Types de Semi-conducteurs
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= ROHM Semiconductor
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ROHM Semiconductor MOSFET Super jonction (SJ) 600 V
07.21.2026
07.21.2026
Options de boîtier compact et à faible hauteur de profil qui offrent une excellente dissipation thermique.
ROHM Semiconductor Modules de puissance de haute densité au SiC
04.10.2026
04.10.2026
Les boîtiers TRCDRIVE pack™, DOT-247 et HSDIP20 contribuent à une conversion performante de puissance.
ROHM Semiconductor Ensemble TRCDRIVE™ BST400D12P4A1x1 à Modules moulés
03.17.2026
03.17.2026
Présente une tension nominale de 1 200 V en boîtier de 41,6 × 52,5 mm et intègre des MOSFET au SiC de 4e génération.
ROHM Semiconductor Amplificateur opérationnel TLR2728YFJ-C
12.11.2025
12.11.2025
Amplificateur opérationnel double CMOS à entrée/sortie rail à rail et à haute vitesse .
ROHM Semiconductor Amplificateur opérationnel LMRx802-LB
11.24.2025
11.24.2025
L’ampli op présente un faible niveau de bruit, une tension de décalage d’entrée faible et un faible courant de polarisation d’entrée.
ROHM Semiconductor Diode à broche RN789FM
11.18.2025
11.18.2025
Petit boîtier moulé, adapté à un circuit de contrôle automatique du gain et à un amplificateur/atténuateur d’antenne.
ROHM Semiconductor Convertisseur A/N BD79124MUF-C
11.18.2025
11.18.2025
Convertisseur A/N à approximation successive polyvalent, 12 bits et 8 canaux.
ROHM Semiconductor MOSFET de puissance à canal P RH7G03BBJFRA
11.18.2025
11.18.2025
Ce MOSFET possède une tension VDSS nominale de -40 V et une tension ID nominale (VDS = -10 V) de ±22 A.
ROHM Semiconductor MOSFET de puissance à canal P RJ1P10BAT
11.18.2025
11.18.2025
Ce MOSFET a une tension VDSSnominale de -100 V et une tension ID nominale (VDS = 10 V) de ±105 A.
ROHM Semiconductor Convertisseurs à circuits intégrés BM2P10xJ-ZCC/CC de type PWM
11.03.2025
11.03.2025
Ils comportent un MOSFET intégré de commutation de 730 V et fonctionnent directement sur secteur CA haute tension.
ROHM Semiconductor MOSFET SiC à canal N de 750 V
10.17.2025
10.17.2025
Les dispositifs augmentent la fréquence de commutation, réduisant ainsi les condensateurs, les réacteurs et les autres composants requis.
ROHM Semiconductor MOSFET de puissance automobile RD3x
10.16.2025
10.16.2025
MOSFET AEC-Q101 avec tension directe faible, temps de récupération rapide et capacité de surtension élevée.
ROHM Semiconductor CI convertisseurs CC/CC de type MLI BM2P06xJ-Z
09.26.2025
09.26.2025
Conçu pour les applications d'alimentation CA-CC isolée compactes et efficaces.
ROHM Semiconductor Carte d'évaluation BM3G107MUV-EVK-003
08.27.2025
08.27.2025
Conçue pour évaluer et démontrer les capacités du CI à étage de puissance HEMT au GaN BM3G107MUV.
ROHM Semiconductor Carte d'évaluation BM3G115MUV-EVK-003
08.27.2025
08.27.2025
Conçue pour évaluer et démontrer les capacités du CI à étage de puissance HEMT BM3G115MUV.
ROHM Semiconductor MOSFET de puissance RJ1x10BBG
08.21.2025
08.21.2025
MOSFET de puissance à canal N avec faible résistance à l'état passant et boîtier haute puissance.
ROHM Semiconductor MOSFET à canal P RQxAT
08.21.2025
08.21.2025
Comprennent un boîtier monté en surface avec une faible résistance à l'état passant et sont testés à 100 % Rg et UIS.
ROHM Semiconductor Diode à récupération ultra-rapide RF202LB2S
08.21.2025
08.21.2025
Une diode à récupération ultra-rapide de type planaire épitaxiale en silicium, caractérisée par un faible VF et de faibles pertes de commutation.
ROHM Semiconductor MOSFET de puissance SiC canal N 1 700 V SCT2H12NWB
08.21.2025
08.21.2025
MOSFET SiC avec une tension de source de drain (VDSS) de 1 700 V et un courant de drain continu (ID) de 3,9 A.
ROHM Semiconductor Diodes PIN de qualité automobile RNxMFH
08.21.2025
08.21.2025
Diodes de qualité automobile avec un boîtier surmoulé ultra-compact adapté à la commutation à haute fréquence.
ROHM Semiconductor Diode PIN RN242SM
08.20.2025
08.20.2025
Présente une faible capacité et un boîtier moulé ultra-compact, adapté à la commutation haute fréquence.
ROHM Semiconductor MOSFET de puissance à canal N RH7L04 60 V
08.19.2025
08.19.2025
MOSFET de qualité automobile homologués AEC-Q101, classés pour 60 V VDSS et ±40 A ID.
ROHM Semiconductor MOSFET de puissance de canal P -30 V RH7E04BBJFRA
08.19.2025
08.19.2025
MOSFET de qualité automobile avec une tension drain-source (VDSS) de -30 V et un courant drain (ID) de ±40 A, conforme à la norme AEC-Q101.
ROHM Semiconductor MOSFET de puissance de canal N 40 V RH7G04
08.19.2025
08.19.2025
Ces dispositifs sont des MOSFET de qualité automobile certifiés AEC-Q101, avec une tension de crête VDSS de 40 V et un courant de décharge IDde ±40 A.
ROHM Semiconductor MOSFET de puissance 60 V à canal N RH7L03
08.19.2025
08.19.2025
MOSFET de qualité automobile avec une tension VDSS de 60 V et un courant ID continu de ±35 A, homologué AEC-Q101.
Consulter : 1 - 25 sur 218
STMicroelectronics EVL9965A/EVL99BM218 Promotional Boards
07.30.2026
07.30.2026
Promotional boards for the L9965A/L99BM218 devices in battery management systems.
Infineon Technologies DEMO_HV_PACKAGE Evaluation Board
07.30.2026
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Explore high-voltage packages with CoolSiC™ and CoolMOS™ for efficient, reliable power performance.
STMicroelectronics EVL9965P-N/EVL99BM2P-FN Promotional Boards
07.30.2026
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Provides the user with a platform to evaluate the L9965P/L99BM2P devices in a QFN package.
STMicroelectronics EVL9965C-L/EVL99BM2C-L Promotional Boards
07.30.2026
07.30.2026
Promotional boards for the L9965C-L/L99BM2C-L to monitor current, charge, and isolation.
onsemi NVNJWS1K6N061L N-Channel MOSFET
07.30.2026
07.30.2026
Features low RDS(on) and low gate threshold with integrated ESD protection.
onsemi EMD4DXV6 Digital Transistors ( BRTs)
07.30.2026
07.30.2026
Designed to replace a single device and its external resistor bias network.
NXP Semiconductors TJA1046 Dual High-Speed CAN Transceivers
07.30.2026
07.30.2026
Dual high-speed CAN transceivers with Standby mode and CAN FD support.
STMicroelectronics EVL9965T/EVL99BM2T Promotional Boards
07.30.2026
07.30.2026
These promotional boards integrate the L9965T or L99BM2T BMS transceiver in a BMS system.
Chip Quik Extra-Narrow SMT-to-DIP Adapters
07.29.2026
07.29.2026
Designed to replace obsolete DIP ICs with newer surface-mount components.
STMicroelectronics STEVAL-PDUBV1 Power Distribution ECU
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Based on the SPC58NG84E7 Chorus 6M MCU and STi2Fuse devices.
STMicroelectronics AEK-POW-PDUMINI PDU Board
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Manages low-voltage power distribution in vehicles by consolidating connections in a compact design.
STMicroelectronics AEK-MOT-8DCMH98 Half-Bridge DC Motor Driver
07.28.2026
07.28.2026
Designed to drive eight configurable channels in half-bridge or four channels in full-bridge mode.
Infineon Technologies LITIX™ SHIELD_LED_PLATFORM Arduino Shield
07.27.2026
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Arduino shield for evaluating LITIX™ LED platform reference designs.
STMicroelectronics EVL-L98GD8E Evaluation Board
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Evaluates the L98GD8E, a 48V-rated smart power device designed in advanced BCD technology.
Infineon Technologies KIT_HB_GaN Half-bridge Daughterboards
07.27.2026
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Integrate different gate drive solutions for CoolGaN™ transistors 650V G5.
Infineon Technologies REF_LEDP_ANI_EXT LITIX™ LED Reference Board
07.27.2026
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Animated exterior lighting reference board for automotive LITIX™ LED platform evaluation.
Renesas Electronics RRW2111x GaN System-in-Packages (SiPs)
07.27.2026
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700V GaN integrated primary side QR flyback regulators for 25W/45W/65W applications.
Infineon Technologies DEMO_AC_ZVS_HVBDS Evaluation Board
07.27.2026
07.27.2026
Demonstrates the AC soft-switching capability of CoolGaN™ Bidirectional Switch (BDS) 650V G5.
Infineon Technologies SPOC™ Wire Guard Power Switch IC
07.27.2026
07.27.2026
Features a 24‑bit SPI interface with CRC and driving loads up to a nominal current of 34.5A.
Renesas Electronics PTX205RIOTEB Evaluation Board
07.27.2026
07.27.2026
Combines the Config Tool GUI to enable easy, fast evaluation of PTX205R NFC IC performance.
Renesas Electronics EBC10298 PSR GaN SIP
07.27.2026
07.27.2026
A combination of a PSR and GaN, with up to 65W of power and a low BOM cost.
Renesas Electronics EBC10296 & EBC10320 SSR + GaN SIPs
07.27.2026
07.27.2026
Combo solution of SSR + GaN with up to 100W power design.
Renesas Electronics EBC10293 240W PD3.2 EPR Design Board
07.27.2026
07.27.2026
Includes with RRW11011, RRW40120, RRW43110, and RRW30120 converters.
Microchip Technology AVR32LA32 Curiosity Nano Evaluation Kit
07.27.2026
07.27.2026
Curiosity Nano board for evaluating AVR32LA32 microcontroller applications.
Infineon Technologies REF_500W_CYCLO_BDSGAN Evaluation Board
07.27.2026
07.27.2026
Serves as a solar microinverter reference design based on cyclo-converter topology.
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