Types de Semi-conducteurs
Filtres appliqués:
Fabricant
= ROHM Semiconductor
Retournez à l''onglet Produit pour modifier vos filtres actuels.
ROHM Semiconductor Modules de puissance de haute densité au SiC
04.10.2026
04.10.2026
Les boîtiers TRCDRIVE pack™, DOT-247 et HSDIP20 contribuent à une conversion performante de puissance.
ROHM Semiconductor Ensemble TRCDRIVE™ BST400D12P4A1x1 à Modules moulés
03.17.2026
03.17.2026
Présente une tension nominale de 1 200 V en boîtier de 41,6 × 52,5 mm et intègre des MOSFET au SiC de 4e génération.
ROHM Semiconductor Amplificateur opérationnel LMRx802-LB
11.24.2025
11.24.2025
L’ampli op présente un faible niveau de bruit, une tension de décalage d’entrée faible et un faible courant de polarisation d’entrée.
ROHM Semiconductor Convertisseurs à circuits intégrés BM2P10xJ-ZCC/CC de type PWM
11.03.2025
11.03.2025
Ils comportent un MOSFET intégré de commutation de 730 V et fonctionnent directement sur secteur CA haute tension.
ROHM Semiconductor MOSFET SiC à canal N de 750 V
10.17.2025
10.17.2025
Les dispositifs augmentent la fréquence de commutation, réduisant ainsi les condensateurs, les réacteurs et les autres composants requis.
ROHM Semiconductor MOSFET de puissance automobile RD3x
10.16.2025
10.16.2025
MOSFET AEC-Q101 avec tension directe faible, temps de récupération rapide et capacité de surtension élevée.
ROHM Semiconductor CI convertisseurs CC/CC de type MLI BM2P06xJ-Z
09.26.2025
09.26.2025
Conçu pour les applications d'alimentation CA-CC isolée compactes et efficaces.
ROHM Semiconductor Carte d'évaluation BM3G107MUV-EVK-003
08.27.2025
08.27.2025
Conçue pour évaluer et démontrer les capacités du CI à étage de puissance HEMT au GaN BM3G107MUV.
ROHM Semiconductor Carte d'évaluation BM3G115MUV-EVK-003
08.27.2025
08.27.2025
Conçue pour évaluer et démontrer les capacités du CI à étage de puissance HEMT BM3G115MUV.
ROHM Semiconductor Diodes PIN de qualité automobile RNxMFH
08.21.2025
08.21.2025
Diodes de qualité automobile avec un boîtier surmoulé ultra-compact adapté à la commutation à haute fréquence.
ROHM Semiconductor MOSFET à canal P RQxAT
08.21.2025
08.21.2025
Comprennent un boîtier monté en surface avec une faible résistance à l'état passant et sont testés à 100 % Rg et UIS.
ROHM Semiconductor Diode à récupération ultra-rapide RF202LB2S
08.21.2025
08.21.2025
Une diode à récupération ultra-rapide de type planaire épitaxiale en silicium, caractérisée par un faible VF et de faibles pertes de commutation.
ROHM Semiconductor MOSFET de puissance SiC canal N 1 700 V SCT2H12NWB
08.21.2025
08.21.2025
MOSFET SiC avec une tension de source de drain (VDSS) de 1 700 V et un courant de drain continu (ID) de 3,9 A.
ROHM Semiconductor MOSFET de puissance RJ1x10BBG
08.21.2025
08.21.2025
MOSFET de puissance à canal N avec faible résistance à l'état passant et boîtier haute puissance.
ROHM Semiconductor Diode PIN RN242SM
08.20.2025
08.20.2025
Présente une faible capacité et un boîtier moulé ultra-compact, adapté à la commutation haute fréquence.
ROHM Semiconductor MOSFET de puissance à canal P -60 V RH7L04CBJFRA
08.19.2025
08.19.2025
Un MOSFET de qualité automobile avec une VDSS de -60 V et une ID de ±36 A, homologué AEC-Q101.
ROHM Semiconductor EEPROM SPI BUS BR25G-5
08.19.2025
08.19.2025
Ces dispositifs sont des EEPROM en série 16 kbit avec une interface SPI BUS et 4 millions de cycles d'écriture.
ROHM Semiconductor MOSFET de puissance 60 V à canal N RH7L03
08.19.2025
08.19.2025
MOSFET de qualité automobile avec une tension VDSS de 60 V et un courant ID continu de ±35 A, homologué AEC-Q101.
ROHM Semiconductor MOSFET de puissance de canal N RH7P04BBKFRA 100 V
08.19.2025
08.19.2025
MOSFET de puissance de qualité automobile avec une tension VDSS de 100 V et un courant ID de ±40 A, conforme à la norme AEC-Q101.
ROHM Semiconductor MOSFET à signal faible et canal P RQ5G040AT -40 V
08.19.2025
08.19.2025
Un MOSFET spécifié pour une tension drain-source de -40 V (VDSS) et un courant de drain continu (ID) de ±4,0 A.
ROHM Semiconductor Diodes Zener JMZV8.2B de 5 mA
08.19.2025
08.19.2025
Les dispositifs sont livrés dans un boîtier PMDE (petit moule d’alimentation) adapté aux applications de régulation de tension.
ROHM Semiconductor MOSFET de puissance à canal N RH7L04 60 V
08.19.2025
08.19.2025
MOSFET de qualité automobile homologués AEC-Q101, classés pour 60 V VDSS et ±40 A ID.
ROHM Semiconductor MOSFET de puissance de canal P -30 V RH7E04BBJFRA
08.19.2025
08.19.2025
MOSFET de qualité automobile avec une tension drain-source (VDSS) de -30 V et un courant drain (ID) de ±40 A, conforme à la norme AEC-Q101.
ROHM Semiconductor MOSFET de puissance de canal N 40 V RQ3G120BKFRA
08.19.2025
08.19.2025
MOSFET de qualité automobile avec une tension de source de 40 V (VDSS) et un courant de drain continu (ID) de ±12 A, certifié AEC-Q101.
ROHM Semiconductor MOSFET de puissance de canal N 40 V RH7G04
08.19.2025
08.19.2025
Ces dispositifs sont des MOSFET de qualité automobile certifiés AEC-Q101, avec une tension de crête VDSS de 40 V et un courant de décharge IDde ±40 A.
Consulter : 1 - 25 sur 220
Bourns Diodes TVS de qualité automobile CDSOD323-T24LC-Q
06.26.2026
06.26.2026
Diodes TVS bidirectionnelles de qualité automobile dans un boîtier SOD-323 compact.
onsemi Commutateurs analogiques SPDT haute vitesse NL5S4599/NL5ST4599
06.25.2026
06.25.2026
Pour obtenir des délais de propagation ultra-courts et une faible résistance à l'état passant tout en maintenant une faible dissipation de puissance.
onsemi Étage de puissance intelligent NCP303345
06.25.2026
06.25.2026
Intègre un pilote avec mesure de courant, un MOSFET côté haut et un MOSFET côté bas dans un seul composant.
NXP Semiconductors PF0300 Power Management Integrated Circuit (PMIC)
06.25.2026
06.25.2026
This device integrates multiple high-performance buck regulators and an LDO regulator.
NXP Semiconductors PF51x3 Multi-Channel PMICs
06.25.2026
06.25.2026
These devices are a great companion and fit for various system-level power requirements.
onsemi Kit d'évaluation NCV76124EVK
06.25.2026
06.25.2026
Ce kit d'évaluation prend en charge la puce d'interface pluie et lumière NCV76124.
Microchip Technology PIC16F13256/76 28/40-Pin Microcontrollers
06.25.2026
06.25.2026
Integrates low-power operation, configurable logic, and rugged security features.
onsemi Fusible électronique côté haut NCV84003G
06.25.2026
06.25.2026
Ce dispositif peut remplacer les fusibles mécaniques et fournir de l'énergie dans une architecture de distribution électrique intelligente.
Lattice Semiconductor Carte SoM (système sur module) CertusPro-NX
06.24.2026
06.24.2026
Plateforme de vision embarquée et d'IA sur FPGA, compatible avec les interfaces MIPI, PCIe et le Raspberry Pi CM5.
Infineon Technologies Conception de référence REF_MINI_CMFRT_SIP
06.24.2026
06.24.2026
Conception de référence compacte pour la commande de moteurs BLDC automobiles avec système à microcontrôleur en boîtier SiP MOTIX™ intégré.
Vishay Kits de résistance DTO / D2TO
06.24.2026
06.24.2026
Inclut une sélection de valeurs de résistance couvrant une plage représentative (de 0,01 Ω à 550 kΩ).
Infineon Technologies Conception de référence REF_WATERPUMP_SIP
06.24.2026
06.24.2026
Conception de référence de pompe à eau BLDC de 150 W avec solution MOTIX™ à microcontrôleur en boîtier SiP intégrée.
Toshiba Isolateurs numériques quadruples de canaux à faible puissance
06.23.2026
06.23.2026
Isolateurs numériques quadruples de faible puissance à emballage SSOP16 compact pour systèmes industriels.
Quectel LS550G (00) GNSS Modules
06.23.2026
06.23.2026
Supports concurrent reception of GPS, GLONASS, Galileo, BDS, and QZSS constellations.
Diodes Incorporated Diode TVS bidirectionnelle D3V3ZF1BD2CSP
06.22.2026
06.22.2026
Dispositif à faible capacité conçu spécifiquement pour protéger les lignes différentielles à haute vitesse.
e-peas EVK15820 Evaluation Kit
06.22.2026
06.22.2026
Integrates all necessary components to operate the AEM15820 IC in a 40‑pin QFN package.
Swissbit S-56 & S-56u Memory Cards
06.22.2026
06.22.2026
Offer 4 GBytes, 8 GBytes, 16 GBytes, 32 GBytes, 64 GBytes, and 128GBytes capacities.
Vishay MOSFET à canal N 750 V MaxSiC ® MXP075
06.19.2026
06.19.2026
Présente une tension drain-source de 750 V, une vitesse de commutation rapide et un temps de tenue aux courts-circuits de 3 μs.
STMicroelectronics Tableau de démonstration EVL4983-350W
06.19.2026
06.19.2026
Tableau de démonstration basé sur le contrôleur de facteur de puissance en mode de conduction continu L4983.
Analog Devices Inc. Solution d’analyseur d’impédance 1,5 MHz AD-IMP2501-SL
06.19.2026
06.19.2026
Un système de démonstration et d'évaluation technologique d'analyseur d'impédance composé de deux cartes.
Mikroe SMA RAK11720 Click
06.19.2026
06.19.2026
Dual wireless connectivity for long-range LoRaWAN and short-range BLE IoT designs.
Analog Devices Inc. Carte d'évaluation EV-ADuM7801-8FMCZ
06.19.2026
06.19.2026
Une plateforme complète pour évaluer le CAN ADuM7801 avec une sortie de flux binaire modulé Σ-Δ.
Analog Devices Inc. Carte d'évaluation EVAL-ADuM7811
06.19.2026
06.19.2026
Une plateforme complète pour évaluer le CAN ADuM7811 avec un flux binaire modulé sigma-delta.
Navitas Semiconductor 3300V & 2300V Silicon Carbide (SiC) MOSFETs
06.18.2026
06.18.2026
Based on latest GeneSiC™ trench-assisted planar (TAP) technology, offers flexible packaging formats.
Quectel FGA66X Wi-Fi 6, BLE 5.4 & IEEE 802.15.4 Modules
06.17.2026
06.17.2026
High-performance module in an LGA package and supports the IEEE 802.11ax standard protocol.
Consulter : 1 - 25 sur 8313
