Les plus récent(e)s Transistors bipolaires - BJT

.hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

.catnav-wrapper { height: auto; overflow: visible; } .catalog-nav-tabs ul { white-space: normal; }

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onsemi Transistors NPN à usage général NST817

03.03.2025

- Un fiable solution pour circuit conceptions nécessitant transistor exploitation efficace et effectif.

onsemi Transistors PNP à usage général NST807

03.03.2025

- Transistors à haute performance et fiables avec une faible tension de saturation et des vitesses de commutation rapides

onsemi Transistor bipolaire NSVT5551M

01.04.2025

- Amplificateur NPN à usage général à faible VCE(sat), conforme à la norme AEC-Q101.

onsemi Transistors à usage général et faible VCE(sat) NSS100xCL

12.20.2024

- High-performance bipolar junction transistors designed for automotive and demanding applications.

onsemi Transistors bipolaires MJD31C

11.16.2024

- Conçus pour des amplificateurs à usage général et des applications de commutation à basse vitesse.

onsemi Transistors PNP NST856MTWFT

10.22.2024

- Dispositifs 65V, 100 mA conçus pour les applications d'amplificateur à usage général.

onsemi Transistor de moyenne puissance PNP BCP53M

10.18.2024

- Conçu pour les applications d’amplificateur à usage général et logé dans le boîtier DFN2020-3.

onsemi Transistor moyenne puissance NPN BCP56M

10.18.2024

- Conçu pour les applications d’amplificateur à usage général et logé dans le boîtier DFN2020-3.

onsemi Transistors bipolaires BC846BPDW1

10.17.2024

- Conçu pour les applications à montage en surface à faible puissance logées dans le boîtier SOT-363/SC-88.

onsemi Transistors bipolaires NSS40300CT

10.07.2024

- Disposent d’une faible tension de saturation VCE(sat) et d’une capacité de gain de courant élevée.

onsemi Transistor NPN NST846MTWFT

10.07.2024

- Fonctionne aux normes 65 V, 100 mA et est conçu pour les applications d’amplificateur à usage général.

onsemi Transistor de puissance bipolaire NSV1C300CT

10.04.2024

- Se caractérise par sa faible tension de saturation VCE(sat) et sa capacité de gain de courant élevée.

onsemi Transistors à faible VCE(sat) e2PowerEdge

07.01.2024

- Ces CMS présentent une tension ultra-basse de saturation (VCE(sat)) et une haute capacité de gain de courant.

onsemi Transistor MSD1819A-R à usage général et faible VCE

01.30.2024

- Conçu pour les applications d’amplificateur à usage général et dispose d’une VCE < 0,5 V.

onsemi Transistor de puissance bipolaire NSV40301MZ4

12.29.2023

- Transistor NPN combinant faible tension de saturation et faible VCE (sat) à gain élevé.

onsemi Transistors à usage général et faible VCE(sat) MJK31CT

02.10.2023

- Idéaux pour les applications de puissance et de commutation dans divers secteurs.

onsemi Transistors à usage général MJK44H11T

02.10.2023

- Conçu pour répondre aux exigences d’une large gamme d’applications d’alimentation et de commutation.

onsemi Transistors bipolaires NPN NST160xCL 160 V 1,5 A

04.09.2022

- Transistor bipolaire à jonction caractérisé par un courant élevé, une faible tension de saturation et une commutation ultra-rapide.

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Comchip Technology AMMBT2222AM NPN Automotive Small Signal Transistor

10.31.2025

- The device has a 75V collector-base voltage rating and a 600mA collector current-continuous rating.

Comchip Technology AMMBT2907AM PNP Automotive Small Signal Transistor

10.31.2025

- The device has a -60V collector-base voltage rating & a -600mA collector current-continuous rating.

Diodes Incorporated Transistors bipolaires PNP DXTP80x

09.18.2025

- Les transistors bipolaires PNP offrent un petit facteur de forme dans un boîtier PowerDI 3333-8 thermiquement efficace.

Diodes Incorporated Transistors bipolaires NPN DXTN80x

09.17.2025

- Offrent un boîtier PowerDI 3333-8 de petit facteur de forme, thermiquement efficace, pour des produits à plus haute densité.

Nexperia Carte Transistors à jonction bipolaire MJPEx (BJT))

08.26.2025

- Le boîtier CFP15B offre une alternative compacte et économique à la série MJD dans le boîtier DPAK.

ROHM Semiconductor Transistor de puissance PNP 1,5 A, 160 V 2SAR579D3

08.06.2025

- Un transistor de puissance avec une faible VCE(sat) et qui convient comme amplificateur basse fréquence.

ROHM Semiconductor 2SCR579D3 Transistor de puissance NPN 1,5 A 160 V

08.06.2025

- Un transistor de puissance avec un faible VCE(sat) et convient comme amplificateur basse fréquence.

Taiwan Semiconductor BC807-25H & BC807-40H PNP Transistors

07.10.2025

- 300mW, AEC-Q101 qualified small signal transistors, ideal for general switching and amplification.

Taiwan Semiconductor BC846BH & BC847B/CH NPN Transistors

07.10.2025

- 200mW, AEC-Q101 qualified small signal transistors, ideal for general switching and amplification.

Taiwan Semiconductor BC846BWH & BC847B/CWH NPN Transistors

07.10.2025

- 200mW, AEC-Q101 qualified small signal transistors, ideal for general switching and amplification.

Taiwan Semiconductor BC85xBWH & BC857WH PNP Transistors

07.10.2025

- 200mW, AEC-Q101 qualified small signal transistors, ideal for general switching and amplification.

Diotec Semiconductor BC846B-Q SMD General-Purpose NPN Transistor

05.15.2025

- Features three current gain groups in a SOT-23 package and complies with RoHS and REACH.

Diotec Semiconductor Automotive Advanced Trench Technology MOSFETs

03.05.2025

- Enhances performance by providing fast switching times and low total gate charge.

onsemi Transistors NPN à usage général NST817

03.03.2025

- Un fiable solution pour circuit conceptions nécessitant transistor exploitation efficace et effectif.

onsemi Transistors PNP à usage général NST807

03.03.2025

- Transistors à haute performance et fiables avec une faible tension de saturation et des vitesses de commutation rapides

Diotec Semiconductor BC817K General-Purpose NPN Transistor

01.31.2025

- AEC-Q101-qualified device with three current-gain selections, ideal for signal processing use.

Diotec Semiconductor BC846PN General-Purpose NPN + PNP Transistor

01.13.2025

- Features two complementary transistors in 1 package, ideal for signal processing and amplification.

Diotec Semiconductor BCX56 SMD General-Purpose NPN Transistor

01.13.2025

- Offers high collector current, low saturation voltage, and two current gain groups.

onsemi Transistor bipolaire NSVT5551M

01.04.2025

- Amplificateur NPN à usage général à faible VCE(sat), conforme à la norme AEC-Q101.

Nexperia Transistors PNP de puissance moyenne 1 A BC5xPAS-Q

12.30.2024

- Transistors PNP qualifiés AEC-Q101 dans un boîtier plastique CMS DFN2020D-3 (SOT1061D) ultra-mince.

onsemi Transistors à usage général et faible VCE(sat) NSS100xCL

12.20.2024

- High-performance bipolar junction transistors designed for automotive and demanding applications.

Nexperia Transistors de puissance BC869-Q

12.11.2024

- Transistors de puissance moyenne PNP dans un boîtier SOT89 (SC-62) de puissance moyenne et plastique à broches plates.

onsemi Transistors bipolaires MJD31C

11.16.2024

- Conçus pour des amplificateurs à usage général et des applications de commutation à basse vitesse.

Diodes Incorporated Transistors NPN VCE(SAT) ultra-faible de 60 V DXTN69060C

11.14.2024

- Dispose d'une structure exclusive pour obtenir une performance VCE (SAT) ultra-faible.

onsemi Transistors PNP NST856MTWFT

10.22.2024

- Dispositifs 65V, 100 mA conçus pour les applications d'amplificateur à usage général.

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