Types de Semi-conducteurs
Filtres appliqués:
ROHM Semiconductor Modules de puissance de haute densité au SiC
04.10.2026
04.10.2026
Les boîtiers TRCDRIVE pack™, DOT-247 et HSDIP20 contribuent à une conversion performante de puissance.
ROHM Semiconductor Ensemble TRCDRIVE™ BST400D12P4A1x1 à Modules moulés
03.17.2026
03.17.2026
Présente une tension nominale de 1 200 V en boîtier de 41,6 × 52,5 mm et intègre des MOSFET au SiC de 4e génération.
ROHM Semiconductor Amplificateur opérationnel LMRx802-LB
11.24.2025
11.24.2025
L’ampli op présente un faible niveau de bruit, une tension de décalage d’entrée faible et un faible courant de polarisation d’entrée.
ROHM Semiconductor Convertisseurs à circuits intégrés BM2P10xJ-ZCC/CC de type PWM
11.03.2025
11.03.2025
Ils comportent un MOSFET intégré de commutation de 730 V et fonctionnent directement sur secteur CA haute tension.
ROHM Semiconductor MOSFET SiC à canal N de 750 V
10.17.2025
10.17.2025
Les dispositifs augmentent la fréquence de commutation, réduisant ainsi les condensateurs, les réacteurs et les autres composants requis.
ROHM Semiconductor MOSFET de puissance automobile RD3x
10.16.2025
10.16.2025
MOSFET AEC-Q101 avec tension directe faible, temps de récupération rapide et capacité de surtension élevée.
ROHM Semiconductor CI convertisseurs CC/CC de type MLI BM2P06xJ-Z
09.26.2025
09.26.2025
Conçu pour les applications d'alimentation CA-CC isolée compactes et efficaces.
ROHM Semiconductor Carte d'évaluation BM3G115MUV-EVK-003
08.27.2025
08.27.2025
Conçue pour évaluer et démontrer les capacités du CI à étage de puissance HEMT BM3G115MUV.
ROHM Semiconductor Carte d'évaluation BM3G107MUV-EVK-003
08.27.2025
08.27.2025
Conçue pour évaluer et démontrer les capacités du CI à étage de puissance HEMT au GaN BM3G107MUV.
ROHM Semiconductor MOSFET de puissance RJ1x10BBG
08.21.2025
08.21.2025
MOSFET de puissance à canal N avec faible résistance à l'état passant et boîtier haute puissance.
ROHM Semiconductor Diode à récupération ultra-rapide RF202LB2S
08.21.2025
08.21.2025
Une diode à récupération ultra-rapide de type planaire épitaxiale en silicium, caractérisée par un faible VF et de faibles pertes de commutation.
ROHM Semiconductor Diodes PIN de qualité automobile RNxMFH
08.21.2025
08.21.2025
Diodes de qualité automobile avec un boîtier surmoulé ultra-compact adapté à la commutation à haute fréquence.
ROHM Semiconductor MOSFET de puissance SiC canal N 1 700 V SCT2H12NWB
08.21.2025
08.21.2025
MOSFET SiC avec une tension de source de drain (VDSS) de 1 700 V et un courant de drain continu (ID) de 3,9 A.
ROHM Semiconductor MOSFET à canal P RQxAT
08.21.2025
08.21.2025
Comprennent un boîtier monté en surface avec une faible résistance à l'état passant et sont testés à 100 % Rg et UIS.
ROHM Semiconductor Diode PIN RN242SM
08.20.2025
08.20.2025
Présente une faible capacité et un boîtier moulé ultra-compact, adapté à la commutation haute fréquence.
ROHM Semiconductor MOSFET de puissance à canal N RH7L04 60 V
08.19.2025
08.19.2025
MOSFET de qualité automobile homologués AEC-Q101, classés pour 60 V VDSS et ±40 A ID.
ROHM Semiconductor MOSFET de puissance de canal N 40 V RH7G04
08.19.2025
08.19.2025
Ces dispositifs sont des MOSFET de qualité automobile certifiés AEC-Q101, avec une tension de crête VDSS de 40 V et un courant de décharge IDde ±40 A.
ROHM Semiconductor EEPROM SPI BUS BR25G-5
08.19.2025
08.19.2025
Ces dispositifs sont des EEPROM en série 16 kbit avec une interface SPI BUS et 4 millions de cycles d'écriture.
ROHM Semiconductor MOSFET de puissance de canal P -30 V RH7E04BBJFRA
08.19.2025
08.19.2025
MOSFET de qualité automobile avec une tension drain-source (VDSS) de -30 V et un courant drain (ID) de ±40 A, conforme à la norme AEC-Q101.
ROHM Semiconductor MOSFET de puissance 60 V à canal N RH7L03
08.19.2025
08.19.2025
MOSFET de qualité automobile avec une tension VDSS de 60 V et un courant ID continu de ±35 A, homologué AEC-Q101.
ROHM Semiconductor MOSFET à signal faible et canal P RQ5G040AT -40 V
08.19.2025
08.19.2025
Un MOSFET spécifié pour une tension drain-source de -40 V (VDSS) et un courant de drain continu (ID) de ±4,0 A.
ROHM Semiconductor MOSFET de puissance de canal N 40 V RQ3G120BKFRA
08.19.2025
08.19.2025
MOSFET de qualité automobile avec une tension de source de 40 V (VDSS) et un courant de drain continu (ID) de ±12 A, certifié AEC-Q101.
ROHM Semiconductor Diodes Zener JMZV8.2B de 5 mA
08.19.2025
08.19.2025
Les dispositifs sont livrés dans un boîtier PMDE (petit moule d’alimentation) adapté aux applications de régulation de tension.
ROHM Semiconductor MOSFET de puissance à canal P -60 V RH7L04CBJFRA
08.19.2025
08.19.2025
Un MOSFET de qualité automobile avec une VDSS de -60 V et une ID de ±36 A, homologué AEC-Q101.
ROHM Semiconductor MOSFET de puissance de canal N RH7P04BBKFRA 100 V
08.19.2025
08.19.2025
MOSFET de puissance de qualité automobile avec une tension VDSS de 100 V et un courant ID de ±40 A, conforme à la norme AEC-Q101.
Consulter : 1 - 25 sur 224
Texas Instruments TPUL2G223/-Q1 Dual Monostable Multivibrators
05.22.2026
05.22.2026
Contains two independent RC-configurable retriggerable monostable multivibrators.
Texas Instruments Tampons/pilotes octaux SN74LVC541A/-Q1
05.22.2026
05.22.2026
Fournit une solution de tampon/pilote octal conçue pour un fonctionnement de 2,7 V à 3,6 V VCC.
Texas Instruments TPUL2T123/-Q1 Monostable Multivibrators
05.22.2026
05.22.2026
Two independent, RC-configurable, retriggerable mono multivibrators for 1.5V to 5.5V operation.
Qorvo QPA0023 6GHz to 18GHz Driver Amplifier
05.22.2026
05.22.2026
A high-performance driver amplifier fabricated on a 0.15µm production pHEMT process.
Texas Instruments TPUL2G122/-Q1 & TPUL2G122A/-Q1 Dual Multivibrators
05.22.2026
05.22.2026
Offers two independent RC-configurable channels for generating timed output pulses.
Texas Instruments TPUL2T122x/-Q1 Dual Monostable Multivibrators
05.22.2026
05.22.2026
Two independent RC-configurable retriggerable monostable multivibrators for 1.5V to 5.5V operation.
Texas Instruments tampons/pilotes octaux SN74LVC9541A/-Q1
05.22.2026
05.22.2026
Les tampons octaux dotés de sorties à trois états et d'entrées à déclenchement de Schmitt sont idéaux pour piloter une LED indicatrice.
Texas Instruments Tampon/pilote octal SN74LVCZ244A
05.22.2026
05.22.2026
Option de tampon/pilote octal fiable pour un fonctionnement de 2,7 V à 3,6 V VCC.
Texas Instruments Tampons et pilotages de lignes octaux SN74LVC241A
05.22.2026
05.22.2026
Fournit une solution de tampon 8 bits avec des sorties à 3 états pour un contrôle fiable du signal numérique.
Abracon GNSS Solutions
05.22.2026
05.22.2026
Feature high-accuracy antennas, 3dB 90° hybrid couplers, and high-rejection SAW diplexers/filters.
Texas Instruments Tampons/pilotes octaux SN74LVC540A/-Q1
05.22.2026
05.22.2026
Fournit une solution de tampon/pilote octal conçue pour un fonctionnement de 2,7 V à 3,6 V VCC.
Diodes Incorporated API21550Q Isolated Half-Bridge Gate Driver
05.21.2026
05.21.2026
The device offers 5V, 8V, and 12V VDD UVLO options for driving GaN, MOSFETs, and IGBT/SIC devices.
Apogee Semiconductor AP54RHC420 Latch
05.21.2026
05.21.2026
Radiation-hardened by design, a dual quad-SR latch with cold sparing and Schmitt trigger inputs.
Sensirion Kit d'évaluation SEK-SGP4x-Sensor
05.21.2026
05.21.2026
Conçu pour les ingénieurs et les développeurs afin de créer des prototypes et d’intégrer rapidement des capteurs de gaz COV et NOx.
Hailo Hailo-8R Mini PCIe AI Acceleration Module
05.19.2026
05.19.2026
Plugs into an existing edge device with a PCI Express Mini (mPCIe) Full-Mini socket.
Advantech Kit de développement ASR-A701 avec solution de caméra GMSL
05.19.2026
05.19.2026
Plateforme de développement Edge AI conçue pour accélérer le développement de systèmes autonomes et de la robotique.
Diodes Incorporated Pilote MOSFET à double canal APR3492
05.19.2026
05.19.2026
Un pilote MOSFET côté secondaire pour le redressement synchrone dans les convertisseurs résonnants LLC.
Hailo Hailo-8L Entry-Level AI Accelerator
05.19.2026
05.19.2026
Designed to support entry-level products requiring limited AI capacity or lower performance.
Microchip Technology Kit d'évaluation Curiosity Nano EV17P63A
05.19.2026
05.19.2026
Une carte économique qui facilite l’évaluation et l’adoption faciles des contrôleurs de signal numérique dsPIC33A 32 bits.
Texas Instruments Multiplexeurs simples 8:1 et doubles 4:1 MUX80X-Q1
05.19.2026
05.19.2026
Multiplexeurs analogiques haute tension en configurations 8:1 (simple) et 4:1 (différentielle).
Texas Instruments Dispositifs logiques programmables TPLD2001
05.19.2026
05.19.2026
Intègre des CI de logique programmable polyvalents comprenant des blocs combinatoires, séquentiels et analogiques.
Hailo Hailo-8 AI Processor
05.19.2026
05.19.2026
Features up to 26 tera-operations per second (TOPS) in a size smaller than a penny.
Texas Instruments Amplificateurs différentiels de précision INA151
05.18.2026
05.18.2026
Offrent une plage de tension de mode commun d’entrée allant jusqu’à 110 V au-dessus de la tension d’alimentation négative (recommandée).
Texas Instruments Amplificateurs opérationnels OPA4488
05.18.2026
05.18.2026
Amplificateurs opérationnels (amplis op) de 48 V, à large bande, à faible bruit, sans dérive et compatibles avec les multiplexeurs.
Texas Instruments Amplificateur opérationnel TLV2886
05.18.2026
05.18.2026
Amplificateur opérationnelà faible bruit, à large bande passante et dérive du zéro, doté d'une entrée compatible avec les multiplexeurs.
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