN

11.19.2025

- Offre un coefficient de mérite élevé avec de faibles pertes de conduction et de commutation.

onsemi IGBT à arrêt de champ à canal N IV AFGBG70T65SQDC

10.13.2025

- Le dispositif offre des performances optimales avec de faibles pertes de conduction et de commutation.

onsemi IGBT à coupure de champ à canal N VII AFGH4L60T120RWx-STD

10.13.2025

- Le dispositif offre de bonnes performances, avec une faible tension à l'état passant et de faibles pertes de commutation.

onsemi IGBT de qualité automobile AFGHxL40T

06.12.2024

- Homologué AEC-Q101 et utilise une construction robuste à arrêt de champ en tranchée VII.

onsemi IGBT EcoSPARK® 2 HV-HE FGB5065G2-F085

06.04.2024

- 650V N-channel ignition device for PTC heater and high current system applications.

onsemi Pompes à chaleur

03.01.2024

- La pompe à chaleur est la pierre angulaire du changement mondial vers un chauffage sûr et durable.

onsemi IGBT AFGHL50T65RQDN 650V 50A

03.01.2024

- IGBT à arrêt de champ de 4e génération qui utilise une technologie innovante.

onsemi IGBT 1 200 V à canal N FGY4LxxT120SWD

02.07.2024

- Ces dispositifs utilisent la nouvelle technologie IGBT à arrêt de champ de 7e génération et la diode Gen7.

onsemi IGBT discret FGHL60T120RWD 1200 V 60 A

11.29.2023

- technologie IGBT 7th-generation avancée et logée dans un boîtier TO247 3-lead.

onsemi IGBT discret FGHL40T120RWD 1200 V 40 A

11.29.2023

- Utilise la technologie IGBT 7th-generation et est logé dans un boîtier TO247 3-lead.

onsemi IGBT à canal N unique 1 200 V 25 A AFGHxL25T

11.22.2023

- Ces dispositifs disposent d’une construction robuste et économique à arrêt de champ en tranchée VII.

onsemi IGBT FGY140T120SWD discret rapide 140 A 1200 V

11.13.2023

- Équipé d’une technologie IGBT 7th-generation avancée.

onsemi IGBT haut débit FGH4L50T65SQD 50 A 650 V

10.13.2023

- Le dispositif utilise une nouvelle technologie IGBT à arrêt de champ dans cette série d’IGBT 4th-generation.

onsemi IGBT à arrêt de champ et vitesse intermédiaire FGH4L50T65MQDC50 IG 650 V

08.15.2023

- Utilise la technologie IGBT à arrêt de champ 4th-generation et la technologie de diode SCHOTTKY SiC 1,5.

onsemi IGBT FGY75T120SWD

04.08.2023

- Intègrent une nouvelle technologie IGBT de 7e génération à arrêt de champ dans un boîtier TO247 à 3 fils.

onsemi IGBT à moyenne vitesse et arrêt de champ de 4e génération FGH4L75T65MQDC50

04.08.2023

- Offrent des performances optimales avec de faibles pertes de conduction et de commutation.

onsemi IGBT FGY100T120RWD

04.08.2023

- Combine une nouvelle technologie IGBT de 7e génération à arrêt de champ dans un boîtier TO247 à 3 fils.

onsemi IGBT à arrêt de champ et grille en tranchée FGHL50T65MQDTx

07.22.2022

- Technologie des IGBT à vitesse moyenne de 4ème génération co-emballés avec une diode à courant nominal complet.

onsemi IGBTs à arrêt de champ FGH4L40Tx 1200V/40A

05.05.2022

- IGBTs basés sur la technologie d’arrêt de champ pour une commutation à haut rendement dans des applications électriques exigeantes.

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Infineon Technologies Transistors discrets 750 V TRENCHSTOP™ IGBT7 H7

12.01.2025

- Le boîtier DTO247 remplace plusieurs transistors à faible courant dans des boîtiers TO247 connectés en parallèle.

onsemi IGBT AFGB30T65RQDN

11.19.2025

- Offre un coefficient de mérite élevé avec de faibles pertes de conduction et de commutation.

onsemi IGBT à coupure de champ à canal N VII AFGH4L60T120RWx-STD

10.13.2025

- Le dispositif offre de bonnes performances, avec une faible tension à l'état passant et de faibles pertes de commutation.

onsemi IGBT à arrêt de champ à canal N IV AFGBG70T65SQDC

10.13.2025

- Le dispositif offre des performances optimales avec de faibles pertes de conduction et de commutation.

STMicroelectronics IGBT série IH2 1 600 V STGWA30IH160DF2

05.22.2025

- Créé en mettant en œuvre une structure avancée propriétaire à grille de tranchée et champ d'arrêt.

ROHM Semiconductor IGBTs en tranchée et à arrêt de champ RGE

01.15.2025

- Présentent une faible tension de saturation collecteur-émetteur et de faibles pertes de commutation.

STMicroelectronics IGBT STGSH50M120D ACEPACK SMIT avec diode

12.24.2024

- Il combine deux IGBTs et des diodes dans une topologie demi-pont.

ROHM Semiconductor Les IGBT à arrêt de champ et en tranchée RGA80Tx 1 200 V

10.17.2024

- Ils présentent une faible perte de commutation et de conduction et sont idéaux pour les compresseurs électriques et les chauffages HT.

STMicroelectronics IGBT de qualité automobile STGHU30M65DF2AG

09.12.2024

- Développé à l'aide d'une structure avancée à arrêt de champ à grille en tranchée.

STMicroelectronics IGBT de qualité automobile STGWA30M65DF2AG

09.12.2024

- Conçu à l'aide d'une structure propriétaire avancée d'arrêt de champ à grille en tranchée.

IXYS IGBT XPT Gen5

07.25.2024

- Offers a rated voltage of 650V, a current range of 35A to 220A, and a low gate charge.

Infineon Technologies Composants discrets automobile IGBT EDT2

07.19.2024

- Technologie IGBT 750 V qui améliore l'efficacité énergétique des applications de transmission automobile.

STMicroelectronics IGBT de série MS de classe automobile GWA40MS120DF4AG

07.03.2024

- Les modèles de 1 200 V, 40 A, à faibles pertes, offrent une faible résistance thermique et sont fournis dans un boîtier TO-247 à broches longues.

onsemi IGBT de qualité automobile AFGHxL40T

06.12.2024

- Homologué AEC-Q101 et utilise une construction robuste à arrêt de champ en tranchée VII.

onsemi IGBT EcoSPARK® 2 HV-HE FGB5065G2-F085

06.04.2024

- 650V N-channel ignition device for PTC heater and high current system applications.

Diotec Semiconductor DIWOx Fast Switching IGBT Transistors

04.24.2024

- Include a reverse diode and use Trench and Fieldstop technology in a TO-247 package.

PANJIT PTGH High-Speed 650V Field Stop Trench IGBTs

04.12.2024

- Offer superior high-speed switching capabilities with a low saturation voltage of 1.65V at TVJ 25°C.

onsemi IGBT AFGHL50T65RQDN 650V 50A

03.01.2024

- IGBT à arrêt de champ de 4e génération qui utilise une technologie innovante.

onsemi Pompes à chaleur

03.01.2024

- La pompe à chaleur est la pierre angulaire du changement mondial vers un chauffage sûr et durable.

onsemi IGBT 1 200 V à canal N FGY4LxxT120SWD

02.07.2024

- Ces dispositifs utilisent la nouvelle technologie IGBT à arrêt de champ de 7e génération et la diode Gen7.

Bourns Solutions d'électrification

12.20.2023

- Transformateurs, bobines d'arrêt, résistances et autres produits conçus pour les systèmes utilisés dans l’électrification.

onsemi IGBT discret FGHL40T120RWD 1200 V 40 A

11.29.2023

- Utilise la technologie IGBT 7th-generation et est logé dans un boîtier TO247 3-lead.

onsemi IGBT discret FGHL60T120RWD 1200 V 60 A

11.29.2023

- technologie IGBT 7th-generation avancée et logée dans un boîtier TO247 3-lead.

onsemi IGBT à canal N unique 1 200 V 25 A AFGHxL25T

11.22.2023

- Ces dispositifs disposent d’une construction robuste et économique à arrêt de champ en tranchée VII.

onsemi IGBT FGY140T120SWD discret rapide 140 A 1200 V

11.13.2023

- Équipé d’une technologie IGBT 7th-generation avancée.

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