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Types de Transistors

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ROHM Semiconductor MOSFET SiC à canal N de 750 V

10.17.2025

- Les dispositifs augmentent la fréquence de commutation, réduisant ainsi les condensateurs, les réacteurs et les autres composants requis.

ROHM Semiconductor MOSFET de puissance automobile RD3x

10.16.2025

- MOSFET AEC-Q101 avec tension directe faible, temps de récupération rapide et capacité de surtension élevée.

ROHM Semiconductor MOSFET de puissance RJ1x10BBG

08.21.2025

- MOSFET de puissance à canal N avec faible résistance à l'état passant et boîtier haute puissance.

ROHM Semiconductor MOSFET à canal P RQxAT

08.21.2025

- Comprennent un boîtier monté en surface avec une faible résistance à l'état passant et sont testés à 100 % Rg et UIS.

ROHM Semiconductor MOSFET de puissance SiC canal N 1 700 V SCT2H12NWB

08.21.2025

- MOSFET SiC avec une tension de source de drain (VDSS) de 1 700 V et un courant de drain continu (ID) de 3,9 A.

ROHM Semiconductor MOSFET de puissance de canal P -30 V RH7E04BBJFRA

08.19.2025

- MOSFET de qualité automobile avec une tension drain-source (VDSS) de -30 V et un courant drain (ID) de ±40 A, conforme à la norme AEC-Q101.

ROHM Semiconductor MOSFET de puissance de canal N 40 V RQ3G120BKFRA

08.19.2025

- MOSFET de qualité automobile avec une tension de source de 40 V (VDSS) et un courant de drain continu (ID) de ±12 A, certifié AEC-Q101.

ROHM Semiconductor MOSFET de puissance de canal N 40 V RH7G04

08.19.2025

- Ces dispositifs sont des MOSFET de qualité automobile certifiés AEC-Q101, avec une tension de crête VDSS de 40 V et un courant de décharge IDde ±40 A.

ROHM Semiconductor MOSFET à signal faible et canal P RQ5G040AT -40 V

08.19.2025

- Un MOSFET spécifié pour une tension drain-source de -40 V (VDSS) et un courant de drain continu (ID) de ±4,0 A.

ROHM Semiconductor MOSFET de puissance à canal N RH7L04 60 V

08.19.2025

- MOSFET de qualité automobile homologués AEC-Q101, classés pour 60 V VDSS et ±40 A ID.

ROHM Semiconductor MOSFET de puissance de canal N RH7P04BBKFRA 100 V

08.19.2025

- MOSFET de puissance de qualité automobile avec une tension VDSS de 100 V et un courant ID de ±40 A, conforme à la norme AEC-Q101.

ROHM Semiconductor MOSFET de puissance 60 V à canal N RH7L03

08.19.2025

- MOSFET de qualité automobile avec une tension VDSS de 60 V et un courant ID continu de ±35 A, homologué AEC-Q101.

ROHM Semiconductor MOSFET de puissance à canal P -60 V RH7L04CBJFRA

08.19.2025

- Un MOSFET de qualité automobile avec une VDSS de -60 V et une ID de ±36 A, homologué AEC-Q101.

ROHM Semiconductor MOSFET de puissance à canal P, -40 V -40 A, AG508EGD3

08.06.2025

- Ce MOSFET est un MOSFET de puissance de qualité automobile qui est homologué AEC-Q101.

ROHM Semiconductor Transistor de puissance PNP 1,5 A, 160 V 2SAR579D3

08.06.2025

- Un transistor de puissance avec une faible VCE(sat) et qui convient comme amplificateur basse fréquence.

ROHM Semiconductor 2SCR579D3 Transistor de puissance NPN 1,5 A 160 V

08.06.2025

- Un transistor de puissance avec un faible VCE(sat) et convient comme amplificateur basse fréquence.

ROHM Semiconductor MOSFET de puissance RQ3P270BLFRA

08.04.2025

- MOSFET de qualité automobile conforme à la norme AEC-Q101 et proposé dans un boîtier HSMT8AG.

ROHM Semiconductor MOSFET de puissance RxP120BLFRA

07.22.2025

- MOSFET homologués AEC-Q101 de qualité automobile, idéaux pour les applications automobiles.

ROHM Semiconductor MOSFET de puissance RxL120BLFRA

07.22.2025

- MOSFET de qualité automobile, homologué AEC-Q101 pour le système d'aide à la conduite (ADAS), l'infodivertissement, l'éclairage et la carrosserie.

ROHM Semiconductor MOSFET de puissance SiC à canal N SCT40xKWA

07.14.2025

- Offre 1 200 V VDS, une faible résistance à l'état passant, une vitesse élevée de commutation et un temps de récupération rapide.

ROHM Semiconductor Canal double à petit signal MOSFET

06.30.2025

- Présentent une faible résistance à l’allumage et une commutation rapide, et sont idéaux pour entraînements à moteur.

ROHM Semiconductor MOSFET de puissance automobile 40 A et 80 A

06.16.2025

- Se caractérise par une faible résistance et est idéal pour les applications de système d'aide à la conduite (ADAS), automobile et d'éclairage.

ROHM Semiconductor MOSFET à signal faible et canal P RV7E035AT

06.04.2025

- MOSFET compact et haute performance conçu pour des applications de commutation basse tension.

ROHM Semiconductor MOSFET de puissance à canal PRH7G04CBKFRA

03.13.2025

- Homologué AEC-Q101 pour les applications automobiles, y compris l'infodivertissement, l'éclairage, le système d'aide à la conduite (ADAS) et la carrosserie.

ROHM Semiconductor MOSFET de puissance à canal P RH7G04CBJFRA

03.13.2025

- Homologué AEC-Q101 pour les applications automobiles, notamment l'infodivertissement, l'éclairage, le système d'aide à la conduite (ADAS) et la carrosserie.

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TDK-Lambda i1R ORing MOSFET Modules

02.05.2026

- High-efficiency and low-loss power devices designed to replace traditional diodes.

IXYS X4-Class Power MOSFETs

02.02.2026

- Offer low on-state resistance and conduction losses, with improved efficiency.

Qorvo Transistors au GaN avec adaptation d’entrée QPD1014A

01.20.2026

- Transistors discrets HEMT GaN sur SiC avec adaptation d’entrée 50 Ω, 15 W (P 3dB), et fonctionnant de 30 MHz à 1,2 GHz.

Qorvo Transistors au GaN avec adaptation d'entrée QPD1004A

01.19.2026

- Le transistor discret au nitrure de gallium sur carbure de silicium à haute mobilité d'éléctrons (HEMT GaN sur SiC), 25 W, avec adaptation d'entrée 50 Ω, fonctionne de 30 MHz à 1 400 MHz sur un rail d’alimentation de 50 V.

Qorvo Transistors GaN avec adaptation d'entrée QPD1011A

01.19.2026

- Transistor HEMT discret technologie GaN-sur-SiC avec adaptation d’entrée 50 Ω, 7 W (P3 dB), fonctionnant de 30 MHz à 1,2 GHz.

onsemi MOSFET de puissance à canal N 80 V NVBYST0D6N08X

12.26.2025

- Ce dispositif offre un faible QRR et une diode de corps à récupération progressive dans un boîtier TCPAK1012 (TopCool).

Infineon Technologies MOSFET de puissance OptiMOS™ 6 80 V

12.23.2025

- Définit les performances de référence du secteur grâce à une large offre de portefeuille.

onsemi MOSFET N voies double NVMFD5877NL

12.19.2025

- Conçu pour des conceptions compactes et efficaces, incluant des performances thermiques élevées.

Infineon Technologies MOSFET CoolSiC™ automobile 750 V G2

12.19.2025

- Conçus pour répondre aux exigences strictes des applications dédiées aux véhicules électriques (VE).

onsemi MOSFET NxT2023N065M3S EliteSiC

12.04.2025

- Présentent une faible capacité de sortie effective et une charge de grille ultra-faible.

STMicroelectronics Transistor PowerGaN e-mode SGT080R70ILB

12.04.2025

- Le transistor E-Mode PowerGaN conçu pour des applications de conversion d’énergie à haute efficacité.

Infineon Technologies Transistors discrets 750 V TRENCHSTOP™ IGBT7 H7

12.01.2025

- Le boîtier DTO247 remplace plusieurs transistors à faible courant dans des boîtiers TO247 connectés en parallèle.

onsemi MOSFET à canal P basse/moyenne tension NTTFS007P02P8

11.25.2025

- Conçu avec la technologie PowerTrench pour des performances de commutation avec une RDS(on) extrêmement faible et une grande robustesse.

onsemi MOSFET à petit signal FDC642P-F085

11.25.2025

- Doté d’une technologie à tranchées haute performance pour une RDS(on) extrêmement faible et d’une vitesse de commutation rapide.

iDEAL Semiconductor iS20M028S1C SuperQ™ 200V N-Ch Power MOSFETs

11.24.2025

- Designed for SMPS and high-efficiency motor drives in a robust PDFN package measuring 5mm x 6mm.

Central Semiconductor MOSFET à canal N en carbure de silicium (SiC) de 1 700 V

11.20.2025

- These MOSFETS are designed for high-speed switching and fast reverse recovery applications.

onsemi MOSFET de puissance monocanal N NVD5867NL

11.20.2025

- Il présente une tension drain-source de 60 V et une résistance drain-source de 39 mΩ et est homologué AEC-Q101.

onsemi MOSFET à canal N unique NVD6824NL

11.20.2025

- Affichent une RDS(on) faible pour minimiser les pertes de conduction et supportent des courants élevés.

onsemi IGBT AFGB30T65RQDN

11.19.2025

- Offre un coefficient de mérite élevé avec de faibles pertes de conduction et de commutation.

onsemi MOSFET de puissance monocanal N NVMFS5830NL

11.19.2025

- MOSFET de puissance à canal N unique haute efficacité conçu pour des applications exigeantes de gestion de l'alimentation.

onsemi MOSFET de puissance monocanal N NVMFS5832NL

11.19.2025

- MOSFET à hautes performances conçu pour les applications à basse tension nécessitant une commutation d’énergie efficace.

STMicroelectronics Transistor PowerGaN e-mode SGT070R70HTO

11.07.2025

- Construit sur la technologie GaN et conçu pour des applications exigeantes de conversion d'énergie.

Diodes Incorporated MOSFET E-Mode à double canal N DMTH64M2LPDW

10.31.2025

- Intègre deux MOSFET dans un boîtier unique PowerDI ® de 5 mm x 6 mm avec d'excellentes performances thermiques.

Diodes Incorporated Transistors à effet de champ 2N7002 de type N en mode E

10.31.2025

- Offre des performances de commutation rapides avec une faible charge de grille et une tension drain-source maximale de 60 V.

Comchip Technology AMMBT2222AM NPN Automotive Small Signal Transistor

10.31.2025

- The device has a 75V collector-base voltage rating and a 600mA collector current-continuous rating.

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