Types de Semiconducteurs discrets

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Taiwan Semiconductor SMF4LxCA/AH Transient Voltage Suppressor Diodes
Taiwan Semiconductor SMF4LxCA/AH Transient Voltage Suppressor Diodes
04.02.2026
High-efficiency, low-power, 400W, 5V to 75V surface-mount devices ideal for automated placement.
Taiwan Semiconductor SMA6FxCAH/SMA6SxCAH TVS Diodes
Taiwan Semiconductor SMA6FxCAH/SMA6SxCAH TVS Diodes
04.02.2026
AEC-Q101 qualified 600W, 12V to 60V surface-mount devices operating at 0.094%/°C maximum VBR.
Taiwan Semiconductor TESDA1L2B17P1Q1 ESD Protection Diode
Taiwan Semiconductor TESDA1L2B17P1Q1 ESD Protection Diode
02.19.2026
Safeguards power interfaces, control lines, or low‑speed data lines within electronic systems.
Taiwan Semiconductor Schottky Barrier Rectifiers
Taiwan Semiconductor Schottky Barrier Rectifiers
08.11.2025
These devices have a low power loss and are highly efficient.
Taiwan Semiconductor PLDS20J & PLDS20JH Rectifiers
Taiwan Semiconductor PLDS20J & PLDS20JH Rectifiers
08.05.2025
20A, 600V rectifiers with low VF drop and high surge current capability, in a D2PAK-D package.
Taiwan Semiconductor PLAD10J & PLAD10JH Rectifiers
Taiwan Semiconductor PLAD10J & PLAD10JH Rectifiers
08.05.2025
10A, 600V standard rectifiers with low power loss and high efficiency, in a ThinDPAK package.
Taiwan Semiconductor PLDS30J & PLDS30JH Rectifiers
Taiwan Semiconductor PLDS30J & PLDS30JH Rectifiers
08.05.2025
30A, 600V rectifiers with low VF drop and high surge current capability, in a D2PAK-D package.
Taiwan Semiconductor TESDA6V0U40P1Q0 ESD Protection Diode
Taiwan Semiconductor TESDA6V0U40P1Q0 ESD Protection Diode
07.22.2025
AEC-Q101 qualified, unidirectional ESD protection diode to protect sensitive electronic components.
Taiwan Semiconductor BC85xBWH & BC857WH PNP Transistors
Taiwan Semiconductor BC85xBWH & BC857WH PNP Transistors
07.10.2025
200mW, AEC-Q101 qualified small signal transistors, ideal for general switching and amplification.
Taiwan Semiconductor HS1Y 1A/1600V High Efficiency SMD Rectifiers
Taiwan Semiconductor HS1Y 1A/1600V High Efficiency SMD Rectifiers
07.10.2025
High-efficiency rectifiers designed for general-purpose and power supply applications.
Taiwan Semiconductor BC846BWH & BC847B/CWH NPN Transistors
Taiwan Semiconductor BC846BWH & BC847B/CWH NPN Transistors
07.10.2025
200mW, AEC-Q101 qualified small signal transistors, ideal for general switching and amplification.
Taiwan Semiconductor BC807-25H & BC807-40H PNP Transistors
Taiwan Semiconductor BC807-25H & BC807-40H PNP Transistors
07.10.2025
300mW, AEC-Q101 qualified small signal transistors, ideal for general switching and amplification.
Taiwan Semiconductor BC846BH & BC847B/CH NPN Transistors
Taiwan Semiconductor BC846BH & BC847B/CH NPN Transistors
07.10.2025
200mW, AEC-Q101 qualified small signal transistors, ideal for general switching and amplification.
Taiwan Semiconductor BZX58 Surface Mount Zener Diodes
Taiwan Semiconductor BZX58 Surface Mount Zener Diodes
06.03.2025
AEC-Q101 qualified diodes that are ideally suited for automated assembly processes.
Taiwan Semiconductor BZX84 Surface Mount Zener Diodes
Taiwan Semiconductor BZX84 Surface Mount Zener Diodes
06.03.2025
AEC-Q101 qualified diodes that are ideally suited for automated assembly processes.
Taiwan Semiconductor BZT52 Surface Mount Zener Diodes
Taiwan Semiconductor BZT52 Surface Mount Zener Diodes
06.03.2025
AEC-Q101 qualified diodes that are ideally suited for automated assembly processes.
Taiwan Semiconductor MMSZ52 Surface Mount Zener Diodes
Taiwan Semiconductor MMSZ52 Surface Mount Zener Diodes
06.03.2025
AEC-Q101 qualified diodes that are ideally suited for automated assembly processes.
Taiwan Semiconductor SD103  Schottky Barrier Diodes
Taiwan Semiconductor SD103 Schottky Barrier Diodes
03.20.2025
Feature low forward voltage, 150mA forward current, and low power loss.
Taiwan Semiconductor BAW Switching Diodes
Taiwan Semiconductor BAW Switching Diodes
03.20.2025
Ideal for Switching Mode Power Supplies (SMPS) and high-speed switching applications.
Taiwan Semiconductor BAT Schottky Barrier Diodes
Taiwan Semiconductor BAT Schottky Barrier Diodes
03.20.2025
Offer low forward voltage and are ideal for reverse polarity protection applications.
Taiwan Semiconductor 1N4148 Switching Diodes
Taiwan Semiconductor 1N4148 Switching Diodes
03.20.2025
Feature fast switching speed, high surge current capability, and high efficiency.
Taiwan Semiconductor BAS Switching Diodes
Taiwan Semiconductor BAS Switching Diodes
03.20.2025
Ideal for Switching Mode Power Supplies (SMPS), adapters, and high-speed switching applications.
Taiwan Semiconductor BAV Switching Diodes
Taiwan Semiconductor BAV Switching Diodes
03.20.2025
Feature fast switching speed, low leakage current, and low power loss.
Taiwan Semiconductor Diodes à dispositif d'antiparasitage de tension transitoire (TVS) TLDxxAH
Taiwan Semiconductor Diodes à dispositif d'antiparasitage de tension transitoire (TVS) TLDxxAH
03.17.2025
Diodes TVS unidirectionnelles à montage en surface de 26 V à 82 V, qualifiées AEC-Q101.
Taiwan Semiconductor PHAD High Efficient Surface Mount Rectifiers
Taiwan Semiconductor PHAD High Efficient Surface Mount Rectifiers
01.30.2025
Feature low power loss and high efficiency and are designed for automated placement.
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    Diotec Semiconductor SKL12-AQ SMD Schottky Barrier Rectifier Diode
    Diotec Semiconductor SKL12-AQ SMD Schottky Barrier Rectifier Diode
    08.14.2026
    Features a low forward voltage drop in a low-profile package.
    Diotec Semiconductor ESD3B36WS-AQ ESD Protection Diode
    Diotec Semiconductor ESD3B36WS-AQ ESD Protection Diode
    08.14.2026
    Features high peak-pulse power and bidirectional clamping.
    Diotec Semiconductor P6KE47CA-AQ Transient Voltage Suppressor Diode
    Diotec Semiconductor P6KE47CA-AQ Transient Voltage Suppressor Diode
    08.14.2026
    Provide reliable protection against transient voltage spikes, ESD, and other overvoltage events.
    iDEAL Semiconductor iS20M028S1PQ Automotive SuperQ® Power MOSFET
    iDEAL Semiconductor iS20M028S1PQ Automotive SuperQ® Power MOSFET
    08.12.2026
    Automotive 200V N-channel MOSFET with SuperQ technology and TO-220 packaging.
    Nexperia Redresseurs de récupération DPAK 400 à 650 V
    Nexperia Redresseurs de récupération DPAK 400 à 650 V
    08.12.2026
    Redresseurs de récupération DPAK hyperrapides et ultra-rapides, pour la conversion d'énergie électrique sous haute tension.
    STMicroelectronics Transistor PowerGaN SGT1D5R10MEA
    STMicroelectronics Transistor PowerGaN SGT1D5R10MEA
    08.11.2026
    Il permet des pertes de conduction extrêmement faibles, une capacité de courant élevé et une exploitation de commutation ultra-rapide.
    STMicroelectronics MOSFET de puissance à canal N STH4N150-2AG
    STMicroelectronics MOSFET de puissance à canal N STH4N150-2AG
    08.10.2026
    Conçu pour garantir un niveau élevé de tension et de robustesse pour les applications automobiles.
    STMicroelectronics Transistor PowerGaN SGT3D5R10MEB
    STMicroelectronics Transistor PowerGaN SGT3D5R10MEB
    08.10.2026
    Conçu pour des applications de commutation à haute efficacité et à courant élevé.
    Texas Instruments Diodes de protection DES ESD2CANFD24W-Q1
    Texas Instruments Diodes de protection DES ESD2CANFD24W-Q1
    08.04.2026
    Diodes de protection DES automobiles pour les réseaux CAN, CAN FD, CAN SIC et CAN XL.
    onsemi Transistors numériques EMD4DXV6 (BRT)
    onsemi Transistors numériques EMD4DXV6 (BRT)
    07.30.2026
    Conçus pour remplacer un seul dispositif et son réseau externe de polarisation de résistance.
    onsemi MOSFET à canal N NVNJWS1K6N061L
    onsemi MOSFET à canal N NVNJWS1K6N061L
    07.30.2026
    Présente une faible RDS(on) et une faible tension de seuil de grille avec une protection DES intégrée.
    ROHM Semiconductor MOSFET Super jonction (SJ) 600 V
    ROHM Semiconductor MOSFET Super jonction (SJ) 600 V
    07.21.2026
    Options de boîtier compact et à faible hauteur de profil qui offrent une excellente dissipation thermique.
    IXYS Redresseur DK010S3ARP 1 000 V 10 A
    IXYS Redresseur DK010S3ARP 1 000 V 10 A
    07.20.2026
    Il est doté de jonctions passivées au verre pour une stabilité améliorée et est assemblé dans un boîtier DO-214AB.
    IXYS Diode redresseuse polyvalente DK610S3RP 1 600 V
    IXYS Diode redresseuse polyvalente DK610S3RP 1 600 V
    07.20.2026
    Économiseuse d'espace, idéale pour l'assemblage automatisé et bien adaptée aux applications de contrôle de phase CC.
    onsemi FET GaN GaNEXUS™
    onsemi FET GaN GaNEXUS™
    07.08.2026
    Matériau à large bande interdite assurant une faible charge de grille et de sortie, une commutation rapide et un rendement amélioré.
    Bourns Diodes TVS montées en surface CDDFN2
    Bourns Diodes TVS montées en surface CDDFN2
    07.07.2026
    Protections DES, EFT et contre les surtensions pour les ports externes des dispositifs électronique, limitant les dommages critiques.
    Semtech Diode TVS RCLAMP2891PQ
    Semtech Diode TVS RCLAMP2891PQ
    06.30.2026
    La diode TVS 1 ligne à ultra-faible capacité, 28 V, protège les lignes de signal haute vitesse contre les décharges électrostatiques (DES) et les décharges électriques excessives (EOS).
    Diotec Semiconductor SI02C120SMA Silicon Carbide (SiC) Schottky Diode
    Diotec Semiconductor SI02C120SMA Silicon Carbide (SiC) Schottky Diode
    06.29.2026
    Offers a repetitive reverse voltage rating of 1200V and a forward current capability of 2A.
    Littelfuse Réseaux de diodes TVS SPA
    Littelfuse Réseaux de diodes TVS SPA
    06.26.2026
    Réseaux de diodes TVS pour ESD, EFT et protection contre les surtensions sur les interfaces de données et d’alimentation.
    Bourns Diodes TVS de qualité automobile CDSOD323-T24LC-Q
    Bourns Diodes TVS de qualité automobile CDSOD323-T24LC-Q
    06.26.2026
    Diodes TVS bidirectionnelles de qualité automobile dans un boîtier SOD-323 compact.
    Bourns Diodes TVS CDSOD323-TxxSC-Q
    Bourns Diodes TVS CDSOD323-TxxSC-Q
    06.25.2026
    Proposent une sélection d'options de tensions de 3 V à 36 V dans une configuration bidirectionnelle.
    Diodes Incorporated Diode TVS bidirectionnelle D3V3ZF1BD2CSP
    Diodes Incorporated Diode TVS bidirectionnelle D3V3ZF1BD2CSP
    06.22.2026
    Dispositif à faible capacité conçu spécifiquement pour protéger les lignes différentielles à haute vitesse.
    Vishay MOSFET à canal N 750 V MaxSiC ® MXP075
    Vishay MOSFET à canal N 750 V MaxSiC ® MXP075
    06.19.2026
    Présente une tension drain-source de 750 V, une vitesse de commutation rapide et un temps de tenue aux courts-circuits de 3 μs.
    Navitas Semiconductor 3300V & 2300V Silicon Carbide (SiC) MOSFETs
    Navitas Semiconductor 3300V & 2300V Silicon Carbide (SiC) MOSFETs
    06.18.2026
    Based on latest GeneSiC™ trench-assisted planar (TAP) technology, offers flexible packaging formats.
    Infineon Technologies Modules EasyPACK™ S
    Infineon Technologies Modules EasyPACK™ S
    06.12.2026
    Conversion d'énergie efficace dans un boîtier compact et facile à intégrer, conçu pour les conceptions d'alimentation modernes.
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