Les plus récent(e)s Transistors

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Types de Transistors

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Fabricant = Diodes Incorporated Retournez à l''onglet Produit pour modifier vos filtres actuels.

Diodes Incorporated Transistors à effet de champ 2N7002 de type N en mode E

10.31.2025

- Offre des performances de commutation rapides avec une faible charge de grille et une tension drain-source maximale de 60 V.

Diodes Incorporated MOSFET E-Mode à double canal N DMTH64M2LPDW

10.31.2025

- Intègre deux MOSFET dans un boîtier unique PowerDI ® de 5 mm x 6 mm avec d'excellentes performances thermiques.

Diodes Incorporated MOSFET à mode d'amélioration à canal N DMN1057UCA3

10.21.2025

- Offre des performances de commutation supérieures, ce qui est idéal pour les applications de gestion de l'énergie à haut rendement.

Diodes Incorporated Transistors bipolaires PNP DXTP80x

09.18.2025

- Les Transistors bipolaires PNP sont en boîtier PowerDI 3333-8 de petit facteur de forme et à rendement thermique élevé.

Diodes Incorporated Transistors bipolaires NPN DXTN80x

09.17.2025

- Ils sont en boîtier PowerDI 3333-8 de petit facteur de forme et de haut rendement thermique, pour des produits à densité supérieure.

Diodes Incorporated Transistors bipolaires DXTN/P 78Q et 80Q

07.24.2025

- Bénéficient de classements à 30, 60 et 100 V, avec un rendement de conduction et des performances thermiques exceptionnels.

Diodes Incorporated Transistors NPN VCE(SAT) ultra-faible de 60 V DXTN69060C

11.14.2024

- Dispose d'une structure exclusive pour obtenir une performance VCE (SAT) ultra-faible.

Diodes Incorporated MOSFET à mode d’amélioration à canal N DMT31M8LFVWQ 30 V

10.01.2024

- Fournit une faible résistance de conduction dans un boîtier compact et thermiquement efficace.

Diodes Incorporated MOSFET à mode d'amélioration à canal N 20 V DMN2992UFA

08.01.2024

- MOSFET à canal N 20 V conçu pour minimiser la RDS(ON), disponible dans un boîtier X2-DFN0806-3.

Diodes Incorporated MOSFET de puissance à canal N 1 200 V DMWSH120Hx

06.24.2024

- Conçus pour minimiser la résistance à l'état passant et maintenir d'excellentes performances de commutation.

Diodes Incorporated Transistor à moyenne puissance PNP 80 V BC53-16PAWQ

05.01.2024

- Disponible dans un boîtier compact DFN2020-3 dont l'empreinte est 50 % plus petite qu'un boîtier SOT-23.

Diodes Incorporated MOSFET DMP3014SFDE de 30 V à mode d'amélioration de canal P

05.01.2024

- Présentent de faibles résistance à l'état passant et tension de seuil de grille, tout en maintenant de bonnes performances de commutation.

Diodes Incorporated DMT26M0LDG MOSFET asymétriques à double canal N

04.01.2024

- Conçus pour minimiser la résistance à l’état passant [RDS(ON)] tout en maintenant des performances de commutation supérieures.

Diodes Incorporated MOSFET en mode amélioration à double canal P DMP68D1LV

01.01.2024

- Offre une faible résistance à l’état passant et une faible capacité d’entrée, tout en maintenant des performances de commutation supérieures.

Diodes Incorporated MOSFET de puissance SiC à canal N 1 200 V DMWS120H100SM4

06.02.2023

- Conçu pour minimiser la résistance à l'état passant tout en maintenant des performances de commutation supérieures.

Diodes Incorporated MOSFET à mode d’amélioration à canal N DMTH46M7SFVWQ

03.30.2023

- MOSFET homologué AEC-Q101 à faible résistance RDS (ON) qui garantit des pertes minimales à l’état passant.

Diodes Incorporated Transistors automobiles de moyenne puissance MJD

03.21.2023

- Les composants sont qualifiés AEC-Q101, compatibles PHPP et fabriqués dans des installations certifiées IATF16949.

Diodes Incorporated MOSFET à mode d'amélioration à canal N DMN52D0UV

03.06.2023

- Conçu pour minimiser RDS(ON) et maintenir des performances de commutation impressionnantes.

Diodes Incorporated MOSFET à mode d'amélioration à canal N DMN3732UFB4

01.24.2023

- Conçu pour minimiser RDS(ON) et maintenir des performances de commutation impressionnantes.

Diodes Incorporated MOSFET à mode d'amélioration à canal N DMTH15H017LPSWQ

01.18.2023

- Conçu pour minimiser RDS(ON) et maintenir des performances de commutation impressionnantes.

Diodes Incorporated MOSFET à mode d'amélioration à canal N DMTH41M2SPSQ

01.17.2023

- MOSFET homologué AEC-Q101 avec une faible RDS(ON) qui garantit des pertes minimales à l'état passant.

Diodes Incorporated MOSFET à canal N en mode amélioration DMN52D0LT

01.04.2023

- Conçu pour minimiser RDS(ON) et maintenir des performances de commutation impressionnantes.

Diodes Incorporated MOSFET à mode d'amélioration à canal N DMN52D0UVA

01.04.2023

- Conçu pour minimiser RDS(ON) et maintenir des performances de commutation impressionnantes.

Diodes Incorporated Transistor avalanche basse tension FMMT411FDBWQ

11.23.2022

- Un transistor bipolaire planaire au silicium conçu pour fonctionner en mode avalanche.

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Infineon Technologies MOSFET de puissance OptiMOS™ 7 de 100 V pour l'automobile

05.27.2026

- Dispositifs à canal N de pointe, conçus pour la commutation de puissance à haut rendement.

Texas Instruments MOSFET 6 V 2N7002L à canal N

05.18.2026

- Conçu pour minimiser la résistance à l'état passant tout en conservant des performances de commutation rapides.

Infineon Technologies Modules d'alimentation CIPOS™ Prime automobiles CoolSiC™

05.06.2026

- Les modules d'alimentation sont conçus pour une haute performance dans les applications xEV .

onsemi MOSFET de puissance monocanal N NVBYST0D8N08X

04.14.2026

- Optimisé pour l'exploitation à haute tension et résiste aux contraintes de commutation rapide et de courant élevé.

ROHM Semiconductor Modules de puissance de haute densité au SiC

04.10.2026

- Les boîtiers TRCDRIVE pack™, DOT-247 et HSDIP20 contribuent à une conversion performante de puissance.

iDEAL Semiconductor IS20M8R0S1P SuperQ™ 200V N-Channel Power MOSFET

04.07.2026

- Low switching losses, high short-circuit withstand capability (SCWC), and comes in a TO-220 package.

onsemi MOSFET NTMFD0D9N02P1E

04.06.2026

- MOSFET à canal N double conçu avec une faible Rg pour les applications à commutation rapide.

Vishay Module MOSFET de puissance VS-HOT200C080 de 200 A et 80 V

04.02.2026

- Ce dispositif réduit les exigences d’espace de la carte jusqu’à 15 % par rapport aux solutions discrètes standard.

STMicroelectronics MOSFET de puissance STL059N4S8AG

03.31.2026

- Un MOSFET de puissance à canal N en mode enrichissement 40 V conçu avec la technologie Smart STRipFET F8.

Toshiba MOSFET de puissance à canal N/canal P

03.31.2026

- Idéaux pour les commutateurs à commutation rapide, les commutateurs de gestion de l'alimentation, les convertisseurs CC-CC et les entraînements à moteur.

Infineon Technologies MOSFET de puissance OptiMOS™ 6 60 V

03.27.2026

- Offrent des performances supérieures à OptiMOS 5 grâce à une technologie MOSFET de puissance robuste.

Infineon Technologies MOSFET de puissance OptiMOS™ 7 25 V à canal N

03.27.2026

- Performances optimisées pour les applications, permettant des performances optimales pour les centres de données, les serveurs et l'IA.

iDEAL Semiconductor iS20M6R3S1P SuperQ™ 200V N-Channel Power MOSFET

03.24.2026

- Delivers ultra-low conduction and switching losses in a robust TO-220 package.

Renesas Electronics Commutateur bidirectionnel (BDS) TP65B110HRU

03.20.2026

- à semi-conducteur de nitrure de gallium (GaN) de 650 V et 110 mΩ normalement désactivé dans un boîtier compact TOLT.

Infineon Technologies MOSFET de puissance OptiMOS™ 8

03.17.2026

- Il s’agit de MOSFET de 80 V ou 100 V de niveau normal à canal N avec une très faible résistance à l'état passant [RDS(ON)].

ROHM Semiconductor Ensemble TRCDRIVE™ BST400D12P4A1x1 à Modules moulés

03.17.2026

- Présente une tension nominale de 1 200 V en boîtier de 41,6 × 52,5 mm et intègre des MOSFET au SiC de 4e génération.

Infineon Technologies Commutateurs bidirectionnels CoolGaN moyenne tension™

03.17.2026

- Ces dispositifs sont parfaitement adaptés pour servir de commutateurs de déconnexion de batterie dans diverses applications.

onsemi MOSFET de puissance à double canal N NVMFD5873NL

03.13.2026

- Conçus pour des conceptions compactes et efficaces, y compris des performances thermiques élevées.

Diotec Semiconductor DI050N04BPT-AQ N-Channel Power MOSFET

03.10.2026

- Supports a drain‑source voltage of 40V and delivers 50A continuous drain current at 25°C.

Diotec Semiconductor DI045N10PT-AQ N-Channel Power MOSFET

03.10.2026

- Supports a drain‑source voltage of 100V and delivers 45A continuous drain current at 25°C.

Diotec Semiconductor DI009N10PQ N-Channel Power MOSFET

03.10.2026

- Supports a drain‑source voltage of 100V and delivers 9A continuous drain current at 25°C.

Diotec Semiconductor DI040N10D1-AQ N-Channel Power MOSFET

03.10.2026

- Supports a drain‑source voltage of 100V and delivers 40A continuous drain current at 25°C.

Qorvo HEMT Gan/Sic de 300 W QPD2560L

03.09.2026

- Conçu pour des applications exigeantes en bande L, fonctionnant dans la gamme de fréquences de 1,0 GHz à 1,5 GHz.

Diotec Semiconductor DIJ2A7N90 N-Channel Power MOSFET

03.06.2026

- Supports a drain‑source voltage of 900V and delivers 2.7A at 25°C continuous drain current.

Infineon Technologies MOSFET de puissance OptiMOS™ 7 80 V canal N

03.05.2026

- Dispositifs de canal N, de niveau normal, 80 V avec une résistance thermique supérieure dans un boîtier PG‑TDSON‑8.

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