Les plus récent(e)s Transistors

.hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

.catnav-wrapper { height: auto; overflow: visible; } .catalog-nav-tabs ul { white-space: normal; }

Types de Transistors

Liste Images

Filtres appliqués:

Fabricant = Nexperia Retournez à l''onglet Produit pour modifier vos filtres actuels.

Nexperia MOSFET canal N BUK7Q dans boîtier MLPAK33-WF

09.29.2025

- Utilise la technologie Trench 9, répond aux exigences AEC-Q101.

Nexperia MOSFET à tranchée et canal N BUK9Q

09.09.2025

- Compatible aux niveaux logiques, commutation rapide et entièrement homologuée pour l'automobile selon la norme AEC-Q101 à 175 °C.

Nexperia MOSFET BUK6Q8R2-30PJ

08.27.2025

- FET à canal P dans un boîtier plastique CMS MLPAK33 (SOT8002-3) utilisant la technologie MOSFET Trench.

Nexperia MOSFET BUK6Q66-60PJ

08.27.2025

- FET à canal P dans un boîtier plastique CMS MLPAK33 (SOT8002-3) utilisant la technologie MOSFET Trench.

Nexperia Carte Transistors à jonction bipolaire MJPEx (BJT))

08.26.2025

- Le boîtier CFP15B offre une alternative compacte et économique à la série MJD dans le boîtier DPAK.

Nexperia MOSFET BUK6Q12-40PJ

08.19.2025

- FET à canal P dans un boîtier plastique CMS MLPAK33 (SOT8002-3) utilisant la technologie MOSFET à tranchée.

Nexperia MOSFET BUK6Q21-30PJ

08.19.2025

- FET à canal P 30 V dans un boîtier CMS en plastique MLPAK33 (SOT8002-3) utilisant la technologie de MOSFET à tranchée.

Nexperia MOSFET BUK6Q26-40PJ

08.19.2025

- FET à canal P dans un boîtier plastique CMS MLPAK33 (SOT8002-3) utilisant la technologie MOSFET à tranchée.

Nexperia FET GaN 100 V GANE7R0/GANE2R7/GANE1R8

07.03.2025

- Dispositifs normalement hors tension qui offrent des performances supérieures et une très faible résistance à l'état passant.

Nexperia HEMT GaN GANB1R2-040QBA et GANB012-040CBA

07.03.2025

- HEMT (transistors à haute mobilité d'électrons) en nitrure de gallium (GaN) bidirectionnels, 40 V, 1,2 mΩ ou 12 mΩ.

Nexperia MOSFET à tranchée de niveau logique canal N PXNx

04.14.2025

- MOSFET 60 V et 100 V conçus pour une gestion de l'alimentation à haut rendement dans diverses applications.

Nexperia FET GaN bidirectionnel GANB8R0-040CBA

04.14.2025

- HEMT GaN bidirectionnel 40 V, 8,0 mΩ logé dans un boîtier WLCSP compact de 1,7 mm x 1,7 mm.

Nexperia NX5020x FET à mode d’amélioration à canal N

04.01.2025

- Les dispositifs ont une tension de seuil très faible et une commutation très rapide grâce à la technologie MOSFET à tranchée.

Nexperia MOSFET de puissance spécifiques à une application

01.21.2025

- Allie un savoir-faire reconnu en matière de MOSFET à une fine connaissance des applications pour développer une gamme en constante expansion.

Nexperia ASFET CCPAK pour l'échange à chaud et le démarrage progressif

01.08.2025

- Offre un mode linéaire fiable, une SOA améliorée et une faible RDS(on) dans un seul et même composant.

Nexperia Transistors PNP de puissance moyenne 1 A BC5xPAS-Q

12.30.2024

- Transistors PNP qualifiés AEC-Q101 dans un boîtier plastique CMS DFN2020D-3 (SOT1061D) ultra-mince.

Nexperia Transistors de puissance BC869-Q

12.11.2024

- Transistors de puissance moyenne PNP dans un boîtier SOT89 (SC-62) de puissance moyenne et plastique à broches plates.

Nexperia FET GaN bidirectionnel GANB4R8-040CBA

10.01.2024

- Un transistor à haute mobilité électronique bipolaire (HEMT) GaN bidirectionnel de 40 V, 4,8 mΩ dans un boîtier WLCSP.

Nexperia MOSFET à canal N BUK7J2R4-80M

08.30.2024

- Basé sur la technologie de grille divisée à faible valeur ohmique Trench 14 et logé dans un boîtier LFPAK56E.

Nexperia Transistors PBSSxx50PAS/PBSSxx50PAS-Q

07.04.2024

- Provides low collector-emitter saturation voltage and high collector current capability.

Nexperia FET au nitrure de gallium (GaN) GANE3R9-150QBA

07.02.2024

- Un FET au nitrure de gallium (GaN) à usage général de 150 V, 3,9 mΩ dans un boîtier VQFN.

Nexperia MOSFET SiC à canal N NSF0x0120

07.01.2024

- Disponibles dans un boîtier TO-263 à 7 broches ou dans un boîtier plastique QDPAK à 22 broches pour la technologie PCB de montage en surface.

Nexperia MOSFET à canal N NextPower PSMNxRx-80YSF

06.24.2024

- MOSFET à commande de grille de niveau standard de 80 V avec un faible Qrr pour une efficacité plus élevée et un pic plus faible.

Nexperia MOSFET à canal N NSF0x120L4A0

04.23.2024

- MOSFET de puissance 1 200 V à base de carbure de silicium (SiC) dans des boîtiers plastiques TO-247 à 4 broches bien connus.

Nexperia MOSFET à tranchée et canal N BSS138AK

04.04.2024

- Transistors à effet de champ (FET) à canal N en mode enrichissement qualifiés AEC-Q101 dans de petits boîtiers CMS.

Consulter : 1 - 25 sur 44

Filtrer par :

onsemi FET GaN GaNEXUS™

07.08.2026

- Matériau à large bande interdite assurant une faible charge de grille et de sortie, une commutation rapide et un rendement amélioré.

Vishay MOSFET à canal N 750 V MaxSiC ® MXP075

06.19.2026

- Présente une tension drain-source de 750 V, une vitesse de commutation rapide et un temps de tenue aux courts-circuits de 3 μs.

Navitas Semiconductor 3300V & 2300V Silicon Carbide (SiC) MOSFETs

06.18.2026

- Based on latest GeneSiC™ trench-assisted planar (TAP) technology, offers flexible packaging formats.

Infineon Technologies Modules EasyPACK™ S

06.12.2026

- Conversion d'énergie efficace dans un boîtier compact et facile à intégrer, conçu pour les conceptions d'alimentation modernes.

Infineon Technologies MOSFET de puissance OptiMOS™ 7 de 100 V pour l'automobile

05.27.2026

- Dispositifs à canal N de pointe, conçus pour la commutation de puissance à haut rendement.

Texas Instruments MOSFET 6 V 2N7002L à canal N

05.18.2026

- Conçu pour minimiser la résistance à l'état passant tout en conservant des performances de commutation rapides.

Infineon Technologies Modules d'alimentation CIPOS™ Prime automobiles CoolSiC™

05.06.2026

- Les modules d'alimentation sont conçus pour une haute performance dans les applications xEV .

onsemi MOSFET de puissance monocanal N NVBYST0D8N08X

04.14.2026

- Optimisé pour l'exploitation à haute tension et résiste aux contraintes de commutation rapide et de courant élevé.

ROHM Semiconductor Modules de puissance de haute densité au SiC

04.10.2026

- Les boîtiers TRCDRIVE pack™, DOT-247 et HSDIP20 contribuent à une conversion performante de puissance.

iDEAL Semiconductor IS20M8R0S1P SuperQ™ 200V N-Channel Power MOSFET

04.07.2026

- Low switching losses, high short-circuit withstand capability (SCWC), and comes in a TO-220 package.

onsemi MOSFET NTMFD0D9N02P1E

04.06.2026

- MOSFET à canal N double conçu avec une faible Rg pour les applications à commutation rapide.

Vishay Module MOSFET de puissance VS-HOT200C080 de 200 A et 80 V

04.02.2026

- Ce dispositif réduit les exigences d’espace de la carte jusqu’à 15 % par rapport aux solutions discrètes standard.

Toshiba MOSFET de puissance à canal N/canal P

03.31.2026

- Idéal pour la commutation à haute vitesse, les commutateurs de gestion de l’alimentation les convertisseurs CC-CC et les pilotes de moteurs.

STMicroelectronics MOSFET de puissance STL059N4S8AG

03.31.2026

- Un MOSFET de puissance à canal N en mode enrichissement 40 V conçu avec la technologie Smart STRipFET F8.

Infineon Technologies MOSFET de puissance OptiMOS™ 7 25 V à canal N

03.27.2026

- Performances optimisées pour les applications, permettant des performances optimales pour les centres de données, les serveurs et l'IA.

Infineon Technologies MOSFET de puissance OptiMOS™ 6 60 V

03.27.2026

- Offrent des performances supérieures à OptiMOS 5 grâce à une technologie MOSFET de puissance robuste.

iDEAL Semiconductor iS20M6R3S1P SuperQ™ 200V N-Channel Power MOSFET

03.24.2026

- Delivers ultra-low conduction and switching losses in a robust TO-220 package.

Renesas Electronics Commutateur bidirectionnel (BDS) TP65B110HRU

03.20.2026

- à semi-conducteur de nitrure de gallium (GaN) de 650 V et 110 mΩ normalement désactivé dans un boîtier compact TOLT.

Infineon Technologies MOSFET de puissance OptiMOS™ 8

03.17.2026

- Il s’agit de MOSFET de puissance à canal N, de niveau normal 80 V ou 100 V avec une résistance de conduction très faible [RDS(ON)].

ROHM Semiconductor Ensemble TRCDRIVE™ BST400D12P4A1x1 à Modules moulés

03.17.2026

- Présente une tension nominale de 1 200 V en boîtier de 41,6 × 52,5 mm et intègre des MOSFET au SiC de 4e génération.

Infineon Technologies Commutateurs bidirectionnels CoolGaN moyenne tension™

03.17.2026

- Ces dispositifs sont parfaitement adaptés pour servir de commutateurs de déconnexion de batterie dans diverses applications.

onsemi MOSFET de puissance à double canal N NVMFD5873NL

03.13.2026

- Conçus pour des conceptions compactes et efficaces, y compris des performances thermiques élevées.

Diotec Semiconductor DI009N10PQ N-Channel Power MOSFET

03.10.2026

- Supports a drain‑source voltage of 100V and delivers 9A continuous drain current at 25°C.

Diotec Semiconductor DI040N10D1-AQ N-Channel Power MOSFET

03.10.2026

- Supports a drain‑source voltage of 100V and delivers 40A continuous drain current at 25°C.

Diotec Semiconductor DI050N04BPT-AQ N-Channel Power MOSFET

03.10.2026

- Supports a drain‑source voltage of 40V and delivers 50A continuous drain current at 25°C.

Consulter : 1 - 25 sur 567

Types de Transistors

Filtrer par :

Bureau du Service Client

Société

Ressources

Assistance