Les plus récent(e)s MOSFET – Mouser Luxembourg

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STMicroelectronics MOSFET de puissance MDmesh K6 à canal N

07.22.2024

- 800 V, protégés par Zener, testés à 100 % en avalanche et idéaux pour les convertisseurs Flyback et l’éclairage LED.

STMicroelectronics MOSFET de puissance STripFET F8 à canal N

12.01.2023

- Conformes à AEC-Q101, ils offrent une solution de boîtier complète de 30 V à 150 V.

STMicroelectronics MOSFET de puissance à canal N STP80N1K1K6

10.01.2023

- Utilise la technologie MDmesh K6, en s'appuyant sur 20 années d'expérience dans le domaine de la technologie de super jonction.

STMicroelectronics MOSFET de puissance SH63N65DM6AG

08.18.2023

- Le MOSFET de puissance de topologie en demi pont canal N de classe automobile avec tension de blocage 650 V.

STMicroelectronics MOSFET STripFET à canal N 100 V STL120N10F8

05.08.2023

- Le composant utilise la technologie STripFET F8 de ST disposant d'une structure de grille en tranchée améliorée.

STMicroelectronics MOSFET de puissance MDmesh K6 800 V 10 A STD80N450K6

01.25.2023

- MOSFET de puissance à canal N et haute tension disposant d'une protection Zener et d'une avalanche 100 %.

STMicroelectronics MOSFET de puissance à canal N 800 V STP80N450K6

10.19.2022

- MOSFET de puissance à canal N et haute tension conçu à l'aide de la technologie MDmesh K6 ultime.

STMicroelectronics MOSFET de puissance à canal N STL325N4LF8AG

06.24.2022

- Utilise la technologie STRipFET F8 et présente une structure améliorée à structure de grille.

STMicroelectronics MOSFET de puissance STripFET F8 à canal N STL320N4LF8

06.21.2022

- Fabriqué selon la technologie MOSFET à tranchée STRipFET F8.

STMicroelectronics MOSFET de puissance MDmesh DM9 STP60N043DM9

05.27.2022

- Pour moyenne/haute tension, disposant d'une RDS(on) très faible par zone, associée à une diode à récupération rapide.

STMicroelectronics MOSFET de puissance MDmesh M9 STP65N045M9

05.25.2022

- Conçu pour les MOSFET moyenne/haute tension disposant d'une RDS(on) très faible par surface.

STMicroelectronics MOSFET de puissance MDmesh K6 800 V 16 A STD80N240K6

05.04.2022

- Présente un excellent RDS(on) x zone et un faible Qg, ce qui permet d’atteindre des vitesses de commutation élevées et de faibles pertes.

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IXYS X4-Class Power MOSFETs

02.02.2026

- Offer low on-state resistance and conduction losses, with improved efficiency.

onsemi MOSFET de puissance à canal N 80 V NVBYST0D6N08X

12.26.2025

- Ce dispositif offre un faible QRR et une diode de corps à récupération progressive dans un boîtier TCPAK1012 (TopCool).

Infineon Technologies MOSFET de puissance OptiMOS™ 6 80 V

12.23.2025

- Définit les performances de référence du secteur grâce à une large offre de portefeuille.

onsemi MOSFET N voies double NVMFD5877NL

12.19.2025

- Conçu pour des conceptions compactes et efficaces, incluant des performances thermiques élevées.

onsemi MOSFET à petit signal FDC642P-F085

11.25.2025

- Doté d’une technologie à tranchées haute performance pour une RDS(on) extrêmement faible et d’une vitesse de commutation rapide.

onsemi MOSFET à canal P basse/moyenne tension NTTFS007P02P8

11.25.2025

- Conçu avec la technologie PowerTrench pour des performances de commutation avec une RDS(on) extrêmement faible et une grande robustesse.

iDEAL Semiconductor iS20M028S1C SuperQ™ 200V N-Ch Power MOSFETs

11.24.2025

- Designed for SMPS and high-efficiency motor drives in a robust PDFN package measuring 5mm x 6mm.

onsemi MOSFET de puissance monocanal N NVD5867NL

11.20.2025

- Il présente une tension drain-source de 60 V et une résistance drain-source de 39 mΩ et est homologué AEC-Q101.

onsemi MOSFET à canal N unique NVD6824NL

11.20.2025

- Affichent une RDS(on) faible pour minimiser les pertes de conduction et supportent des courants élevés.

onsemi MOSFET de puissance monocanal N NVMFS5832NL

11.19.2025

- MOSFET à hautes performances conçu pour les applications à basse tension nécessitant une commutation d’énergie efficace.

onsemi MOSFET de puissance monocanal N NVMFS5830NL

11.19.2025

- MOSFET de puissance à canal N unique haute efficacité conçu pour des applications exigeantes de gestion de l'alimentation.

Diodes Incorporated MOSFET E-Mode à double canal N DMTH64M2LPDW

10.31.2025

- Intègre deux MOSFET dans un boîtier unique PowerDI ® de 5 mm x 6 mm avec d'excellentes performances thermiques.

Diodes Incorporated Transistors à effet de champ 2N7002 de type N en mode E

10.31.2025

- Offre des performances de commutation rapides avec une faible charge de grille et une tension drain-source maximale de 60 V.

Diodes Incorporated MOSFET à mode d'amélioration à canal N DMN1057UCA3

10.21.2025

- Offre des performances de commutation supérieures, ce qui est idéal pour les applications de gestion de l'énergie à haut rendement.

Toshiba MOSFET à canal N TPH2R70AR5

10.17.2025

- Idéal pour les convertisseurs CC-CC à haute efficacité, il est disponible dans un boîtier SOP Advance (N).

ROHM Semiconductor MOSFET de puissance automobile RD3x

10.16.2025

- MOSFET AEC-Q101 avec tension directe faible, temps de récupération rapide et capacité de surtension élevée.

onsemi MOSFET de puissance monocanal P NTK3139P

10.14.2025

- Il est livré dans un boîtier avec une empreinte réduite de 44 % et est 38 % plus fin qu'un boîtier SC-89.

onsemi MOSFET de puissance monocanal N NVNJWS200N031L

10.14.2025

- Le dispositif présente une faible résistance RDS(on) et un faible seuil de tension de grille, et est disponible avec un flanc mouillable.

IXYS MOSFET de puissance 200 V de classe X4 MMIX1T500N20X4

10.08.2025

- Le boîtier isolé à base de céramique améliore la Rth(j-s) globale ainsi que la capacité de traitement de puissance.

onsemi MOSFET basse/moyenne tension T10

10.06.2025

- MOSFET monocanal N unique en 40 V et 80 V avec des performances rehaussées et une efficacité système améliorée.

Infineon Technologies MOSFET de puissance 40 V optimisés OptiMOS™ 7

10.02.2025

- Propose des solutions sur mesure pour une conversion d'énergie efficace dans les moteurs, les outils électriques et les outils de jardinage.

Infineon Technologies MOSFET de puissance OptiMOS™ 7 canal N

09.30.2025

- Transistors à canal N haute performance conçus pour les applications de conversion d'énergie exigeantes.

Nexperia MOSFET canal N BUK7Q dans boîtier MLPAK33-WF

09.29.2025

- Utilise la technologie Trench 9, répond aux exigences AEC-Q101.

Nexperia MOSFET à tranchée et canal N BUK9Q

09.09.2025

- Compatible aux niveaux logiques, commutation rapide et entièrement homologuée pour l'automobile selon la norme AEC-Q101 à 175 °C.

onsemi MOSFET de puissance monocanal N NTK3134N

09.08.2025

- MOSFET de puissance monocanal N de 20 V, 890 mA robustes optimisés pour des applications de commutation à haut rendement.

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