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Toshiba MOSFET de puissance à canal N/canal P

03.31.2026

- Idéal pour la commutation à haute vitesse, les commutateurs de gestion de l’alimentation les convertisseurs CC-CC et les pilotes de moteurs.

Toshiba MOSFET à canal N TPH2R70AR5

10.17.2025

- Idéal pour les convertisseurs CC-CC à haute efficacité, il est disponible dans un boîtier SOP Advance (N).

Toshiba MOSFET N-Channel 40V/80V/100V L-TOGL et S-TOGL AEC-Q

10.14.2024

- Logé dans un boîtier L-TOGL™ pour répondre à la demande croissante en batteries 48 V dans les équipements automobiles.

Toshiba MOSFET à canal N en silicium TKx

09.13.2024

- Disponibles en versions U-MOSX-H et DTMOSVI, caractéristiques de performance exceptionnelles.

Toshiba MOSFET à canal N au silicium TPH1400CQ5

09.10.2024

- MOSFET de puissance CMS à 8 broches conçu avec le procédé de fabrication à tranchée de génération U-MOSX-H.

Toshiba MOSFET à canal N au silicium TPH1100CQ5

08.12.2024

- Dispose d’un MOSFET de puissance CMS à 8 broches conçu avec un processus de tranchée de génération U-MOSX-H.

Toshiba MOSFET à canal N au silicium UMOS9-H

05.13.2024

- Idéal pour les convertisseurs CC-CC à haut rendement, les régulateurs de tension à découpage, les pilotes de moteur .

Toshiba MOSFET SSM14N956L

06.09.2023

- Dispose d'une faible résistance à l'enclenchement source-source et est compatible avec la directive RoHS.

Toshiba MOSFET automobile 40 V 400 A XPQR3004PB

02.13.2023

- Offre une RDS(ON) de 0,23 mΩ (standard) et unetension de seuil (Vth) de 2 V à 3 V, avec une capacité de 400 A.

Toshiba MOSFET au carbure de silicium de 3e génération 650 V et 1200 V

07.11.2022

- Conçus pour des applications industrielles de haute puissance, comme les alimentations électriques AC-DC d'entrée CA de 400 V et 800 V.

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Vishay MOSFET à canal N 750 V MaxSiC ® MXP075

06.19.2026

- Présente une tension drain-source de 750 V, une vitesse de commutation rapide et un temps de tenue aux courts-circuits de 3 μs.

Navitas Semiconductor 3300V & 2300V Silicon Carbide (SiC) MOSFETs

06.18.2026

- Based on latest GeneSiC™ trench-assisted planar (TAP) technology, offers flexible packaging formats.

Infineon Technologies Modules EasyPACK™ S

06.12.2026

- Conversion d'énergie efficace dans un boîtier compact et facile à intégrer, conçu pour les conceptions d'alimentation modernes.

Infineon Technologies MOSFET de puissance OptiMOS™ 7 de 100 V pour l'automobile

05.27.2026

- Dispositifs à canal N de pointe, conçus pour la commutation de puissance à haut rendement.

Texas Instruments MOSFET 6 V 2N7002L à canal N

05.18.2026

- Conçu pour minimiser la résistance à l'état passant tout en conservant des performances de commutation rapides.

Infineon Technologies Modules d'alimentation CIPOS™ Prime automobiles CoolSiC™

05.06.2026

- Les modules d'alimentation sont conçus pour une haute performance dans les applications xEV .

onsemi MOSFET de puissance monocanal N NVBYST0D8N08X

04.14.2026

- Optimisé pour l'exploitation à haute tension et résiste aux contraintes de commutation rapide et de courant élevé.

ROHM Semiconductor Modules de puissance de haute densité au SiC

04.10.2026

- Les boîtiers TRCDRIVE pack™, DOT-247 et HSDIP20 contribuent à une conversion performante de puissance.

iDEAL Semiconductor IS20M8R0S1P SuperQ™ 200V N-Channel Power MOSFET

04.07.2026

- Low switching losses, high short-circuit withstand capability (SCWC), and comes in a TO-220 package.

onsemi MOSFET NTMFD0D9N02P1E

04.06.2026

- MOSFET à canal N double conçu avec une faible Rg pour les applications à commutation rapide.

Vishay Module MOSFET de puissance VS-HOT200C080 de 200 A et 80 V

04.02.2026

- Ce dispositif réduit les exigences d’espace de la carte jusqu’à 15 % par rapport aux solutions discrètes standard.

Toshiba MOSFET de puissance à canal N/canal P

03.31.2026

- Idéal pour la commutation à haute vitesse, les commutateurs de gestion de l’alimentation les convertisseurs CC-CC et les pilotes de moteurs.

STMicroelectronics MOSFET de puissance STL059N4S8AG

03.31.2026

- Un MOSFET de puissance à canal N en mode enrichissement 40 V conçu avec la technologie Smart STRipFET F8.

Infineon Technologies MOSFET de puissance OptiMOS™ 7 25 V à canal N

03.27.2026

- Performances optimisées pour les applications, permettant des performances optimales pour les centres de données, les serveurs et l'IA.

Infineon Technologies MOSFET de puissance OptiMOS™ 6 60 V

03.27.2026

- Offrent des performances supérieures à OptiMOS 5 grâce à une technologie MOSFET de puissance robuste.

iDEAL Semiconductor iS20M6R3S1P SuperQ™ 200V N-Channel Power MOSFET

03.24.2026

- Delivers ultra-low conduction and switching losses in a robust TO-220 package.

Renesas Electronics Commutateur bidirectionnel (BDS) TP65B110HRU

03.20.2026

- à semi-conducteur de nitrure de gallium (GaN) de 650 V et 110 mΩ normalement désactivé dans un boîtier compact TOLT.

Infineon Technologies MOSFET de puissance OptiMOS™ 8

03.17.2026

- MOSFET à canal N de niveau logique standard, 80 V ou 100 V, présentant une très faible résistance à l'état passant [RDS(ON)].

ROHM Semiconductor Ensemble TRCDRIVE™ BST400D12P4A1x1 à Modules moulés

03.17.2026

- Présente une tension nominale de 1 200 V en boîtier de 41,6 × 52,5 mm et intègre des MOSFET au SiC de 4e génération.

Infineon Technologies Commutateurs bidirectionnels CoolGaN moyenne tension™

03.17.2026

- Ces dispositifs sont parfaitement adaptés pour servir de commutateurs de déconnexion de batterie dans diverses applications.

onsemi MOSFET de puissance à double canal N NVMFD5873NL

03.13.2026

- Conçus pour des conceptions compactes et efficaces, y compris des performances thermiques élevées.

Diotec Semiconductor DI009N10PQ N-Channel Power MOSFET

03.10.2026

- Supports a drain‑source voltage of 100V and delivers 9A continuous drain current at 25°C.

Diotec Semiconductor DI040N10D1-AQ N-Channel Power MOSFET

03.10.2026

- Supports a drain‑source voltage of 100V and delivers 40A continuous drain current at 25°C.

Diotec Semiconductor DI050N04BPT-AQ N-Channel Power MOSFET

03.10.2026

- Supports a drain‑source voltage of 40V and delivers 50A continuous drain current at 25°C.

Diotec Semiconductor DI045N10PT-AQ N-Channel Power MOSFET

03.10.2026

- Supports a drain‑source voltage of 100V and delivers 45A continuous drain current at 25°C.

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