Les plus récent(e)s Semiconducteurs discrets

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Types de Semiconducteurs discrets

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ROHM Semiconductor Modules de puissance de haute densité au SiC

04.10.2026

- Les boîtiers TRCDRIVE pack™, DOT-247 et HSDIP20 contribuent à une conversion performante de puissance.

ROHM Semiconductor Ensemble TRCDRIVE™ BST400D12P4A1x1 à Modules moulés

03.17.2026

- Présente une tension nominale de 1 200 V en boîtier de 41,6 × 52,5 mm et intègre des MOSFET au SiC de 4e génération.

ROHM Semiconductor MOSFET SiC à canal N de 750 V

10.17.2025

- Les dispositifs augmentent la fréquence de commutation, réduisant ainsi les condensateurs, les réacteurs et les autres composants requis.

ROHM Semiconductor MOSFET de puissance automobile RD3x

10.16.2025

- MOSFET AEC-Q101 avec tension directe faible, temps de récupération rapide et capacité de surtension élevée.

ROHM Semiconductor Diodes PIN de qualité automobile RNxMFH

08.21.2025

- Diodes de qualité automobile avec un boîtier surmoulé ultra-compact adapté à la commutation à haute fréquence.

ROHM Semiconductor MOSFET à canal P RQxAT

08.21.2025

- Comprennent un boîtier monté en surface avec une faible résistance à l'état passant et sont testés à 100 % Rg et UIS.

ROHM Semiconductor MOSFET de puissance SiC canal N 1 700 V SCT2H12NWB

08.21.2025

- MOSFET SiC avec une tension de source de drain (VDSS) de 1 700 V et un courant de drain continu (ID) de 3,9 A.

ROHM Semiconductor MOSFET de puissance RJ1x10BBG

08.21.2025

- MOSFET de puissance à canal N avec faible résistance à l'état passant et boîtier haute puissance.

ROHM Semiconductor Diode à récupération ultra-rapide RF202LB2S

08.21.2025

- Une diode à récupération ultra-rapide de type planaire épitaxiale en silicium, caractérisée par un faible VF et de faibles pertes de commutation.

ROHM Semiconductor Diode PIN RN242SM

08.20.2025

- Présente une faible capacité et un boîtier moulé ultra-compact, adapté à la commutation haute fréquence.

ROHM Semiconductor MOSFET de puissance de canal N 40 V RH7G04

08.19.2025

- Ces dispositifs sont des MOSFET de qualité automobile certifiés AEC-Q101, avec une tension de crête VDSS de 40 V et un courant de décharge IDde ±40 A.

ROHM Semiconductor MOSFET de puissance à canal P -60 V RH7L04CBJFRA

08.19.2025

- Un MOSFET de qualité automobile avec une VDSS de -60 V et une ID de ±36 A, homologué AEC-Q101.

ROHM Semiconductor MOSFET de puissance de canal N 40 V RQ3G120BKFRA

08.19.2025

- MOSFET de qualité automobile avec une tension de source de 40 V (VDSS) et un courant de drain continu (ID) de ±12 A, certifié AEC-Q101.

ROHM Semiconductor MOSFET de puissance de canal P -30 V RH7E04BBJFRA

08.19.2025

- MOSFET de qualité automobile avec une tension drain-source (VDSS) de -30 V et un courant drain (ID) de ±40 A, conforme à la norme AEC-Q101.

ROHM Semiconductor MOSFET de puissance 60 V à canal N RH7L03

08.19.2025

- MOSFET de qualité automobile avec une tension VDSS de 60 V et un courant ID continu de ±35 A, homologué AEC-Q101.

ROHM Semiconductor MOSFET de puissance de canal N RH7P04BBKFRA 100 V

08.19.2025

- MOSFET de puissance de qualité automobile avec une tension VDSS de 100 V et un courant ID de ±40 A, conforme à la norme AEC-Q101.

ROHM Semiconductor MOSFET à signal faible et canal P RQ5G040AT -40 V

08.19.2025

- Un MOSFET spécifié pour une tension drain-source de -40 V (VDSS) et un courant de drain continu (ID) de ±4,0 A.

ROHM Semiconductor MOSFET de puissance à canal N RH7L04 60 V

08.19.2025

- MOSFET de qualité automobile homologués AEC-Q101, classés pour 60 V VDSS et ±40 A ID.

ROHM Semiconductor Diodes Zener JMZV8.2B de 5 mA

08.19.2025

- Les dispositifs sont livrés dans un boîtier PMDE (petit moule d’alimentation) adapté aux applications de régulation de tension.

ROHM Semiconductor MOSFET de puissance à canal P, -40 V -40 A, AG508EGD3

08.06.2025

- Ce MOSFET est un MOSFET de puissance de qualité automobile qui est homologué AEC-Q101.

ROHM Semiconductor Transistor de puissance PNP 1,5 A, 160 V 2SAR579D3

08.06.2025

- Un transistor de puissance avec une faible VCE(sat) et qui convient comme amplificateur basse fréquence.

ROHM Semiconductor 2SCR579D3 Transistor de puissance NPN 1,5 A 160 V

08.06.2025

- Un transistor de puissance avec un faible VCE(sat) et convient comme amplificateur basse fréquence.

ROHM Semiconductor Diodes barrières Schottky RBR40NS

08.04.2025

- Conçues pour une utilisation dans les alimentations de commutation et dotées d'un courant de surtension direct de crête de 100 A.

ROHM Semiconductor MOSFET de puissance RQ3P270BLFRA

08.04.2025

- MOSFET de qualité automobile conforme à la norme AEC-Q101 et proposé dans un boîtier HSMT8AG.

ROHM Semiconductor Diodes Zener PBZLx

08.04.2025

- Conçues pour des applications de régulation de tension et dotées d’une puissance dissipable admissible de 1 000 mW.

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Diodes Incorporated D3V3ZF1BD2CSP Bi-Directional TVS Diode

06.22.2026

- Low-capacitance device designed specifically to protect high-speed differential lines.

Vishay MOSFET à canal N 750 V MaxSiC ® MXP075

06.19.2026

- Présente une tension drain-source de 750 V, une vitesse de commutation rapide et un temps de tenue aux courts-circuits de 3 μs.

Navitas Semiconductor 3300V & 2300V Silicon Carbide (SiC) MOSFETs

06.18.2026

- Based on latest GeneSiC™ trench-assisted planar (TAP) technology, offers flexible packaging formats.

Infineon Technologies Modules EasyPACK™ S

06.12.2026

- Conversion d'énergie efficace dans un boîtier compact et facile à intégrer, conçu pour les conceptions d'alimentation modernes.

Infineon Technologies MOSFET de puissance OptiMOS™ 7 de 100 V pour l'automobile

05.27.2026

- Dispositifs à canal N de pointe, conçus pour la commutation de puissance à haut rendement.

Texas Instruments MOSFET 6 V 2N7002L à canal N

05.18.2026

- Conçu pour minimiser la résistance à l'état passant tout en conservant des performances de commutation rapides.

Bourns Diode TVS à montage en surface CDSOT23-SM712-Q

05.12.2026

- Fournit une protection pour les ports de données conformément aux normes IEC 61000-4-2, IEC 61000-4-4 et IEC 61000-4-5.

Infineon Technologies Modules d'alimentation CIPOS™ Prime automobiles CoolSiC™

05.06.2026

- Les modules d'alimentation sont conçus pour une haute performance dans les applications xEV .

Littelfuse Diodes TVS FlatSuppressX™ TP1KSMB-FL

05.04.2026

- Spécialement conçues pour protéger les équipements électroniques sensibles contre les surtensions transitoires.

Littelfuse Diodes TVS FlatSuppressX™ TP5.0SMD-FL

05.04.2026

- Puissance d'impulsion de crête de 5000 W avec une forme d'onde de 10/1000 µs et dissipation de puissance de 6,5 W.

Littelfuse Diodes TVS AK-FL

05.04.2026

- Diodes TVS bidirectionnelles FlatSuppressX™ à tension de serrage faible et stable, avec pattes axiales.

Littelfuse TRIAC alternistors haute température QVx35xHx

04.24.2026

- Offre un courant nominal de 35 A et est disponible dans les boîtiers TO-220A, TO-220 isolés et TO-263.

Littelfuse SCR haute température SJx08x

04.24.2026

- Tension jusqu'à 800 V, capacité de courant de surtension jusqu'à 100 A et une température nominale de +150°C.

RECOM Power ICs, Transformers, & Discrete Solutions

04.24.2026

- Features components ideal for energy, industrial, and medical applications.

Diotec Semiconductor BAS70-05W Schottky Diode

04.16.2026

- Designed for high‑speed switching and voltage clamping in space‑constrained applications.

onsemi MOSFET de puissance monocanal N NVBYST0D8N08X

04.14.2026

- Optimisé pour l'exploitation à haute tension et résiste aux contraintes de commutation rapide et de courant élevé.

ROHM Semiconductor Modules de puissance de haute densité au SiC

04.10.2026

- Les boîtiers TRCDRIVE pack™, DOT-247 et HSDIP20 contribuent à une conversion performante de puissance.

iDEAL Semiconductor IS20M8R0S1P SuperQ™ 200V N-Channel Power MOSFET

04.07.2026

- Low switching losses, high short-circuit withstand capability (SCWC), and comes in a TO-220 package.

Vishay Redresseurs haute tension à récupération standard S07x-M

04.07.2026

- Redresseurs à montage en surface et passivés au verre avec une VRRM maximale comprise entre 100 V et 1 000 V.

Vishay Redresseurs à récupération rapide RS07x

04.07.2026

- Redresseurs à montage en surface et passivés au verre avec une VRRM maximale comprise entre 100 V et 800 V.

onsemi MOSFET NTMFD0D9N02P1E

04.06.2026

- MOSFET à canal N double conçu avec une faible Rg pour les applications à commutation rapide.

Vishay Module MOSFET de puissance VS-HOT200C080 de 200 A et 80 V

04.02.2026

- Ce dispositif réduit les exigences d’espace de la carte jusqu’à 15 % par rapport aux solutions discrètes standard.

Taiwan Semiconductor SMF4LxCA/AH Transient Voltage Suppressor Diodes

04.02.2026

- High-efficiency, low-power, 400W, 5V to 75V surface-mount devices ideal for automated placement.

Taiwan Semiconductor SMA6FxCAH/SMA6SxCAH TVS Diodes

04.02.2026

- AEC-Q101 qualified 600W, 12V to 60V surface-mount devices operating at 0.094%/°C maximum VBR.

Toshiba MOSFET de puissance à canal N/canal P

03.31.2026

- Idéaux pour les commutateurs à commutation rapide, les commutateurs de gestion de l'alimentation, les convertisseurs CC-CC et les entraînements à moteur.

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