Types de Semiconducteurs discrets
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= Taiwan Semiconductor
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Taiwan Semiconductor SMF4LxCA/AH Transient Voltage Suppressor Diodes
04.02.2026
04.02.2026
High-efficiency, low-power, 400W, 5V to 75V surface-mount devices ideal for automated placement.
Taiwan Semiconductor SMA6FxCAH/SMA6SxCAH TVS Diodes
04.02.2026
04.02.2026
AEC-Q101 qualified 600W, 12V to 60V surface-mount devices operating at 0.094%/°C maximum VBR.
Taiwan Semiconductor TESDA1L2B17P1Q1 ESD Protection Diode
02.19.2026
02.19.2026
Safeguards power interfaces, control lines, or low‑speed data lines within electronic systems.
Taiwan Semiconductor Schottky Barrier Rectifiers
08.11.2025
08.11.2025
These devices have a low power loss and are highly efficient.
Taiwan Semiconductor PLDS20J & PLDS20JH Rectifiers
08.05.2025
08.05.2025
20A, 600V rectifiers with low VF drop and high surge current capability, in a D2PAK-D package.
Taiwan Semiconductor PLAD10J & PLAD10JH Rectifiers
08.05.2025
08.05.2025
10A, 600V standard rectifiers with low power loss and high efficiency, in a ThinDPAK package.
Taiwan Semiconductor PLDS30J & PLDS30JH Rectifiers
08.05.2025
08.05.2025
30A, 600V rectifiers with low VF drop and high surge current capability, in a D2PAK-D package.
Taiwan Semiconductor TESDA6V0U40P1Q0 ESD Protection Diode
07.22.2025
07.22.2025
AEC-Q101 qualified, unidirectional ESD protection diode to protect sensitive electronic components.
Taiwan Semiconductor BC85xBWH & BC857WH PNP Transistors
07.10.2025
07.10.2025
200mW, AEC-Q101 qualified small signal transistors, ideal for general switching and amplification.
Taiwan Semiconductor HS1Y 1A/1600V High Efficiency SMD Rectifiers
07.10.2025
07.10.2025
High-efficiency rectifiers designed for general-purpose and power supply applications.
Taiwan Semiconductor BC846BWH & BC847B/CWH NPN Transistors
07.10.2025
07.10.2025
200mW, AEC-Q101 qualified small signal transistors, ideal for general switching and amplification.
Taiwan Semiconductor BC807-25H & BC807-40H PNP Transistors
07.10.2025
07.10.2025
300mW, AEC-Q101 qualified small signal transistors, ideal for general switching and amplification.
Taiwan Semiconductor BC846BH & BC847B/CH NPN Transistors
07.10.2025
07.10.2025
200mW, AEC-Q101 qualified small signal transistors, ideal for general switching and amplification.
Taiwan Semiconductor BZX58 Surface Mount Zener Diodes
06.03.2025
06.03.2025
AEC-Q101 qualified diodes that are ideally suited for automated assembly processes.
Taiwan Semiconductor BZX84 Surface Mount Zener Diodes
06.03.2025
06.03.2025
AEC-Q101 qualified diodes that are ideally suited for automated assembly processes.
Taiwan Semiconductor BZT52 Surface Mount Zener Diodes
06.03.2025
06.03.2025
AEC-Q101 qualified diodes that are ideally suited for automated assembly processes.
Taiwan Semiconductor MMSZ52 Surface Mount Zener Diodes
06.03.2025
06.03.2025
AEC-Q101 qualified diodes that are ideally suited for automated assembly processes.
Taiwan Semiconductor SD103 Schottky Barrier Diodes
03.20.2025
03.20.2025
Feature low forward voltage, 150mA forward current, and low power loss.
Taiwan Semiconductor BAW Switching Diodes
03.20.2025
03.20.2025
Ideal for Switching Mode Power Supplies (SMPS) and high-speed switching applications.
Taiwan Semiconductor BAT Schottky Barrier Diodes
03.20.2025
03.20.2025
Offer low forward voltage and are ideal for reverse polarity protection applications.
Taiwan Semiconductor 1N4148 Switching Diodes
03.20.2025
03.20.2025
Feature fast switching speed, high surge current capability, and high efficiency.
Taiwan Semiconductor BAS Switching Diodes
03.20.2025
03.20.2025
Ideal for Switching Mode Power Supplies (SMPS), adapters, and high-speed switching applications.
Taiwan Semiconductor BAV Switching Diodes
03.20.2025
03.20.2025
Feature fast switching speed, low leakage current, and low power loss.
Taiwan Semiconductor Diodes à dispositif d'antiparasitage de tension transitoire (TVS) TLDxxAH
03.17.2025
03.17.2025
Diodes TVS unidirectionnelles à montage en surface de 26 V à 82 V, qualifiées AEC-Q101.
Taiwan Semiconductor PHAD High Efficient Surface Mount Rectifiers
01.30.2025
01.30.2025
Feature low power loss and high efficiency and are designed for automated placement.
Consulter : 1 - 25 sur 51
Diotec Semiconductor SKL12-AQ SMD Schottky Barrier Rectifier Diode
08.14.2026
08.14.2026
Features a low forward voltage drop in a low-profile package.
Diotec Semiconductor ESD3B36WS-AQ ESD Protection Diode
08.14.2026
08.14.2026
Features high peak-pulse power and bidirectional clamping.
Diotec Semiconductor P6KE47CA-AQ Transient Voltage Suppressor Diode
08.14.2026
08.14.2026
Provide reliable protection against transient voltage spikes, ESD, and other overvoltage events.
iDEAL Semiconductor iS20M028S1PQ Automotive SuperQ® Power MOSFET
08.12.2026
08.12.2026
Automotive 200V N-channel MOSFET with SuperQ technology and TO-220 packaging.
Nexperia Redresseurs de récupération DPAK 400 à 650 V
08.12.2026
08.12.2026
Redresseurs de récupération DPAK hyperrapides et ultra-rapides, pour la conversion d'énergie électrique sous haute tension.
STMicroelectronics Transistor PowerGaN SGT1D5R10MEA
08.11.2026
08.11.2026
Il permet des pertes de conduction extrêmement faibles, une capacité de courant élevé et une exploitation de commutation ultra-rapide.
STMicroelectronics MOSFET de puissance à canal N STH4N150-2AG
08.10.2026
08.10.2026
Conçu pour garantir un niveau élevé de tension et de robustesse pour les applications automobiles.
STMicroelectronics Transistor PowerGaN SGT3D5R10MEB
08.10.2026
08.10.2026
Conçu pour des applications de commutation à haute efficacité et à courant élevé.
Texas Instruments Diodes de protection DES ESD2CANFD24W-Q1
08.04.2026
08.04.2026
Diodes de protection DES automobiles pour les réseaux CAN, CAN FD, CAN SIC et CAN XL.
onsemi Transistors numériques EMD4DXV6 (BRT)
07.30.2026
07.30.2026
Conçus pour remplacer un seul dispositif et son réseau externe de polarisation de résistance.
onsemi MOSFET à canal N NVNJWS1K6N061L
07.30.2026
07.30.2026
Présente une faible RDS(on) et une faible tension de seuil de grille avec une protection DES intégrée.
ROHM Semiconductor MOSFET Super jonction (SJ) 600 V
07.21.2026
07.21.2026
Options de boîtier compact et à faible hauteur de profil qui offrent une excellente dissipation thermique.
IXYS Redresseur DK010S3ARP 1 000 V 10 A
07.20.2026
07.20.2026
Il est doté de jonctions passivées au verre pour une stabilité améliorée et est assemblé dans un boîtier DO-214AB.
IXYS Diode redresseuse polyvalente DK610S3RP 1 600 V
07.20.2026
07.20.2026
Économiseuse d'espace, idéale pour l'assemblage automatisé et bien adaptée aux applications de contrôle de phase CC.
onsemi FET GaN GaNEXUS™
07.08.2026
07.08.2026
Matériau à large bande interdite assurant une faible charge de grille et de sortie, une commutation rapide et un rendement amélioré.
Bourns Diodes TVS montées en surface CDDFN2
07.07.2026
07.07.2026
Protections DES, EFT et contre les surtensions pour les ports externes des dispositifs électronique, limitant les dommages critiques.
Semtech Diode TVS RCLAMP2891PQ
06.30.2026
06.30.2026
La diode TVS 1 ligne à ultra-faible capacité, 28 V, protège les lignes de signal haute vitesse contre les décharges électrostatiques (DES) et les décharges électriques excessives (EOS).
Diotec Semiconductor SI02C120SMA Silicon Carbide (SiC) Schottky Diode
06.29.2026
06.29.2026
Offers a repetitive reverse voltage rating of 1200V and a forward current capability of 2A.
Littelfuse Réseaux de diodes TVS SPA
06.26.2026
06.26.2026
Réseaux de diodes TVS pour ESD, EFT et protection contre les surtensions sur les interfaces de données et d’alimentation.
Bourns Diodes TVS de qualité automobile CDSOD323-T24LC-Q
06.26.2026
06.26.2026
Diodes TVS bidirectionnelles de qualité automobile dans un boîtier SOD-323 compact.
Bourns Diodes TVS CDSOD323-TxxSC-Q
06.25.2026
06.25.2026
Proposent une sélection d'options de tensions de 3 V à 36 V dans une configuration bidirectionnelle.
Diodes Incorporated Diode TVS bidirectionnelle D3V3ZF1BD2CSP
06.22.2026
06.22.2026
Dispositif à faible capacité conçu spécifiquement pour protéger les lignes différentielles à haute vitesse.
Vishay MOSFET à canal N 750 V MaxSiC ® MXP075
06.19.2026
06.19.2026
Présente une tension drain-source de 750 V, une vitesse de commutation rapide et un temps de tenue aux courts-circuits de 3 μs.
Navitas Semiconductor 3300V & 2300V Silicon Carbide (SiC) MOSFETs
06.18.2026
06.18.2026
Based on latest GeneSiC™ trench-assisted planar (TAP) technology, offers flexible packaging formats.
Infineon Technologies Modules EasyPACK™ S
06.12.2026
06.12.2026
Conversion d'énergie efficace dans un boîtier compact et facile à intégrer, conçu pour les conceptions d'alimentation modernes.
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