Les plus récent(e)s Semi-conducteurs

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Types de Semi-conducteurs

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ROHM Semiconductor Modules de puissance de haute densité au SiC

04.10.2026

- Les boîtiers TRCDRIVE pack™, DOT-247 et HSDIP20 contribuent à une conversion performante de puissance.

ROHM Semiconductor Ensemble TRCDRIVE™ BST400D12P4A1x1 à Modules moulés

03.17.2026

- Présente une tension nominale de 1 200 V en boîtier de 41,6 × 52,5 mm et intègre des MOSFET au SiC de 4e génération.

ROHM Semiconductor Amplificateur opérationnel TLR2728YFJ-C

12.11.2025

- Amplificateur opérationnel double CMOS à entrée/sortie rail à rail et à haute vitesse .

ROHM Semiconductor Amplificateur opérationnel LMRx802-LB

11.24.2025

- L’ampli op présente un faible niveau de bruit, une tension de décalage d’entrée faible et un faible courant de polarisation d’entrée.

ROHM Semiconductor Convertisseur A/N BD79124MUF-C

11.18.2025

- Convertisseur A/N à approximation successive polyvalent, 12 bits et 8 canaux.

ROHM Semiconductor Diode à broche RN789FM

11.18.2025

- Petit boîtier moulé, adapté à un circuit de contrôle automatique du gain et à un amplificateur/atténuateur d’antenne.

ROHM Semiconductor MOSFET de puissance à canal P RH7G03BBJFRA

11.18.2025

- Ce MOSFET possède une tension VDSS nominale de -40 V et une tension ID nominale (VDS = -10 V) de ±22 A.

ROHM Semiconductor MOSFET de puissance à canal P RJ1P10BAT

11.18.2025

- Ce MOSFET a une tension VDSSnominale de -100 V et une tension ID nominale (VDS = 10 V) de ±105 A.

ROHM Semiconductor Convertisseurs à circuits intégrés BM2P10xJ-ZCC/CC de type PWM

11.03.2025

- Ils comportent un MOSFET intégré de commutation de 730 V et fonctionnent directement sur secteur CA haute tension.

ROHM Semiconductor MOSFET SiC à canal N de 750 V

10.17.2025

- Les dispositifs augmentent la fréquence de commutation, réduisant ainsi les condensateurs, les réacteurs et les autres composants requis.

ROHM Semiconductor MOSFET de puissance automobile RD3x

10.16.2025

- MOSFET AEC-Q101 avec tension directe faible, temps de récupération rapide et capacité de surtension élevée.

ROHM Semiconductor CI convertisseurs CC/CC de type MLI BM2P06xJ-Z

09.26.2025

- Conçu pour les applications d'alimentation CA-CC isolée compactes et efficaces.

ROHM Semiconductor Carte d'évaluation BM3G115MUV-EVK-003

08.27.2025

- Conçue pour évaluer et démontrer les capacités du CI à étage de puissance HEMT BM3G115MUV.

ROHM Semiconductor Carte d'évaluation BM3G107MUV-EVK-003

08.27.2025

- Conçue pour évaluer et démontrer les capacités du CI à étage de puissance HEMT au GaN BM3G107MUV.

ROHM Semiconductor MOSFET de puissance SiC canal N 1 700 V SCT2H12NWB

08.21.2025

- MOSFET SiC avec une tension de source de drain (VDSS) de 1 700 V et un courant de drain continu (ID) de 3,9 A.

ROHM Semiconductor MOSFET de puissance RJ1x10BBG

08.21.2025

- MOSFET de puissance à canal N avec faible résistance à l'état passant et boîtier haute puissance.

ROHM Semiconductor Diodes PIN de qualité automobile RNxMFH

08.21.2025

- Diodes de qualité automobile avec un boîtier surmoulé ultra-compact adapté à la commutation à haute fréquence.

ROHM Semiconductor MOSFET à canal P RQxAT

08.21.2025

- Comprennent un boîtier monté en surface avec une faible résistance à l'état passant et sont testés à 100 % Rg et UIS.

ROHM Semiconductor Diode à récupération ultra-rapide RF202LB2S

08.21.2025

- Une diode à récupération ultra-rapide de type planaire épitaxiale en silicium, caractérisée par un faible VF et de faibles pertes de commutation.

ROHM Semiconductor Diode PIN RN242SM

08.20.2025

- Présente une faible capacité et un boîtier moulé ultra-compact, adapté à la commutation haute fréquence.

ROHM Semiconductor MOSFET à signal faible et canal P RQ5G040AT -40 V

08.19.2025

- Un MOSFET spécifié pour une tension drain-source de -40 V (VDSS) et un courant de drain continu (ID) de ±4,0 A.

ROHM Semiconductor MOSFET de puissance de canal N RH7P04BBKFRA 100 V

08.19.2025

- MOSFET de puissance de qualité automobile avec une tension VDSS de 100 V et un courant ID de ±40 A, conforme à la norme AEC-Q101.

ROHM Semiconductor MOSFET de puissance de canal N 40 V RH7G04

08.19.2025

- Ces dispositifs sont des MOSFET de qualité automobile certifiés AEC-Q101, avec une tension de crête VDSS de 40 V et un courant de décharge IDde ±40 A.

ROHM Semiconductor Diodes Zener JMZV8.2B de 5 mA

08.19.2025

- Les dispositifs sont livrés dans un boîtier PMDE (petit moule d’alimentation) adapté aux applications de régulation de tension.

ROHM Semiconductor EEPROM SPI BUS BR25G-5

08.19.2025

- Ces dispositifs sont des EEPROM en série 16 kbit avec une interface SPI BUS et 4 millions de cycles d'écriture.

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Filtrer par :

Infineon Technologies DEMO_AC_ZVS_HVBDS Evaluation Board

07.27.2026

- Demonstrates the AC soft-switching capability of CoolGaN™ Bidirectional Switch (BDS) 650V G5.

STMicroelectronics EVL-L98GD8E Evaluation Board

07.27.2026

- Evaluates the L98GD8E, a 48V-rated smart power device designed in advanced BCD technology.

Infineon Technologies REF_500W_CYCLO_BDSGAN Evaluation Board

07.27.2026

- Serves as a solar microinverter reference design based on cyclo-converter topology.

Infineon Technologies REF_LEDP_ANI_EXT LITIX™ LED Reference Board

07.27.2026

- Animated exterior lighting reference board for automotive LITIX™ LED platform evaluation.

Microchip Technology AVR32LA32 Curiosity Nano Evaluation Kit

07.27.2026

- Curiosity Nano board for evaluating AVR32LA32 microcontroller applications.

Renesas Electronics EBC10298 PSR GaN SIP

07.27.2026

- A combination of a PSR and GaN, with up to 65W of power and a low BOM cost.

Renesas Electronics EBC10293 240W PD3.2 EPR Design Board

07.27.2026

- Includes with RRW11011, RRW40120, RRW43110, and RRW30120 converters.

Renesas Electronics EBC10296 & EBC10320 SSR + GaN SIPs

07.27.2026

- Combo solution of SSR + GaN with up to 100W power design.

Renesas Electronics RRW2111x GaN System-in-Packages (SiPs)

07.27.2026

- 700V GaN integrated primary side QR flyback regulators for 25W/45W/65W applications.

Infineon Technologies LITIX™ SHIELD_LED_PLATFORM Arduino Shield

07.27.2026

- Arduino shield for evaluating LITIX™ LED platform reference designs.

Renesas Electronics PTX205RIOTEB Evaluation Board

07.27.2026

- Combines the Config Tool GUI to enable easy, fast evaluation of PTX205R NFC IC performance.

Infineon Technologies KIT_HB_GaN Half-bridge Daughterboards

07.27.2026

- Integrate different gate drive solutions for CoolGaN™ transistors 650V G5.

Infineon Technologies SPOC™ Wire Guard Power Switch IC

07.27.2026

- Features a 24‑bit SPI interface with CRC and driving loads up to a nominal current of 34.5A.

Microchip Technology AVR® LA AVR32LA14/20/28/32 Microcontrollers

07.24.2026

- Entry-level AVR LA MCUs for capacitive touch and low-power embedded designs.

Silicon Labs Cartes radio module SiWG917Y

07.23.2026

- Cartes radio Wi-Fi 6 et Bluetooth LE pour le développement d'IoT sans fil.

iC-Haus iC-MU Evaluation Kits

07.22.2026

- Designed to evaluate the iC-MU magnetic off-axis position encoders.

Analog Devices Inc. Régulateurs abaisseurs LT8686S

07.22.2026

- Régulateurs abaisseurs quadruples avec des sorties jumelables et des performances EMI ultra-faibles.

iC-Haus iC-MU Magnetic Off-Axis Position Encoders

07.22.2026

- Integrated with Hall sensors for two-track scanning and can log an absolute position.

Microchip Technology Carte fille SPI Memory Xplorer EV34X05A

07.21.2026

- Carte fille SPI pour l'évaluation d'EEPROM série Memory Xplorer.

Infineon Technologies Circuits intégrés de gestion d’alimentation OPTIREG™ TLF4Dx

07.21.2026

- CI de gestion de l'alimentation haute efficacité et multi-rail pour les systèmes jusqu'à ASIL D.

Microchip Technology Carte fille EV08L40A

07.21.2026

- Carte fille à fil unique pour évaluation d'EEPROM série Memory Xplorer.

Infineon Technologies Evaluation Kits for EiceDRIVER™ 2EDN Gate Drivers

07.21.2026

- Provides a test platform for dual-channel non-isolated gate driver IC EiceDRIVER™.

Microchip Technology EEPROM série SPI 1 Mbit 25CSM01

07.21.2026

- EEPROM SPI de 1 Mbit avec ECC, numéro de série et protection en écriture améliorée.

Infineon Technologies Carte d'évaluation DEMO_48V12_400W_GAN

07.20.2026

- Carte démo de convertisseur abaisseur en configuration de demi-pont, dotée du transistor CoolGaN™ 80 V G3.

IXYS Redresseur DK010S3ARP 1 000 V 10 A

07.20.2026

- Il est doté de jonctions passivées au verre pour une stabilité améliorée et est assemblé dans un boîtier DO-214AB.

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