Les plus récent(e)s Semiconducteurs discrets

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Types de Semiconducteurs discrets

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STMicroelectronics MOSFET de puissance STL059N4S8AG

03.31.2026

- Un MOSFET de puissance à canal N en mode enrichissement 40 V conçu avec la technologie Smart STRipFET F8.

STMicroelectronics Transistor PowerGaN e-mode SGT080R70ILB

12.04.2025

- Le transistor E-Mode PowerGaN conçu pour des applications de conversion d’énergie à haute efficacité.

STMicroelectronics Transistor PowerGaN e-mode SGT070R70HTO

11.07.2025

- Construit sur la technologie GaN et conçu pour des applications exigeantes de conversion d'énergie.

STMicroelectronics Transistor PowerGaN e-mode SGT350R70GTK

10.28.2025

- Le transistor E-Mode PowerGaN optimisé pour une conversion d’énergie efficace dans des applications exigeantes.

STMicroelectronics Module d’alimentation automobile M2TP80M12W2-2LA

09.26.2025

- Propose une topologie PFC triphasée à 4 fils avec NTC intégré pour l’OBC dans les véhicules électriques et hybrides.

STMicroelectronics Module d’alimentation automobile M2P45M12W2-1LA

09.26.2025

- Propose une topologie à six packs avec NTC pour l’étape convertisseur CC/CC de l’OBC dans les véhicules électriques.

STMicroelectronics IGBT série IH2 1 600 V STGWA30IH160DF2

05.22.2025

- Créé en mettant en œuvre une structure avancée propriétaire à grille de tranchée et champ d'arrêt.

STMicroelectronics Protection DES unidirectionnelle automobile ESDAxWY

01.10.2025

- Les TVS (suppresseurs de tension transitoire) conçus pour protéger l’électronique sensible dans les environnements difficiles.

STMicroelectronics Thyristor SCR haute température TN8050H-12WL

01.01.2025

- Convient aux applications industrielles nécessitant une haute immunité avec un courant de grille plus faible.

STMicroelectronics IGBT STGSH50M120D ACEPACK SMIT avec diode

12.24.2024

- Il combine deux IGBTs et des diodes dans une topologie demi-pont.

STMicroelectronics Diode TVS ligne unique bidirectionnelle ESDZX168B-1BF4

10.14.2024

- Le dispositif est conçu pour protéger les lignes de données ou d’autres ports E/S contre les transitoires ESD.

STMicroelectronics Module pont ultra-rapide 600 V STTH120RQ06-M2Y

10.08.2024

- Convient à une utilisation dans des applications de chargeur, soit intégrée au véhicule, soit dans une station de chargement.

STMicroelectronics IGBT de qualité automobile STGHU30M65DF2AG

09.12.2024

- Développé à l'aide d'une structure avancée à arrêt de champ à grille en tranchée.

STMicroelectronics IGBT de qualité automobile STGWA30M65DF2AG

09.12.2024

- Conçu à l'aide d'une structure propriétaire avancée d'arrêt de champ à grille en tranchée.

STMicroelectronics Protection DES unidirectionnelle automobile ESDA5WY

09.10.2024

- Suppresseur de tension transitoire (TVS) unidirectionnel automobile développé pour les environnements difficiles.

STMicroelectronics Redresseur haute tension automobile STBR3012L2Y-TR

08.09.2024

- Conception de haute qualité avec des caractéristiques reproductibles constantes et une robustesse intrinsèque.

STMicroelectronics MOSFET de puissance MDmesh K6 à canal N

07.22.2024

- 800 V, protégés par Zener, testés à 100 % en avalanche et idéaux pour les convertisseurs Flyback et l’éclairage LED.

STMicroelectronics IGBT de série MS de classe automobile GWA40MS120DF4AG

07.03.2024

- Les modèles de 1 200 V, 40 A, à faibles pertes, offrent une faible résistance thermique et sont fournis dans un boîtier TO-247 à broches longues.

STMicroelectronics MOSFET de puissance STripFET F8 à canal N

12.01.2023

- Conformes à AEC-Q101, ils offrent une solution de boîtier complète de 30 V à 150 V.

STMicroelectronics IGBT haut débit série H 600 V 4 A STGD4H60DF

10.31.2023

- Conçus avec une structure avancée à arrêt de champ et grille en tranchée.

STMicroelectronics Module d'alimlentation M1F45M12W2-1LA ACEPACK DMT-32

10.19.2023

- Conçu pour l’étage de convertisseur CC-CC des véhicules électriques et hybrides.

STMicroelectronics MOSFET de puissance à canal N STP80N1K1K6

10.01.2023

- Utilise la technologie MDmesh K6, en s'appuyant sur 20 années d'expérience dans le domaine de la technologie de super jonction.

STMicroelectronics MOSFET de puissance SH63N65DM6AG

08.18.2023

- Le MOSFET de puissance de topologie en demi pont canal N de classe automobile avec tension de blocage 650 V.

STMicroelectronics Diodes de puissance Schottky à tranchée STPSTxH100/Y

06.29.2023

- Respect des exigences d’efficacité à des fréquences de commutation élevées.

STMicroelectronics MOSFET STripFET à canal N 100 V STL120N10F8

05.08.2023

- Le composant utilise la technologie STripFET F8 de ST disposant d'une structure de grille en tranchée améliorée.

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onsemi NVBYST0D8N08X Single N-Channel Power MOSFET

04.14.2026

- Optimized for high‑voltage operation and withstands fast switching and high-current stresses.

ROHM Semiconductor Modules de puissance de haute densité au SiC

04.10.2026

- Les boîtiers TRCDRIVE pack™, DOT-247 et HSDIP20 contribuent à une conversion performante de puissance.

Vishay Redresseurs à récupération rapide RS07x

04.07.2026

- Redresseurs à montage en surface et passivés au verre avec une VRRM maximale comprise entre 100 V et 800 V.

iDEAL Semiconductor IS20M8R0S1P SuperQ™ 200V N-Channel Power MOSFET

04.07.2026

- Low switching losses, high short-circuit withstand capability (SCWC), and comes in a TO-220 package.

Vishay Redresseurs haute tension à récupération standard S07x-M

04.07.2026

- Redresseurs à montage en surface et passivés au verre avec une VRRM maximale comprise entre 100 V et 1 000 V.

onsemi MOSFET NTMFD0D9N02P1E

04.06.2026

- MOSFET à canal N double conçu avec une faible Rg pour les applications à commutation rapide.

Taiwan Semiconductor SMA6FxCAH/SMA6SxCAH TVS Diodes

04.02.2026

- AEC-Q101 qualified 600W, 12V to 60V surface-mount devices operating at 0.094%/°C maximum VBR.

Vishay Module MOSFET de puissance VS-HOT200C080 de 200 A et 80 V

04.02.2026

- Ce dispositif réduit les exigences d’espace de la carte jusqu’à 15 % par rapport aux solutions discrètes standard.

Taiwan Semiconductor SMF4LxCA/AH Transient Voltage Suppressor Diodes

04.02.2026

- High-efficiency, low-power, 400W, 5V to 75V surface-mount devices ideal for automated placement.

STMicroelectronics MOSFET de puissance STL059N4S8AG

03.31.2026

- Un MOSFET de puissance à canal N en mode enrichissement 40 V conçu avec la technologie Smart STRipFET F8.

Toshiba MOSFET de puissance à canal N/canal P

03.31.2026

- Idéaux pour les commutateurs à commutation rapide, les commutateurs de gestion de l'alimentation, les convertisseurs CC-CC et les entraînements à moteur.

Infineon Technologies MOSFET de puissance OptiMOS™ 7 25 V à canal N

03.27.2026

- Performances optimisées pour les applications, permettant des performances optimales pour les centres de données, les serveurs et l'IA.

Infineon Technologies Diodes multi-usage pour la protection DES

03.27.2026

- Avec une protection optimale dans un empreinte compact, ces diodes offrent des performances DES supérieures.

Infineon Technologies MOSFET de puissance OptiMOS™ 6 60 V

03.27.2026

- Offrent des performances supérieures à OptiMOS 5 grâce à une technologie MOSFET de puissance robuste.

iDEAL Semiconductor iS20M6R3S1P SuperQ™ 200V N-Channel Power MOSFET

03.24.2026

- Delivers ultra-low conduction and switching losses in a robust TO-220 package.

RECOM Power RVS002 Micropower Isolated Power Bridge Rectifier

03.24.2026

- Designed for micro-power isolated power supply applications in space-constrained environments.

Renesas Electronics Commutateur bidirectionnel (BDS) TP65B110HRU

03.20.2026

- à semi-conducteur de nitrure de gallium (GaN) de 650 V et 110 mΩ normalement désactivé dans un boîtier compact TOLT.

Vishay T3KN12CA thru T3KN100CA PAR® TVS

03.18.2026

- TVSs are bidirectional, 3000W peak-pulse-power devices ideal for automated placement.

Vishay Suppresseurs de tension transitoire XClampR® XFD11K

03.18.2026

- Les dispositifs bidirectionnels à montage en surface conçus pour une stabilité à haute température et une haute fiabilité.

Infineon Technologies MOSFET de puissance OptiMOS™ 8

03.17.2026

- Il s’agit de MOSFET de 80 V ou 100 V de niveau normal à canal N avec une très faible résistance à l'état passant [RDS(ON)].

Infineon Technologies Commutateurs bidirectionnels CoolGaN moyenne tension™

03.17.2026

- Ces dispositifs sont parfaitement adaptés pour servir de commutateurs de déconnexion de batterie dans diverses applications.

ROHM Semiconductor Ensemble TRCDRIVE™ BST400D12P4A1x1 à Modules moulés

03.17.2026

- Présente une tension nominale de 1 200 V en boîtier de 41,6 × 52,5 mm et intègre des MOSFET au SiC de 4e génération.

Diodes Incorporated Redresseurs planaires hyper-rapides DTHP60B07PT 60 A

03.13.2026

- Dotés d’une tension inverse de 650 V, d’une faible chute de tension directe et d’un temps de récupération inverse ultra-rapide.

onsemi MOSFET de puissance à double canal N NVMFD5873NL

03.13.2026

- Conçus pour des conceptions compactes et efficaces, y compris des performances thermiques élevées.

Micro Commercial Components (MCC) BAT46L2 Schottky Diode

03.12.2026

- 150mW small-signal Schottky diode designed for high‑speed switching applications.

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