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= ROHM Semiconductor
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ROHM Semiconductor MOSFET Super jonction (SJ) 600 V
07.21.2026
07.21.2026
Options de boîtier compact et à faible hauteur de profil qui offrent une excellente dissipation thermique.
ROHM Semiconductor Modules de puissance de haute densité au SiC
04.10.2026
04.10.2026
Les boîtiers TRCDRIVE pack™, DOT-247 et HSDIP20 contribuent à une conversion performante de puissance.
ROHM Semiconductor Ensemble TRCDRIVE™ BST400D12P4A1x1 à Modules moulés
03.17.2026
03.17.2026
Présente une tension nominale de 1 200 V en boîtier de 41,6 × 52,5 mm et intègre des MOSFET au SiC de 4e génération.
ROHM Semiconductor Amplificateur opérationnel TLR2728YFJ-C
12.11.2025
12.11.2025
Amplificateur opérationnel double CMOS à entrée/sortie rail à rail et à haute vitesse .
ROHM Semiconductor Amplificateur opérationnel LMRx802-LB
11.24.2025
11.24.2025
L’ampli op présente un faible niveau de bruit, une tension de décalage d’entrée faible et un faible courant de polarisation d’entrée.
ROHM Semiconductor MOSFET de puissance à canal P RH7G03BBJFRA
11.18.2025
11.18.2025
Ce MOSFET possède une tension VDSS nominale de -40 V et une tension ID nominale (VDS = -10 V) de ±22 A.
ROHM Semiconductor Diode à broche RN789FM
11.18.2025
11.18.2025
Petit boîtier moulé, adapté à un circuit de contrôle automatique du gain et à un amplificateur/atténuateur d’antenne.
ROHM Semiconductor Convertisseur A/N BD79124MUF-C
11.18.2025
11.18.2025
Convertisseur A/N à approximation successive polyvalent, 12 bits et 8 canaux.
ROHM Semiconductor MOSFET de puissance à canal P RJ1P10BAT
11.18.2025
11.18.2025
Ce MOSFET a une tension VDSSnominale de -100 V et une tension ID nominale (VDS = 10 V) de ±105 A.
ROHM Semiconductor Convertisseurs à circuits intégrés BM2P10xJ-ZCC/CC de type PWM
11.03.2025
11.03.2025
Ils comportent un MOSFET intégré de commutation de 730 V et fonctionnent directement sur secteur CA haute tension.
ROHM Semiconductor MOSFET SiC à canal N de 750 V
10.17.2025
10.17.2025
Les dispositifs augmentent la fréquence de commutation, réduisant ainsi les condensateurs, les réacteurs et les autres composants requis.
ROHM Semiconductor MOSFET de puissance automobile RD3x
10.16.2025
10.16.2025
MOSFET AEC-Q101 avec tension directe faible, temps de récupération rapide et capacité de surtension élevée.
ROHM Semiconductor CI convertisseurs CC/CC de type MLI BM2P06xJ-Z
09.26.2025
09.26.2025
Conçu pour les applications d'alimentation CA-CC isolée compactes et efficaces.
ROHM Semiconductor Carte d'évaluation BM3G107MUV-EVK-003
08.27.2025
08.27.2025
Conçue pour évaluer et démontrer les capacités du CI à étage de puissance HEMT au GaN BM3G107MUV.
ROHM Semiconductor Carte d'évaluation BM3G115MUV-EVK-003
08.27.2025
08.27.2025
Conçue pour évaluer et démontrer les capacités du CI à étage de puissance HEMT BM3G115MUV.
ROHM Semiconductor MOSFET à canal P RQxAT
08.21.2025
08.21.2025
Comprennent un boîtier monté en surface avec une faible résistance à l'état passant et sont testés à 100 % Rg et UIS.
ROHM Semiconductor Diodes PIN de qualité automobile RNxMFH
08.21.2025
08.21.2025
Diodes de qualité automobile avec un boîtier surmoulé ultra-compact adapté à la commutation à haute fréquence.
ROHM Semiconductor MOSFET de puissance SiC canal N 1 700 V SCT2H12NWB
08.21.2025
08.21.2025
MOSFET SiC avec une tension de source de drain (VDSS) de 1 700 V et un courant de drain continu (ID) de 3,9 A.
ROHM Semiconductor Diode à récupération ultra-rapide RF202LB2S
08.21.2025
08.21.2025
Une diode à récupération ultra-rapide de type planaire épitaxiale en silicium, caractérisée par un faible VF et de faibles pertes de commutation.
ROHM Semiconductor MOSFET de puissance RJ1x10BBG
08.21.2025
08.21.2025
MOSFET de puissance à canal N avec faible résistance à l'état passant et boîtier haute puissance.
ROHM Semiconductor Diode PIN RN242SM
08.20.2025
08.20.2025
Présente une faible capacité et un boîtier moulé ultra-compact, adapté à la commutation haute fréquence.
ROHM Semiconductor MOSFET de puissance de canal N 40 V RH7G04
08.19.2025
08.19.2025
Ces dispositifs sont des MOSFET de qualité automobile certifiés AEC-Q101, avec une tension de crête VDSS de 40 V et un courant de décharge IDde ±40 A.
ROHM Semiconductor Diodes Zener JMZV8.2B de 5 mA
08.19.2025
08.19.2025
Les dispositifs sont livrés dans un boîtier PMDE (petit moule d’alimentation) adapté aux applications de régulation de tension.
ROHM Semiconductor MOSFET de puissance 60 V à canal N RH7L03
08.19.2025
08.19.2025
MOSFET de qualité automobile avec une tension VDSS de 60 V et un courant ID continu de ±35 A, homologué AEC-Q101.
ROHM Semiconductor MOSFET de puissance à canal P -60 V RH7L04CBJFRA
08.19.2025
08.19.2025
Un MOSFET de qualité automobile avec une VDSS de -60 V et une ID de ±36 A, homologué AEC-Q101.
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Abracon ABFBxx Clock Buffers
08.12.2026
08.12.2026
Ultra-low-jitter fanout buffers for PCIe, clock trees, and communications systems.
Murata Kit d'évaluation LBMA0ZZ2NR-EVK
08.12.2026
08.12.2026
Un kit d'évaluation et de développement d'applications pour le module de type 2NR (LBMA0ZZ2NR-001).
iDEAL Semiconductor iS20M028S1PQ Automotive SuperQ® Power MOSFET
08.12.2026
08.12.2026
Automotive 200V N-channel MOSFET with SuperQ technology and TO-220 packaging.
Nexperia Redresseurs de récupération DPAK 400 à 650 V
08.12.2026
08.12.2026
Redresseurs de récupération DPAK hyperrapides et ultra-rapides, pour la conversion d'énergie électrique sous haute tension.
MediaTek Plateformes IoT Gen-AI Genio 420, 520 et 720
08.11.2026
08.11.2026
Font partie d'une famille de solutions de pointe pour les applications IoT avancées.
u-blox EVK-X20D GNSS Evaluation Kit
08.11.2026
08.11.2026
Designed to test the features and capabilities of the ZED-X20D dual-antenna GNSS heading module.
STMicroelectronics Transistor PowerGaN SGT1D5R10MEA
08.11.2026
08.11.2026
Il permet des pertes de conduction extrêmement faibles, une capacité de courant élevé et une exploitation de commutation ultra-rapide.
Sensirion Kit d'évaluation SEK-SEN69C
08.10.2026
08.10.2026
Kit d'évaluation pour détection de la qualité de l'air intérieur tout-en-un SEN69C.
STMicroelectronics Régulateur de tension LDO haute précision 400 mA LDQ44
08.10.2026
08.10.2026
Les fonctionnalités incluses rendent le LDQ44 adapté aux applications à faible puissance et fonctionnant sur batterie.
Nisshinbo NC2650 1A Step-Down Switching Regulator
08.10.2026
08.10.2026
Step-down switching regulator using CMOS-based with PWM/PFM automatic alternating function.
STMicroelectronics Transistor PowerGaN SGT3D5R10MEB
08.10.2026
08.10.2026
Conçu pour des applications de commutation à haute efficacité et à courant élevé.
Analog Devices Inc. Émetteur-récepteur FD CAN haut débit ADM33051E
08.10.2026
08.10.2026
Émetteur-récepteur CAN robuste haut débit et faible puissance fonctionnant avec une alimentation de 3,3 V.
Alliance Memory AS4C512M16D4D/1G8D4D 8Gb DDR4 SDRAMs
08.10.2026
08.10.2026
High-speed dynamic random-access memory is internally organized with eight banks or sixteen banks.
STMicroelectronics MOSFET de puissance à canal N STH4N150-2AG
08.10.2026
08.10.2026
Conçu pour garantir un niveau élevé de tension et de robustesse pour les applications automobiles.
Diodes Incorporated DML1012ALDSQ Single-Channel Smart Load Switch
08.10.2026
08.10.2026
The device includes an N-channel MOSFET for up to VBIAS = 1.5V input-voltage operation.
Infineon Technologies Carte d'évaluation EVAL_GD_BDS_GAN
08.06.2026
08.06.2026
Carte d'évaluation de commande de grille pour les conceptions de commutateurs bidirectionnels CoolGaN™.
Infineon Technologies Microcontrôleurs PSOC™ Control C1
08.06.2026
08.06.2026
Microcontrôleurs (MCU) de contrôle 32 bits avec UCT / CPU Arm® Cortex®-M0 et coprocesseur MATH.
Infineon Technologies Cartes d’évaluation CoolGaN™ BDS
08.06.2026
08.06.2026
Cartes filles compactes pour l'évaluation des commutateurs bidirectionnels GaN 40 V.
NXP Semiconductors FRDM Automotive Development Platforms
08.05.2026
08.05.2026
Brings automotive-grade hardware and software to deliver secure, safe, and accelerated development.
Analog Devices Inc. Carte d'évaluation MAX22215
08.04.2026
08.04.2026
Conçue pour évaluer le pilote MAX22215 en combinaison avec le système de carte d'évaluation TRINAMIC.
Texas Instruments Modules d'évaluation TPS7H3xx4EVM-CVAL
08.04.2026
08.04.2026
Modules d’évaluation de superviseurs tolérants aux rayonnements avec surveillance flexible des rails d'alimentation.
Würth Elektronik Optocoupleurs à haute vitesse WL-OCHS
08.04.2026
08.04.2026
Conçus pour élargir la gamme de produits avec des solutions d'isolation galvanique fiables.
NXP Semiconductors Carte de développement FRDM i.MX 95 Pro
08.04.2026
08.04.2026
Évalue le processeur d'applications i.MX 95 dans un boîtier compact de 19 mm x 19 mm.
Texas Instruments Module d'évaluation ISO7741U
08.04.2026
08.04.2026
Module d'évaluation quatre canaux à isolation galvanique en boîtier SSOP ultra-large (DUW-16).
Texas Instruments Diodes de protection DES ESD2CANFD24W-Q1
08.04.2026
08.04.2026
Diodes de protection DES automobiles pour les réseaux CAN, CAN FD, CAN SIC et CAN XL.
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