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Types de Semiconducteurs discrets

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Vishay Redresseurs à récupération rapide RS07x

04.07.2026

- Redresseurs à montage en surface et passivés au verre avec une VRRM maximale comprise entre 100 V et 800 V.

Vishay Redresseurs haute tension à récupération standard S07x-M

04.07.2026

- Redresseurs à montage en surface et passivés au verre avec une VRRM maximale comprise entre 100 V et 1 000 V.

Vishay Module MOSFET de puissance VS-HOT200C080 de 200 A et 80 V

04.02.2026

- Ce dispositif réduit les exigences d’espace de la carte jusqu’à 15 % par rapport aux solutions discrètes standard.

Vishay Suppresseurs de tension transitoire XClampR® XFD11K

03.18.2026

- Les dispositifs bidirectionnels à montage en surface conçus pour une stabilité à haute température et une haute fiabilité.

Vishay T3KN12CA thru T3KN100CA PAR® TVS

03.18.2026

- TVSs are bidirectional, 3000W peak-pulse-power devices ideal for automated placement.

Vishay Diodes TVS 3KDFN12CA à 3KDFN100CA

03.02.2026

- Diodes TVS Transzorb®, conçues pour protéger les circuits électroniques sensibles contre les pics de tension.

Vishay Redresseurs haute tension CMS SE45124/SE50124

02.17.2026

- Ces dispositifs disposent d'une excellente dissipation de chaleur et d'une capacité de courant de surtension élevée.

Vishay Pont redresseur en ligne simple KBPE0480

02.16.2026

- Ces dispositifs ont une faible chute de tension directe et sont disponibles en boîtier KBP.

Vishay Redresseurs CMS SE050N6/SE080N6/SE100N6/SE120N6

02.10.2026

- Ces dispositifs sont disponibles dans un boîtier à profil mince, avec une hauteur standard de seulement 0,88 mm.

Vishay Diodes de puissance SCHOTTKY en carbure de silicium

02.03.2026

- Offrent une efficacité, une robustesse et une fiabilité exceptionnelles dans les applications exigeantes d’électronique de puissance.

Vishay SE40CLJ Surface-Mount High Voltage Rectifiers

02.03.2026

- Designed for demanding power conversion applications

Vishay High Current Density/Voltage Schottky Rectifiers

02.03.2026

- Delivers robust performance for demanding power‑conversion applications.

Vishay SE30CLJ Surface-Mount High Voltage Rectifiers

02.03.2026

- Engineered for robust performance in demanding power conversion applications.

Vishay Redresseurs VS-E7JX0x12-M3/HM3 Gen 7 FRED Pt®

06.03.2025

- Redresseurs hyperrapides de 1 200 V, 1 A ou 2 A dans un boîtier SlimSMA HV (DO-221AC).

Vishay LVE2580E Low VF Single In-Line Bridge Rectifier

05.20.2025

- Offers low forward voltage drop & noise with high surge current in a thin single-in-line package.

Vishay Redresseurs en pont monophasiques passivés au verre

04.17.2025

- Idéal pour la rectification en onde complète en pont CA/CC pour les moniteurs, les imprimantes et les applications d'adaptateur.

Vishay Suppresseurs de tension transitoire PAR® monté en surface

04.17.2025

- Idéal pour une utilisation dans la protection de l'électronique sensible contre les transitoires de tension induits par la foudre.

Vishay SxBx Surface-Mount Glass Passivated Rectifiers

04.03.2025

- Offers current ratings from 1.0A to 5.0A and peak reverse voltages ranging from 400V to 1000V.

Vishay Diode à récupération ultra-rapide et douce VS-EBU15006HN4

03.25.2025

- Diode de 150 A, optimisée pour réduire les pertes et les EMI/RFI dans les systèmes de conditionnement de puissance à haute fréquence.

Vishay Modules d'alimentation MOSFET SiC MAACPAK PressFit

03.17.2025

- Conçus pour augmenter l'efficacité et la fiabilité pour les applications de fréquence moyenne à élevée.

Vishay MOSFET de puissance en carbure de silicium VS-VF à commutation unique

03.17.2025

- MOSFET SiC haute performance, idéaux pour les applications de commutation haute fréquence.

Vishay Diodes de protection DES

03.14.2025

- Elles offrent une faible résistance thermique et des valeurs de courant et de puissance étendues dans un boîtier SOT-23.

Vishay Diodes à pont monophasé SiC VS-SCx0BA120

11.12.2024

- Composants robustes et haute performance pour une conversion de puissance efficace dans diverses applications.

Vishay MOSFET à canal N SiJK5100E

11.11.2024

- MOSFET de puissance TrenchFET® Gén V avec une tension drain-source de 100 V et une puissance dissipable admissible de 536 W.

Vishay MOSFET à canal N TrenchFET® Gen IV 80 V SiEH4800EW

10.25.2024

- Se présente dans un boîtier BWL de 8 mm x 8 mm PowerPAK® avec une résistance à l'état passant de 0,00115 Ω.

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Infineon Technologies MOSFET de puissance OptiMOS™ 7 de 100 V pour l'automobile

05.27.2026

- Dispositifs à canal N de pointe, conçus pour la commutation de puissance à haut rendement.

Texas Instruments MOSFET 6 V 2N7002L à canal N

05.18.2026

- Conçu pour minimiser la résistance à l'état passant tout en conservant des performances de commutation rapides.

Bourns Diode TVS à montage en surface CDSOT23-SM712-Q

05.12.2026

- Fournit une protection pour les ports de données conformément aux normes IEC 61000-4-2, IEC 61000-4-4 et IEC 61000-4-5.

Infineon Technologies Modules d'alimentation CIPOS™ Prime automobiles CoolSiC™

05.06.2026

- Les modules d'alimentation sont conçus pour une haute performance dans les applications xEV .

Littelfuse Diodes TVS AK-FL

05.04.2026

- Diodes TVS bidirectionnelles FlatSuppressX™ à tension de serrage faible et stable, avec pattes axiales.

Littelfuse Diodes TVS FlatSuppressX™ TP1KSMB-FL

05.04.2026

- Spécialement conçues pour protéger les équipements électroniques sensibles contre les surtensions transitoires.

Littelfuse Diodes TVS FlatSuppressX™ TP5.0SMD-FL

05.04.2026

- Puissance d'impulsion de crête de 5000 W avec une forme d'onde de 10/1000 µs et dissipation de puissance de 6,5 W.

Littelfuse SCR haute température SJx08x

04.24.2026

- Tension jusqu'à 800 V, capacité de courant de surtension jusqu'à 100 A et une température nominale de +150°C.

Littelfuse TRIAC alternistors haute température QVx35xHx

04.24.2026

- Offre un courant nominal de 35 A et est disponible dans les boîtiers TO-220A, TO-220 isolés et TO-263.

RECOM Power ICs, Transformers, & Discrete Solutions

04.24.2026

- Features components ideal for energy, industrial, and medical applications.

Diotec Semiconductor BAS70-05W Schottky Diode

04.16.2026

- Designed for high‑speed switching and voltage clamping in space‑constrained applications.

onsemi MOSFET de puissance monocanal N NVBYST0D8N08X

04.14.2026

- Optimisé pour l'exploitation à haute tension et résiste aux contraintes de commutation rapide et de courant élevé.

ROHM Semiconductor Modules de puissance de haute densité au SiC

04.10.2026

- Les boîtiers TRCDRIVE pack™, DOT-247 et HSDIP20 contribuent à une conversion performante de puissance.

iDEAL Semiconductor IS20M8R0S1P SuperQ™ 200V N-Channel Power MOSFET

04.07.2026

- Low switching losses, high short-circuit withstand capability (SCWC), and comes in a TO-220 package.

Vishay Redresseurs haute tension à récupération standard S07x-M

04.07.2026

- Redresseurs à montage en surface et passivés au verre avec une VRRM maximale comprise entre 100 V et 1 000 V.

Vishay Redresseurs à récupération rapide RS07x

04.07.2026

- Redresseurs à montage en surface et passivés au verre avec une VRRM maximale comprise entre 100 V et 800 V.

onsemi MOSFET NTMFD0D9N02P1E

04.06.2026

- MOSFET à canal N double conçu avec une faible Rg pour les applications à commutation rapide.

Taiwan Semiconductor SMF4LxCA/AH Transient Voltage Suppressor Diodes

04.02.2026

- High-efficiency, low-power, 400W, 5V to 75V surface-mount devices ideal for automated placement.

Taiwan Semiconductor SMA6FxCAH/SMA6SxCAH TVS Diodes

04.02.2026

- AEC-Q101 qualified 600W, 12V to 60V surface-mount devices operating at 0.094%/°C maximum VBR.

Vishay Module MOSFET de puissance VS-HOT200C080 de 200 A et 80 V

04.02.2026

- Ce dispositif réduit les exigences d’espace de la carte jusqu’à 15 % par rapport aux solutions discrètes standard.

STMicroelectronics MOSFET de puissance STL059N4S8AG

03.31.2026

- Un MOSFET de puissance à canal N en mode enrichissement 40 V conçu avec la technologie Smart STRipFET F8.

Toshiba MOSFET de puissance à canal N/canal P

03.31.2026

- Idéaux pour les commutateurs à commutation rapide, les commutateurs de gestion de l'alimentation, les convertisseurs CC-CC et les entraînements à moteur.

Infineon Technologies MOSFET de puissance OptiMOS™ 7 25 V à canal N

03.27.2026

- Performances optimisées pour les applications, permettant des performances optimales pour les centres de données, les serveurs et l'IA.

Infineon Technologies MOSFET de puissance OptiMOS™ 6 60 V

03.27.2026

- Offrent des performances supérieures à OptiMOS 5 grâce à une technologie MOSFET de puissance robuste.

Infineon Technologies Diodes multi-usage pour la protection DES

03.27.2026

- Avec une protection optimale dans un empreinte compact, ces diodes offrent des performances DES supérieures.

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